Non-recombination injection mode

• Veröffentlicht in: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Datum: 2021
• ISSN: 1560-8034
• Hauptverfasser: Leyderman, A.Yu., Ayukhanov, R.A., Turmanova, R.M., Uteniyazov, A.K., Esenbaeva, E.S.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2021
• Schlagworte: Semiconductor physics
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216232
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Non-recombination injection mode / A.Yu. Leyderman, R.A. Ayukhanov, R.M. Turmanova, A.K. Uteniyazov, E.S. Esenbaeva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 3. — С. 248-254. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

A new type of injection regime is considered – a non-recombination one, which can be realized in the forward direction of the current in structures of the --⁺ type under conditions of opposite directions of ambipolar diffusion and drift of non-equilibrium carriers. This is possible only if the accumulation at the -⁺ junction is stronger than the injection through the - junction, i.e., the concentration of carriers at the boundary of the -base with the -⁺ junction is higher than their concentration at the boundary of the n-base with the p-n junction. In this mode, the dependences of the current on the voltage of the type J ~ V, and then J ~ V² appear. Experimentally, such a behavior of the current-voltage characteristic is observed for the Al–Al₂O₃–CdTe structure. Розглянуто новий тип інжекційного режиму – нерекомбінаційний, який може бути реалізований у прямому напрямку струму в структурах --⁺ типу в умовах протилежних напрямків амбіполярної дифузії та дрейфу нерівноважних носіїв. Це можливо лише в тому випадку, якщо накопичення на -⁺ переході сильніше, ніж інжекція крізь - перехід, тобто концентрація носіїв на межі -база – -⁺ перехід перевищує їх концентрацію на межі -база – - перехід. У цьому режимі з’являються залежності величини струму від напруги типу J ~ V, а потім J ~ V². Експериментально така поведінка вольт-амперної характеристики спостерігається для структури Al–Al₂O₃–CdTe.