The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties
Silicon-on-insulator (SOI) is the most promising present-day silicon technology. The use of SOI provides significant benefits over traditional bulk silicon technology in the fabrication of many integrated circuits (ICs), and in particular, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) ICs. It also...
Saved in:
| Published in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Date: | 2020 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2020
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215861 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties / T.E. Rudenko, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 227-252. — Бібліогр.: 171 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862732129844068352 |
|---|---|
| author | Rudenko, T.E. Nazarov, A.N. Lysenko, V.S. |
| author_facet | Rudenko, T.E. Nazarov, A.N. Lysenko, V.S. |
| citation_txt | The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties / T.E. Rudenko, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 227-252. — Бібліогр.: 171 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | Silicon-on-insulator (SOI) is the most promising present-day silicon technology. The use of SOI provides significant benefits over traditional bulk silicon technology in the fabrication of many integrated circuits (ICs), and in particular, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) ICs. It also allows extending the miniaturization of CMOS devices into the nanometer region. In this review paper, we briefly describe the evolution of SOI technology and its main areas of application. The basic technological methods for the fabrication of SOI wafers are presented. The principal advantages of SOI devices over bulk silicon devices are described. The types of SOI metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) and their basic electrical properties are considered.
Кремній-на-ізоляторі (КНІ) є найбільш перспективною кремнієвою технологією на сьогоднішній день. Використання технології КНІ забезпечує значні переваги порівняно з традиційною технологією об’ємного кремнію при виготовленні багатьох типів інтегральних схем (ІС), зокрема, комплементарних метал-оксидно-напівпровідників (КМОН) ІС. Технологія КНІ також дозволяє подальшу мініатюризацію КМОН-приладів у нанометровому діапазоні. У цьому огляді коротко описано еволюцію технології КНІ та її основні області застосування. Представлено основні технологічні методи виготовлення пластин КНІ. Описано принципові переваги КНІ-приладів порівняно з приладами на об’ємному кремнії. Розглянуто типи КНІ метал-оксидно-напівпровідникових (МОН) транзисторів і їх основні електричні властивості.
|
| first_indexed | 2026-04-17T15:29:50Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-215861 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-17T15:29:50Z |
| publishDate | 2020 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Rudenko, T.E. Nazarov, A.N. Lysenko, V.S. 2026-03-30T13:38:14Z 2020 The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties / T.E. Rudenko, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 227-252. — Бібліогр.: 171 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 85.30.Tv https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215861 https://doi.org/10.15407/spqeo23.03.227 Silicon-on-insulator (SOI) is the most promising present-day silicon technology. The use of SOI provides significant benefits over traditional bulk silicon technology in the fabrication of many integrated circuits (ICs), and in particular, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) ICs. It also allows extending the miniaturization of CMOS devices into the nanometer region. In this review paper, we briefly describe the evolution of SOI technology and its main areas of application. The basic technological methods for the fabrication of SOI wafers are presented. The principal advantages of SOI devices over bulk silicon devices are described. The types of SOI metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) and their basic electrical properties are considered. Кремній-на-ізоляторі (КНІ) є найбільш перспективною кремнієвою технологією на сьогоднішній день. Використання технології КНІ забезпечує значні переваги порівняно з традиційною технологією об’ємного кремнію при виготовленні багатьох типів інтегральних схем (ІС), зокрема, комплементарних метал-оксидно-напівпровідників (КМОН) ІС. Технологія КНІ також дозволяє подальшу мініатюризацію КМОН-приладів у нанометровому діапазоні. У цьому огляді коротко описано еволюцію технології КНІ та її основні області застосування. Представлено основні технологічні методи виготовлення пластин КНІ. Описано принципові переваги КНІ-приладів порівняно з приладами на об’ємному кремнії. Розглянуто типи КНІ метал-оксидно-напівпровідникових (МОН) транзисторів і їх основні електричні властивості. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Physics of microelectronic devices The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties Розвиток приладів типу «кремній-на-ізоляторі» (КНІ) та їх основні властивості Article published earlier |
| spellingShingle | The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties Rudenko, T.E. Nazarov, A.N. Lysenko, V.S. Physics of microelectronic devices |
| title | The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties |
| title_alt | Розвиток приладів типу «кремній-на-ізоляторі» (КНІ) та їх основні властивості |
| title_full | The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties |
| title_fullStr | The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties |
| title_full_unstemmed | The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties |
| title_short | The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties |
| title_sort | advancement of silicon-on-insulator (soi) devices and their basic properties |
| topic | Physics of microelectronic devices |
| topic_facet | Physics of microelectronic devices |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215861 |
| work_keys_str_mv | AT rudenkote theadvancementofsilicononinsulatorsoidevicesandtheirbasicproperties AT nazarovan theadvancementofsilicononinsulatorsoidevicesandtheirbasicproperties AT lysenkovs theadvancementofsilicononinsulatorsoidevicesandtheirbasicproperties AT rudenkote rozvitokpriladívtipukremníinaízolâtoríknítaíhosnovnívlastivostí AT nazarovan rozvitokpriladívtipukremníinaízolâtoríknítaíhosnovnívlastivostí AT lysenkovs rozvitokpriladívtipukremníinaízolâtoríknítaíhosnovnívlastivostí AT rudenkote advancementofsilicononinsulatorsoidevicesandtheirbasicproperties AT nazarovan advancementofsilicononinsulatorsoidevicesandtheirbasicproperties AT lysenkovs advancementofsilicononinsulatorsoidevicesandtheirbasicproperties |