Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field
The responses of uncooled (T = 300 K) and cooled to T = 78 K antenna-coupled Hg₁₋ₓCdₓTe-based narrow-gap thin-film photoconductors, having large spin-orbit coupling and irradiated by the terahertz (THz) radiation (linearly or circularly polarized), have been investigated. Powerful THz radiation exci...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216177 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field / Z.F. Tsybrii, S.N. Danilov, J.V. Gumenjuk-Sichevska, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, E.O. Melezhik, F.F. Sizov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 2. — С. 185-191. — Бібліогр.: 30 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862620534340059136 |
|---|---|
| author | Tsybrii, Z.F. Danilov, S.N. Gumenjuk-Sichevska, J.V. Mikhailov, N.N. Dvoretskii, S.A. Melezhik, E.O. Sizov, F.F. |
| author_facet | Tsybrii, Z.F. Danilov, S.N. Gumenjuk-Sichevska, J.V. Mikhailov, N.N. Dvoretskii, S.A. Melezhik, E.O. Sizov, F.F. |
| citation_txt | Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field / Z.F. Tsybrii, S.N. Danilov, J.V. Gumenjuk-Sichevska, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, E.O. Melezhik, F.F. Sizov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 2. — С. 185-191. — Бібліогр.: 30 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | The responses of uncooled (T = 300 K) and cooled to T = 78 K antenna-coupled Hg₁₋ₓCdₓTe-based narrow-gap thin-film photoconductors, having large spin-orbit coupling and irradiated by the terahertz (THz) radiation (linearly or circularly polarized), have been investigated. Powerful THz radiation excitation causes photocurrents, whose signs and magnitudes are controlled by the orientation of antenna axes, an external constant electric field direction, and the orientation of the polarized (circular or linear) radiation electric field falling onto photoconductors. The observed effects seem to be caused by the spin currents observed in devices where spintronic effects are revealed.
Досліджено відгук неохолоджуваних (T = 300 K) та охолоджуваних до T = 78 K інтегрованих з антеною тонкоплівкових фотопровідників на основі вузькощілинного Hg₁₋ₓCdₓTe, що мають велику спінорбітальну взаємодію і опромінених терагерцовим (ТГц) випромінюванням (лінійно або циркулярно поляризованим). Потужне ТГц випромінювання спричиняє фотоструми, знак та величина яких контролюються орієнтацією осей антен, напрямком зовнішнього постійного електричного поля та орієнтацією електричного поля поляризованого випромінювання (циркулярного або лінійного), що падає на фотопровідники. Спостережувані ефекти, можливо, зумовлені спіновими струмами, що властиві пристроям, в яких виявляються спінтронні ефекти.
|
| first_indexed | 2026-04-16T09:56:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-216177 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-16T09:56:04Z |
| publishDate | 2021 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Tsybrii, Z.F. Danilov, S.N. Gumenjuk-Sichevska, J.V. Mikhailov, N.N. Dvoretskii, S.A. Melezhik, E.O. Sizov, F.F. 2026-04-08T07:33:45Z 2021 Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field / Z.F. Tsybrii, S.N. Danilov, J.V. Gumenjuk-Sichevska, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, E.O. Melezhik, F.F. Sizov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 2. — С. 185-191. — Бібліогр.: 30 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 73.50.Pz, 73.61.Ga, 85.75.-d https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216177 https://doi.org/10.15407/spqeo24.02.185 The responses of uncooled (T = 300 K) and cooled to T = 78 K antenna-coupled Hg₁₋ₓCdₓTe-based narrow-gap thin-film photoconductors, having large spin-orbit coupling and irradiated by the terahertz (THz) radiation (linearly or circularly polarized), have been investigated. Powerful THz radiation excitation causes photocurrents, whose signs and magnitudes are controlled by the orientation of antenna axes, an external constant electric field direction, and the orientation of the polarized (circular or linear) radiation electric field falling onto photoconductors. The observed effects seem to be caused by the spin currents observed in devices where spintronic effects are revealed. Досліджено відгук неохолоджуваних (T = 300 K) та охолоджуваних до T = 78 K інтегрованих з антеною тонкоплівкових фотопровідників на основі вузькощілинного Hg₁₋ₓCdₓTe, що мають велику спінорбітальну взаємодію і опромінених терагерцовим (ТГц) випромінюванням (лінійно або циркулярно поляризованим). Потужне ТГц випромінювання спричиняє фотоструми, знак та величина яких контролюються орієнтацією осей антен, напрямком зовнішнього постійного електричного поля та орієнтацією електричного поля поляризованого випромінювання (циркулярного або лінійного), що падає на фотопровідники. Спостережувані ефекти, можливо, зумовлені спіновими струмами, що властиві пристроям, в яких виявляються спінтронні ефекти. This work was partly supported by the Volkswagen Foundation Partnerships-Cooperation Project No. 97738 “Terahertz optoelectronics in novel low-dimensional narrow-gap semiconductor nanostructures” and the NAS of Ukraine, project No. 20/1-P. S.N. Danilov gratefully acknowledges the support of the Forschungsgemeinschaft (DFG), the Deutsche Project-ID 314695032-SFB 1277, and the Elite 253 Network of Bavaria (K-NW-2013-247). en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Optoelectronics and optoelectronic devices Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field Явища спінтроніки, індуковані ТГц випромінюванням, у вузькощілинних тонких плівках HgCdTe у зовнішньому постійному електричному полі Article published earlier |
| spellingShingle | Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field Tsybrii, Z.F. Danilov, S.N. Gumenjuk-Sichevska, J.V. Mikhailov, N.N. Dvoretskii, S.A. Melezhik, E.O. Sizov, F.F. Optoelectronics and optoelectronic devices |
| title | Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field |
| title_alt | Явища спінтроніки, індуковані ТГц випромінюванням, у вузькощілинних тонких плівках HgCdTe у зовнішньому постійному електричному полі |
| title_full | Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field |
| title_fullStr | Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field |
| title_full_unstemmed | Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field |
| title_short | Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field |
| title_sort | spintronics phenomena induced by thz radiation in narrow-gap hgcdte thin films in an external constant electric field |
| topic | Optoelectronics and optoelectronic devices |
| topic_facet | Optoelectronics and optoelectronic devices |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216177 |
| work_keys_str_mv | AT tsybriizf spintronicsphenomenainducedbythzradiationinnarrowgaphgcdtethinfilmsinanexternalconstantelectricfield AT danilovsn spintronicsphenomenainducedbythzradiationinnarrowgaphgcdtethinfilmsinanexternalconstantelectricfield AT gumenjuksichevskajv spintronicsphenomenainducedbythzradiationinnarrowgaphgcdtethinfilmsinanexternalconstantelectricfield AT mikhailovnn spintronicsphenomenainducedbythzradiationinnarrowgaphgcdtethinfilmsinanexternalconstantelectricfield AT dvoretskiisa spintronicsphenomenainducedbythzradiationinnarrowgaphgcdtethinfilmsinanexternalconstantelectricfield AT melezhikeo spintronicsphenomenainducedbythzradiationinnarrowgaphgcdtethinfilmsinanexternalconstantelectricfield AT sizovff spintronicsphenomenainducedbythzradiationinnarrowgaphgcdtethinfilmsinanexternalconstantelectricfield AT tsybriizf âviŝaspíntroníkiíndukovanítgcvipromínûvannâmuvuzʹkoŝílinnihtonkihplívkahhgcdteuzovníšnʹomupostíinomuelektričnomupolí AT danilovsn âviŝaspíntroníkiíndukovanítgcvipromínûvannâmuvuzʹkoŝílinnihtonkihplívkahhgcdteuzovníšnʹomupostíinomuelektričnomupolí AT gumenjuksichevskajv âviŝaspíntroníkiíndukovanítgcvipromínûvannâmuvuzʹkoŝílinnihtonkihplívkahhgcdteuzovníšnʹomupostíinomuelektričnomupolí AT mikhailovnn âviŝaspíntroníkiíndukovanítgcvipromínûvannâmuvuzʹkoŝílinnihtonkihplívkahhgcdteuzovníšnʹomupostíinomuelektričnomupolí AT dvoretskiisa âviŝaspíntroníkiíndukovanítgcvipromínûvannâmuvuzʹkoŝílinnihtonkihplívkahhgcdteuzovníšnʹomupostíinomuelektričnomupolí AT melezhikeo âviŝaspíntroníkiíndukovanítgcvipromínûvannâmuvuzʹkoŝílinnihtonkihplívkahhgcdteuzovníšnʹomupostíinomuelektričnomupolí AT sizovff âviŝaspíntroníkiíndukovanítgcvipromínûvannâmuvuzʹkoŝílinnihtonkihplívkahhgcdteuzovníšnʹomupostíinomuelektričnomupolí |