Measuring an unknown voltage by using a single-electron transistor-based voltmeter
In engineering and science, high operating speed, low power consumption, and high integration density equipment are financially indispensable. A single-electron device (SED) is one such piece of equipment. SEDs are capable of controlling the transport of only one electron through the tunneling trans...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автор: | Biswas, A.K. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216228 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Measuring an unknown voltage by using a single-electron transistor-based voltmeter / A.K. Biswas // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 3. — С. 277-287. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Manifestation of the channeling effect when manufacturing JFET transistors
за авторством: Verbitskiy, V.G., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Verbitskiy, V.G., та інші
Опубліковано: (2020)
Fidelity of noisy multiple-control reversible gates
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2020)
Energy processes in combined power supplies with linear capacitors and supercapacitors
за авторством: Biletskyi, O.O., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Biletskyi, O.O., та інші
Опубліковано: (2019)
The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties
за авторством: Rudenko, T.E., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Rudenko, T.E., та інші
Опубліковано: (2020)
Photocurrent generation in single electron tunneling transistors
за авторством: Tageman, O.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Tageman, O.
Опубліковано: (1999)
LOW VOLTAGE NETWORKS INSULATION MONITORING WITH TWO AND THREE VOLTMETER READOUTS METHODS
за авторством: Olszowiec, P.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Olszowiec, P.
Опубліковано: (2016)
Error detection and debugging on information in communication system using single electron circuit based binary decision diagram
за авторством: Biswas, A.K., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Biswas, A.K., та інші
Опубліковано: (2003)
Alpha-, beta-, gamma-radiometric measurements using semiconductor detectors
за авторством: Grigoryev, A.N., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Grigoryev, A.N., та інші
Опубліковано: (2014)
An arithmetic logic unit of a computer based on single electron transport system
за авторством: Biswas, A.K., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Biswas, A.K., та інші
Опубліковано: (2003)
Smart shield panel AC voltmeter cell
за авторством: B. A. Kromplias, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: B. A. Kromplias, та інші
Опубліковано: (2021)
A measuring complex for control the uniformity of the light output of scintillators
за авторством: Tretyak, S.O., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tretyak, S.O., та інші
Опубліковано: (2018)
Light collection simulation when determining light yield of single crystal and polycrystalline organic scintillators
за авторством: Gorbacheva, T.E., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Gorbacheva, T.E., та інші
Опубліковано: (2015)
Numerical simulation of a perovskite solar cell with different materials as the electron transport layer using SCAPS-1D software
за авторством: Bhavsar, K., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Bhavsar, K., та інші
Опубліковано: (2021)
Measurement of Nonsinusoidal Factor for Single-Phase Voltage using of Symmetric Components Filters
за авторством: D. K. Makov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: D. K. Makov, та інші
Опубліковано: (2016)
Piezo-mechanical impedance of a nanosized CdS single crystal
за авторством: Bogoslovskaya, A.B., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bogoslovskaya, A.B., та інші
Опубліковано: (2019)
Realization of 3D reflectors by using metal-air and semiconductor-air based photonic structures at three communication windows
за авторством: Mohanty, S.P., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Mohanty, S.P., та інші
Опубліковано: (2021)
Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Current-voltage characteristics of the injection photodetector based on M(In)-CdS-Si-M(In) structure
за авторством: Sapaev, I.B., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sapaev, I.B., та інші
Опубліковано: (2019)
Anomalous zero-temperature magnetopolaronic blockade of resonant electron tunneling in Majorana-resonant-level single-electron transistor
за авторством: Skorobagatko, G.A.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Skorobagatko, G.A.
Опубліковано: (2018)
Research of the ECAL calorimeter used in the COMET experiment
за авторством: Kalinnikov, V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kalinnikov, V., та інші
Опубліковано: (2015)
Scintillation panels based on zinc selenide and oxide scintillators
за авторством: Litichevskyi, V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Litichevskyi, V., та інші
Опубліковано: (2011)
Schottky diodes based on the zinc selenide semiconductor crystals
за авторством: Voronkin, E.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Voronkin, E.
Опубліковано: (2013)
Resolving power of scintillation panels based on zinc selenide
за авторством: Litichevskyi, V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Litichevskyi, V., та інші
Опубліковано: (2012)
Position-sensitive detector based on plastic scintillator for muon tomography
за авторством: Ivanov, A.I., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ivanov, A.I., та інші
Опубліковано: (2015)
Luminescent temperature sensor based on [Ru(bpy)₃]²⁺ incorporated into chitosan
за авторством: Tsvirko, M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Tsvirko, M., та інші
Опубліковано: (2013)
A liquid crystal-based sensitive element for optical sensors of cholesterol
за авторством: Vistak, M.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vistak, M.V., та інші
Опубліковано: (2017)
The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)
Digital X-ray imaging using matrix detectors and composite screens
за авторством: Voronkin, E.F.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Voronkin, E.F.
Опубліковано: (2014)
A new stress-based multiaxial high-cycle fatigue damage criterion
за авторством: Xin Li, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Xin Li, та інші
Опубліковано: (2018)
Composite scintillation panels and elements based on fine-grained granules of crushed crystals
за авторством: Litichevskyi, V.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Litichevskyi, V.
Опубліковано: (2013)
Research of long GSO and LYSO crystals used in the calorimeter developed for the COMET experiment
за авторством: Kalinnikov, V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kalinnikov, V., та інші
Опубліковано: (2015)
Calibrator of radioactive preparation doses for nuclear medicine based on CsI(Tl) crystals
за авторством: Borodenko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Borodenko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2011)
AN ANTHOLOGY OF THE DISTINGUISHED ACHIEVEMENTS IN SCIENCE AND TECHNIQUE. PART 42: ELECTRONICS: RETROSPECTIVE VIEW, SUCCESSES AND PROSPECTS OF ITS DEVELOPMENT
за авторством: Baranov, M. I.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Baranov, M. I.
Опубліковано: (2018)
Increasing the sensitivity of X-ray fluorescent scheme with secondary radiator using the initial spectrum filtration
за авторством: Mikhailov, I.F., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Mikhailov, I.F., та інші
Опубліковано: (2012)
New phoswich detector based on LFS and p-terphenyl scintillators coupled to micro pixel avalanche photodiode
за авторством: Ahmadov, F., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ahmadov, F., та інші
Опубліковано: (2017)
USING MOSFET-TRANSISTORS IN SOLAR PANELS
за авторством: Bondarenko, D.
Опубліковано: (2022)
за авторством: Bondarenko, D.
Опубліковано: (2022)
Physico-mathematical model for determining the direction in space to point sources of gamma radiation using spherical absorber
за авторством: Grigoryev, A.N., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Grigoryev, A.N., та інші
Опубліковано: (2018)
Deposition of TiN-based coatings using vacuum arc plasma in increased negative substrate bias voltage
за авторством: Kuprin, A.S., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Kuprin, A.S., та інші
Опубліковано: (2019)
Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)
Features of measurement and effective reducing of conductive noise caused by transistor converters
за авторством: V. K. Hurin, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. K. Hurin, та інші
Опубліковано: (2020)
Схожі ресурси
-
Manifestation of the channeling effect when manufacturing JFET transistors
за авторством: Verbitskiy, V.G., та інші
Опубліковано: (2020) -
Fidelity of noisy multiple-control reversible gates
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2020) -
Energy processes in combined power supplies with linear capacitors and supercapacitors
за авторством: Biletskyi, O.O., та інші
Опубліковано: (2019) -
The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties
за авторством: Rudenko, T.E., та інші
Опубліковано: (2020) -
Photocurrent generation in single electron tunneling transistors
за авторством: Tageman, O.
Опубліковано: (1999)