Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2020
• Автори: Uteniyazov, A.K., Leyderman, A.Yu., Ayukhanov, R.A., Esenbaeva, E.S., Gafurova, M.V.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2020
• Теми: Semiconductor Physics
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215919
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure / A.K. Uteniyazov, A.Yu. Leyderman, R.A. Ayukhanov, E.S. Esenbaeva, M.V. Gafurova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 4. — С. 339-345. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

The results of studies of the current-voltage characteristics of the Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure in the forward direction of the current in the dark and under light illumination have been presented. These characteristics have four sections of the power-law dependence of the current on the voltage in the form ~ ᵅ. It has been shown that the Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure can be considered as an ⁺- diode structure with a long base, in which the current transport processes are described by the drift model of ohmic relaxation under conditions of non-equilibrium carrier recombination occurring through a pair of two-level recombination complexes. Наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик структури Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo у прямому напрямку струму в темряві та при освітленні. Ці характеристики мають чотири ділянки степеневої залежності струму від напруги у вигляді ~ ᵅ. Показано, що структуру Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo можна розглядати як структуру ⁺--діода з довгою базою, в якій процеси токоперенесення описуються дрейфовою моделлю омічної релаксації за умови рекомбінації рівноважних носіїв, що відбувається через парний дворівневий рекомбінаційний комплекс.