Зображення обкладинки

The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties

Silicon-on-insulator (SOI) is the most promising present-day silicon technology. The use of SOI provides significant benefits over traditional bulk silicon technology in the fabrication of many integrated circuits (ICs), and in particular, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) ICs. It also...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2020
Автори:	Rudenko, T.E., Nazarov, A.N., Lysenko, V.S.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2020
Теми:	Physics of microelectronic devices
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215861
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties / T.E. Rudenko, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 227-252. — Бібліогр.: 171 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Manifestation of the channeling effect when manufacturing JFET transistors
за авторством: Verbitskiy, V.G., та інші
Опубліковано: (2020)

Fidelity of noisy multiple-control reversible gates
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2020)

Energy processes in combined power supplies with linear capacitors and supercapacitors
за авторством: Biletskyi, O.O., та інші
Опубліковано: (2019)

Measuring an unknown voltage by using a single-electron transistor-based voltmeter
за авторством: Biswas, A.K.
Опубліковано: (2021)

High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (1998)

Characterization of charge trapping processes in fully-depleted UNIBOND SOI MOSFET subjected to γ-irradiation
за авторством: Houk, Y., та інші
Опубліковано: (2006)

The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)

The looking for new possibilities of improvement of receiving-detecting circuit for digital radiographic systems with advanced spatial resolution
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2011)

Photodetector device for fiber-optical telecommunication systems
за авторством: Andreyeva, N.O., та інші
Опубліковано: (2019)

Photoinduced diffraction grating in AgCl-Ag film on surface of silicone gel composition SYLGARD-184
за авторством: Ageev, L.A., та інші
Опубліковано: (2016)

Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: T. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: Rudenko, T., та інші
Опубліковано: (2013)

SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures
за авторством: Boutry-Forveille, A., та інші
Опубліковано: (1998)

ANALYSIS OF METHODS FOR MONITORING OF EXISTING ENERGY OBJECTS GROUNDING DEVICES STATE AT THE PRESENT STAGE
за авторством: Koliushko, D. G., та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

Light collection simulation when determining light yield of single crystal and polycrystalline organic scintillators
за авторством: Gorbacheva, T.E., та інші
Опубліковано: (2015)

REQUIREMENTS FOR DEVICES FOR VERTICAL ELECTRICAL SOUNDING OF SOIL AT DIAGNOSTICS OF GROUNDING DEVICES
за авторством: Rudenko, S. S.
Опубліковано: (2016)

Key parameters of textured silicon solar cells of 26.6% photoconversion efficiency
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Simulation and characterization of planar high-efficiency back contact silicon solar cells
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2021)

An analytical accumulation mode SOI pMOSFET model for high-temperature analog applications
за авторством: Houk, Yu., та інші
Опубліковано: (2006)

Advanced fluid modelling of transport in tokamaks
за авторством: Weiland, J.
Опубліковано: (2002)

Experimental and theoretical analysis of fatigue properties of liner for the large pressure equipment
за авторством: Feng Xianzhang, та інші
Опубліковано: (2016)

New phoswich detector based on LFS and p-terphenyl scintillators coupled to micro pixel avalanche photodiode
за авторством: Ahmadov, F., та інші
Опубліковано: (2017)

Properties of 0-degree domain walls in cubic ferromagnet in transverse magnetic field
за авторством: Vakhitov, R.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Research of the properties of renewable energy sources with battery electrode from new materials
за авторством: Song Xueying, та інші
Опубліковано: (2017)

Apparatus for studying electro-physical properties of materials at low temperatures under external magnetic fields
за авторством: Bovda, O.M., та інші
Опубліковано: (2014)

A liquid crystal-based sensitive element for optical sensors of cholesterol
за авторством: Vistak, M.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Characterization of nano-bio silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2020)

Electron and hole effective masses in heavily boron-doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Silicon-on-insulator technology for microelectromechanical applications
за авторством: Usenko, A.Y., та інші
Опубліковано: (1999)

Multi-layered composite detectors for neutron detection
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2018)

Mineral insulators for kompton detectors of neutrons with a metal hafnium emitter
за авторством: Bohdan, E.A., та інші
Опубліковано: (2020)

THE EXPERIMENTAL VALIDATION OF THE GROUNDING DEVICE RESISTANCE MEASUREMENT METHOD
за авторством: Nizhevskyi, I. V., та інші
Опубліковано: (2016)

Schottky diodes based on the zinc selenide semiconductor crystals
за авторством: Voronkin, E.
Опубліковано: (2013)

Physico-mathematical model for determining the direction in space to point sources of gamma radiation using spherical absorber
за авторством: Grigoryev, A.N., та інші
Опубліковано: (2018)

Digital X-ray imaging using matrix detectors and composite screens
за авторством: Voronkin, E.F.
Опубліковано: (2014)

Scintillation panels based on zinc selenide and oxide scintillators
за авторством: Litichevskyi, V., та інші
Опубліковано: (2011)

Research of the ECAL calorimeter used in the COMET experiment
за авторством: Kalinnikov, V., та інші
Опубліковано: (2015)

Research of long GSO and LYSO crystals used in the calorimeter developed for the COMET experiment
за авторством: Kalinnikov, V., та інші
Опубліковано: (2015)

Increasing the resolving power of determining the point gamma-radiation source direction in the precision method
за авторством: Grigoryev, A.N., та інші
Опубліковано: (2017)