Growth-sector dependence of morphological, structural, and optical features in boron-doped HPHT diamond crystals

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2021
• Автори: Strelchuk, V.V., Nikolenko, A.S., Lytvyn, P.M., Ivakhnenko, S.O., Kovalenko, T.V., Danylenko, I.M., Malyuta, S.V.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2021
• Теми: Semiconductor physics
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216230
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Growth-sector dependence of morphological, structural, and optical features in boron-doped HPHT diamond crystals / V.V. Strelchuk, A.S. Nikolenko, P.M. Lytvyn, S.O. Ivakhnenko, T.V. Kovalenko, I.M. Danylenko, S.V. Malyuta // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 3. — С. 261-271. — Бібліогр.: 29 назв. — англ.

Semiconducting boron-doped diamond single crystals of cubo-octahedral habit with prevalent development of octahedron {111} faces, and insignificant area of cube {001}, rhombo-dodecahedron {110}, and tetragon-trioctahedron {311} faces were obtained using solution-melt crystallization at high pressure...