Properties of nanosized ZnO:Ho films deposited using explosive evaporation

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2021
• Автори: Kаsumov, А.М., Strelchuk, V.V., Kolomys, О.F., Bykov, О.І., Yukhymchuk, V.О., Zahornyi, М.М., Kоrotkov, K.А., Kаravaieva, V.М., Kоrychev, S.F., Ievtushenko, А.І.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2021
• Теми: Semiconductor physics
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216183
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Properties of nanosized ZnO:Ho films deposited using explosive evaporation / А.М. Kаsumov, V.V. Strelchuk, О.F. Kolomys, О.І. Bykov, V.О. Yukhymchuk, М.М. Zahornyi, K.А. Kоrotkov, V.М. Kаravaieva, S.F. Kоrychev, А.І. Ievtushenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 2. — С. 139-147. — Бібліогр.: 36 назв. — англ.

The properties of nanosized ZnO:Ho thin films deposited by the explosive evaporation method have been studied. This work is aimed at studying the effect of high deposition rate on the oxide characteristics of interest from the viewpoint of photocatalysis, namely: morphology and structure, electrical...