Simulation and characterization of planar high-efficiency back contact silicon solar cells
Short-circuit current, open-circuit voltage, and photoconversion efficiency of silicon high-efficiency solar cells with all back contact (BCSC) with planar surfaces have been calculated theoretically. In addition to the recombination channels usually considered in this kind of modeling, namely, radi...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216223 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Simulation and characterization of planar high-efficiency back contact silicon solar cells / A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, R.M. Korkishko, V.M. Vlasiuk, I.O. Sokolovskyi, B.F. Dvernikov, V.V. Chernenko, M.A. Evstigneev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 3. — С. 319-327. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862736306615877632 |
|---|---|
| author | Sachenko, A.V. Kostylyov, V.P. Korkishko, R.M. Vlasiuk, V.M. Sokolovskyi, I.O. Dvernikov, B.F. Chernenko, V.V. Evstigneev, M.A. |
| author_facet | Sachenko, A.V. Kostylyov, V.P. Korkishko, R.M. Vlasiuk, V.M. Sokolovskyi, I.O. Dvernikov, B.F. Chernenko, V.V. Evstigneev, M.A. |
| citation_txt | Simulation and characterization of planar high-efficiency back contact silicon solar cells / A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, R.M. Korkishko, V.M. Vlasiuk, I.O. Sokolovskyi, B.F. Dvernikov, V.V. Chernenko, M.A. Evstigneev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 3. — С. 319-327. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | Short-circuit current, open-circuit voltage, and photoconversion efficiency of silicon high-efficiency solar cells with all back contact (BCSC) with planar surfaces have been calculated theoretically. In addition to the recombination channels usually considered in this kind of modeling, namely, radiative, Auger, Shockley–Read–Hall, and surface recombination, the model also takes into account the nonradiative trap-assisted exciton Auger recombination and recombination in the space charge region. It is ascertained that these two recombination mechanisms are essential in BCSCs in the maximum power operation regime. The model results are in good agreement with the experimental results from the literature.
У роботі змодельовано ключові параметри кремнієвих високоефективних сонячних елементів з тильною металізацією (СЕТМ) з плоскими поверхнями, такі, зокрема, як струм короткого замикання, напруга розімкненого кола та ефективність фотоперетворення. При моделюванні додатково враховано такі рекомбінаційні механізми, як безвипромінювальна екситонна рекомбінація за Оже-механізмом за участю глибокого рекомбінаційного рівня та рекомбінація в області просторового заряду. Встановлено, що вони істотні для досліджених СЕТМ в режимі відбору максимальної потужності. Результати моделювання добре узгоджуються з експериментальними даними з літератури.
|
| first_indexed | 2026-04-17T16:36:13Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-216223 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-17T16:36:13Z |
| publishDate | 2021 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Sachenko, A.V. Kostylyov, V.P. Korkishko, R.M. Vlasiuk, V.M. Sokolovskyi, I.O. Dvernikov, B.F. Chernenko, V.V. Evstigneev, M.A. 2026-04-10T07:14:34Z 2021 Simulation and characterization of planar high-efficiency back contact silicon solar cells / A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, R.M. Korkishko, V.M. Vlasiuk, I.O. Sokolovskyi, B.F. Dvernikov, V.V. Chernenko, M.A. Evstigneev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 3. — С. 319-327. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 88.40.jj https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216223 https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.319 Short-circuit current, open-circuit voltage, and photoconversion efficiency of silicon high-efficiency solar cells with all back contact (BCSC) with planar surfaces have been calculated theoretically. In addition to the recombination channels usually considered in this kind of modeling, namely, radiative, Auger, Shockley–Read–Hall, and surface recombination, the model also takes into account the nonradiative trap-assisted exciton Auger recombination and recombination in the space charge region. It is ascertained that these two recombination mechanisms are essential in BCSCs in the maximum power operation regime. The model results are in good agreement with the experimental results from the literature. У роботі змодельовано ключові параметри кремнієвих високоефективних сонячних елементів з тильною металізацією (СЕТМ) з плоскими поверхнями, такі, зокрема, як струм короткого замикання, напруга розімкненого кола та ефективність фотоперетворення. При моделюванні додатково враховано такі рекомбінаційні механізми, як безвипромінювальна екситонна рекомбінація за Оже-механізмом за участю глибокого рекомбінаційного рівня та рекомбінація в області просторового заряду. Встановлено, що вони істотні для досліджених СЕТМ в режимі відбору максимальної потужності. Результати моделювання добре узгоджуються з експериментальними даними з літератури. This work was partially supported (V. Kostylyov and V. Vlasiuk) by the National Research Foundation of Ukraine, by the state budget finance (project 2020.02/0036 “Development of physical base of both acoustically controlled modification and machine learning–oriented characterization for silicon solar cells”). en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Optoelectronics and optoelectronic devices Simulation and characterization of planar high-efficiency back contact silicon solar cells Симуляція та характеризація планарних високоефективних сонячних елементів із тильним контактом Article published earlier |
| spellingShingle | Simulation and characterization of planar high-efficiency back contact silicon solar cells Sachenko, A.V. Kostylyov, V.P. Korkishko, R.M. Vlasiuk, V.M. Sokolovskyi, I.O. Dvernikov, B.F. Chernenko, V.V. Evstigneev, M.A. Optoelectronics and optoelectronic devices |
| title | Simulation and characterization of planar high-efficiency back contact silicon solar cells |
| title_alt | Симуляція та характеризація планарних високоефективних сонячних елементів із тильним контактом |
| title_full | Simulation and characterization of planar high-efficiency back contact silicon solar cells |
| title_fullStr | Simulation and characterization of planar high-efficiency back contact silicon solar cells |
| title_full_unstemmed | Simulation and characterization of planar high-efficiency back contact silicon solar cells |
| title_short | Simulation and characterization of planar high-efficiency back contact silicon solar cells |
| title_sort | simulation and characterization of planar high-efficiency back contact silicon solar cells |
| topic | Optoelectronics and optoelectronic devices |
| topic_facet | Optoelectronics and optoelectronic devices |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216223 |
| work_keys_str_mv | AT sachenkoav simulationandcharacterizationofplanarhighefficiencybackcontactsiliconsolarcells AT kostylyovvp simulationandcharacterizationofplanarhighefficiencybackcontactsiliconsolarcells AT korkishkorm simulationandcharacterizationofplanarhighefficiencybackcontactsiliconsolarcells AT vlasiukvm simulationandcharacterizationofplanarhighefficiencybackcontactsiliconsolarcells AT sokolovskyiio simulationandcharacterizationofplanarhighefficiencybackcontactsiliconsolarcells AT dvernikovbf simulationandcharacterizationofplanarhighefficiencybackcontactsiliconsolarcells AT chernenkovv simulationandcharacterizationofplanarhighefficiencybackcontactsiliconsolarcells AT evstigneevma simulationandcharacterizationofplanarhighefficiencybackcontactsiliconsolarcells AT sachenkoav simulâcíâtaharakterizacíâplanarnihvisokoefektivnihsonâčnihelementívíztilʹnimkontaktom AT kostylyovvp simulâcíâtaharakterizacíâplanarnihvisokoefektivnihsonâčnihelementívíztilʹnimkontaktom AT korkishkorm simulâcíâtaharakterizacíâplanarnihvisokoefektivnihsonâčnihelementívíztilʹnimkontaktom AT vlasiukvm simulâcíâtaharakterizacíâplanarnihvisokoefektivnihsonâčnihelementívíztilʹnimkontaktom AT sokolovskyiio simulâcíâtaharakterizacíâplanarnihvisokoefektivnihsonâčnihelementívíztilʹnimkontaktom AT dvernikovbf simulâcíâtaharakterizacíâplanarnihvisokoefektivnihsonâčnihelementívíztilʹnimkontaktom AT chernenkovv simulâcíâtaharakterizacíâplanarnihvisokoefektivnihsonâčnihelementívíztilʹnimkontaktom AT evstigneevma simulâcíâtaharakterizacíâplanarnihvisokoefektivnihsonâčnihelementívíztilʹnimkontaktom |