Influence of electrically neutral nickel atoms on electrical and recombination parameters of silicon
The results of this study show that the creation of clusters from impurity nickel atoms almost completely suppresses the generation of thermal donors within the temperature range 450 to 1200 °C. The composition of these clusters was determined using the technique of energy dispersive X-ray spectrosc...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2020 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2020
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215916 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of electrically neutral nickel atoms on electrical and recombination parameters of silicon / M.K. Bakhadyrkhanov, B.K. Ismaylov, S.A. Tachilin, K.A. Ismailov, N.F. Zikrillaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 4. — С. 361-365. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |