Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure
The results of studies of the current-voltage characteristics of the Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure in the forward direction of the current in the dark and under light illumination have been presented. These characteristics have four sections of the power-law dependence of the current on the voltage i...
Saved in:
| Published in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Date: | 2020 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2020
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215919 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure / A.K. Uteniyazov, A.Yu. Leyderman, R.A. Ayukhanov, E.S. Esenbaeva, M.V. Gafurova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 4. — С. 339-345. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862748033034223616 |
|---|---|
| author | Uteniyazov, A.K. Leyderman, A.Yu. Ayukhanov, R.A. Esenbaeva, E.S. Gafurova, M.V. |
| author_facet | Uteniyazov, A.K. Leyderman, A.Yu. Ayukhanov, R.A. Esenbaeva, E.S. Gafurova, M.V. |
| citation_txt | Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure / A.K. Uteniyazov, A.Yu. Leyderman, R.A. Ayukhanov, E.S. Esenbaeva, M.V. Gafurova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 4. — С. 339-345. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | The results of studies of the current-voltage characteristics of the Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure in the forward direction of the current in the dark and under light illumination have been presented. These characteristics have four sections of the power-law dependence of the current on the voltage in the form ~ ᵅ. It has been shown that the Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure can be considered as an ⁺- diode structure with a long base, in which the current transport processes are described by the drift model of ohmic relaxation under conditions of non-equilibrium carrier recombination occurring through a pair of two-level recombination complexes.
Наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик структури Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo у прямому напрямку струму в темряві та при освітленні. Ці характеристики мають чотири ділянки степеневої залежності струму від напруги у вигляді ~ ᵅ. Показано, що структуру Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo можна розглядати як структуру ⁺--діода з довгою базою, в якій процеси токоперенесення описуються дрейфовою моделлю омічної релаксації за умови рекомбінації рівноважних носіїв, що відбувається через парний дворівневий рекомбінаційний комплекс.
|
| first_indexed | 2026-04-17T19:42:37Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-215919 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-17T19:42:37Z |
| publishDate | 2020 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Uteniyazov, A.K. Leyderman, A.Yu. Ayukhanov, R.A. Esenbaeva, E.S. Gafurova, M.V. 2026-04-01T08:14:52Z 2020 Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure / A.K. Uteniyazov, A.Yu. Leyderman, R.A. Ayukhanov, E.S. Esenbaeva, M.V. Gafurova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 4. — С. 339-345. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 72.10.-d, 73.61.Ga, 73.40.Sx https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215919 https://doi.org/10.15407/spqeo23.04.339 The results of studies of the current-voltage characteristics of the Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure in the forward direction of the current in the dark and under light illumination have been presented. These characteristics have four sections of the power-law dependence of the current on the voltage in the form ~ ᵅ. It has been shown that the Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure can be considered as an ⁺- diode structure with a long base, in which the current transport processes are described by the drift model of ohmic relaxation under conditions of non-equilibrium carrier recombination occurring through a pair of two-level recombination complexes. Наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик структури Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo у прямому напрямку струму в темряві та при освітленні. Ці характеристики мають чотири ділянки степеневої залежності струму від напруги у вигляді ~ ᵅ. Показано, що структуру Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo можна розглядати як структуру ⁺--діода з довгою базою, в якій процеси токоперенесення описуються дрейфовою моделлю омічної релаксації за умови рекомбінації рівноважних носіїв, що відбувається через парний дворівневий рекомбінаційний комплекс. This work was performed under the grant ФA-Ф2-003 “Photo-, thermoelectric and radiative effects in new multicomponent solid solutions with nano-crystals based on molecules of elementary semiconductors and semiconductor compounds” from the Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Semiconductor Physics Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure Особливості перенесення току в структурі Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo Article published earlier |
| spellingShingle | Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure Uteniyazov, A.K. Leyderman, A.Yu. Ayukhanov, R.A. Esenbaeva, E.S. Gafurova, M.V. Semiconductor Physics |
| title | Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure |
| title_alt | Особливості перенесення току в структурі Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo |
| title_full | Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure |
| title_fullStr | Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure |
| title_full_unstemmed | Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure |
| title_short | Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure |
| title_sort | features of current transport in al–al₂o₃–-cdte–mo structure |
| topic | Semiconductor Physics |
| topic_facet | Semiconductor Physics |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215919 |
| work_keys_str_mv | AT uteniyazovak featuresofcurrenttransportinalal2o3cdtemostructure AT leydermanayu featuresofcurrenttransportinalal2o3cdtemostructure AT ayukhanovra featuresofcurrenttransportinalal2o3cdtemostructure AT esenbaevaes featuresofcurrenttransportinalal2o3cdtemostructure AT gafurovamv featuresofcurrenttransportinalal2o3cdtemostructure AT uteniyazovak osoblivostíperenesennâtokuvstrukturíalal2o3cdtemo AT leydermanayu osoblivostíperenesennâtokuvstrukturíalal2o3cdtemo AT ayukhanovra osoblivostíperenesennâtokuvstrukturíalal2o3cdtemo AT esenbaevaes osoblivostíperenesennâtokuvstrukturíalal2o3cdtemo AT gafurovamv osoblivostíperenesennâtokuvstrukturíalal2o3cdtemo |