Effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon
In this paper, the results of studies of the effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters of manganese atoms with the sulfur ones have been presented. It has been shown that the electrical parameters of the samples simultaneously doped with sulfur and manganese completely coinc...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216102 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon / Z.M. Saparniyazova, K.A. Ismailov, A.K. Uteniyazov, Kh.U. Kamalov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 1. — С. 22-25. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862547787239915520 |
|---|---|
| author | Saparniyazova, Z.M. Ismailov, K.A. Uteniyazov, A.K. Kamalov, Kh.U. |
| author_facet | Saparniyazova, Z.M. Ismailov, K.A. Uteniyazov, A.K. Kamalov, Kh.U. |
| citation_txt | Effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon / Z.M. Saparniyazova, K.A. Ismailov, A.K. Uteniyazov, Kh.U. Kamalov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 1. — С. 22-25. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | In this paper, the results of studies of the effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters of manganese atoms with the sulfur ones have been presented. It has been shown that the electrical parameters of the samples simultaneously doped with sulfur and manganese completely coincide with the parameters of the initial material, i.e., as if they do not contain not only sulfur and manganese, but also thermodonors are not formed. The obtained results make it possible to exclude the possibility of gettering of impurity atoms or formation of some kind of solid solutions, if taking into account the impurity atoms of manganese and sulfur, which complicates their diffusion in the crystal bulk. It has been established that for the initial p-type silicon with the resistivity close to ρ ~ 10 Ω·cm, the diffusion temperature of 1100 °C is the most optimal one to form clusters with the maximum participation of the introduced sulfur and manganese atoms.
Наведено результати досліджень впливу температури дифузії на взаємодію кластерів атомів марганцю з атомами сірки. Показано, що електричні параметри зразків, одночасно легованих сіркою і марганцем, повністю збігаються з параметрами вихідного матеріалу, тобто, якби вони не містили не тільки сірку і марганець, але й не утворювали термодонори. Отримані результати дозволяють виключити можливість гетерування домішкових атомів або утворення певного виду твердих розчинів з урахуванням домішкових атомів марганцю і сірки, що ускладнює їх дифузію в об’єм кристала. Встановлено, що для вихідного кремнію р-типу з питомим опором ρ ~ 10 Ω·см температура дифузії 1100 °С є найбільш оптимальною для формування кластерів з максимальною участю введених атомів сірки та марганцю.
|
| first_indexed | 2026-04-15T14:39:47Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-216102 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-15T14:39:47Z |
| publishDate | 2021 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Saparniyazova, Z.M. Ismailov, K.A. Uteniyazov, A.K. Kamalov, Kh.U. 2026-04-06T08:47:02Z 2021 Effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon / Z.M. Saparniyazova, K.A. Ismailov, A.K. Uteniyazov, Kh.U. Kamalov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 1. — С. 22-25. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 66.30.J-, 61.72.uf https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216102 https://doi.org/10.15407/spqeo24.01.022 In this paper, the results of studies of the effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters of manganese atoms with the sulfur ones have been presented. It has been shown that the electrical parameters of the samples simultaneously doped with sulfur and manganese completely coincide with the parameters of the initial material, i.e., as if they do not contain not only sulfur and manganese, but also thermodonors are not formed. The obtained results make it possible to exclude the possibility of gettering of impurity atoms or formation of some kind of solid solutions, if taking into account the impurity atoms of manganese and sulfur, which complicates their diffusion in the crystal bulk. It has been established that for the initial p-type silicon with the resistivity close to ρ ~ 10 Ω·cm, the diffusion temperature of 1100 °C is the most optimal one to form clusters with the maximum participation of the introduced sulfur and manganese atoms. Наведено результати досліджень впливу температури дифузії на взаємодію кластерів атомів марганцю з атомами сірки. Показано, що електричні параметри зразків, одночасно легованих сіркою і марганцем, повністю збігаються з параметрами вихідного матеріалу, тобто, якби вони не містили не тільки сірку і марганець, але й не утворювали термодонори. Отримані результати дозволяють виключити можливість гетерування домішкових атомів або утворення певного виду твердих розчинів з урахуванням домішкових атомів марганцю і сірки, що ускладнює їх дифузію в об’єм кристала. Встановлено, що для вихідного кремнію р-типу з питомим опором ρ ~ 10 Ω·см температура дифузії 1100 °С є найбільш оптимальною для формування кластерів з максимальною участю введених атомів сірки та марганцю. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Semiconductor physics Effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon Вплив температури дифузії на взаємодію кластерів з домішковими атомами в кремнії Article published earlier |
| spellingShingle | Effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon Saparniyazova, Z.M. Ismailov, K.A. Uteniyazov, A.K. Kamalov, Kh.U. Semiconductor physics |
| title | Effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon |
| title_alt | Вплив температури дифузії на взаємодію кластерів з домішковими атомами в кремнії |
| title_full | Effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon |
| title_fullStr | Effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon |
| title_full_unstemmed | Effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon |
| title_short | Effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon |
| title_sort | effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon |
| topic | Semiconductor physics |
| topic_facet | Semiconductor physics |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216102 |
| work_keys_str_mv | AT saparniyazovazm effectofthediffusiontemperatureontheinteractionofclusterswithimpurityatomsinsilicon AT ismailovka effectofthediffusiontemperatureontheinteractionofclusterswithimpurityatomsinsilicon AT uteniyazovak effectofthediffusiontemperatureontheinteractionofclusterswithimpurityatomsinsilicon AT kamalovkhu effectofthediffusiontemperatureontheinteractionofclusterswithimpurityatomsinsilicon AT saparniyazovazm vplivtemperaturidifuzíínavzaêmodíûklasterívzdomíškovimiatomamivkremníí AT ismailovka vplivtemperaturidifuzíínavzaêmodíûklasterívzdomíškovimiatomamivkremníí AT uteniyazovak vplivtemperaturidifuzíínavzaêmodíûklasterívzdomíškovimiatomamivkremníí AT kamalovkhu vplivtemperaturidifuzíínavzaêmodíûklasterívzdomíškovimiatomamivkremníí |