Non-recombination injection mode
A new type of injection regime is considered – a non-recombination one, which can be realized in the forward direction of the current in structures of the --⁺ type under conditions of opposite directions of ambipolar diffusion and drift of non-equilibrium carriers. This is possible only if the accum...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216232 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Non-recombination injection mode / A.Yu. Leyderman, R.A. Ayukhanov, R.M. Turmanova, A.K. Uteniyazov, E.S. Esenbaeva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 3. — С. 248-254. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862591531888672768 |
|---|---|
| author | Leyderman, A.Yu. Ayukhanov, R.A. Turmanova, R.M. Uteniyazov, A.K. Esenbaeva, E.S. |
| author_facet | Leyderman, A.Yu. Ayukhanov, R.A. Turmanova, R.M. Uteniyazov, A.K. Esenbaeva, E.S. |
| citation_txt | Non-recombination injection mode / A.Yu. Leyderman, R.A. Ayukhanov, R.M. Turmanova, A.K. Uteniyazov, E.S. Esenbaeva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 3. — С. 248-254. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | A new type of injection regime is considered – a non-recombination one, which can be realized in the forward direction of the current in structures of the --⁺ type under conditions of opposite directions of ambipolar diffusion and drift of non-equilibrium carriers. This is possible only if the accumulation at the -⁺ junction is stronger than the injection through the - junction, i.e., the concentration of carriers at the boundary of the -base with the -⁺ junction is higher than their concentration at the boundary of the n-base with the p-n junction. In this mode, the dependences of the current on the voltage of the type J ~ V, and then J ~ V² appear. Experimentally, such a behavior of the current-voltage characteristic is observed for the Al–Al₂O₃–CdTe structure.
Розглянуто новий тип інжекційного режиму – нерекомбінаційний, який може бути реалізований у прямому напрямку струму в структурах --⁺ типу в умовах протилежних напрямків амбіполярної дифузії та дрейфу нерівноважних носіїв. Це можливо лише в тому випадку, якщо накопичення на -⁺ переході сильніше, ніж інжекція крізь - перехід, тобто концентрація носіїв на межі -база – -⁺ перехід перевищує їх концентрацію на межі -база – - перехід. У цьому режимі з’являються залежності величини струму від напруги типу J ~ V, а потім J ~ V². Експериментально така поведінка вольт-амперної характеристики спостерігається для структури Al–Al₂O₃–CdTe.
|
| first_indexed | 2026-04-16T02:15:05Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-216232 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-16T02:15:05Z |
| publishDate | 2021 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Leyderman, A.Yu. Ayukhanov, R.A. Turmanova, R.M. Uteniyazov, A.K. Esenbaeva, E.S. 2026-04-10T07:19:05Z 2021 Non-recombination injection mode / A.Yu. Leyderman, R.A. Ayukhanov, R.M. Turmanova, A.K. Uteniyazov, E.S. Esenbaeva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 3. — С. 248-254. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 72.10.-d, 73.61.Ga, 73.40.Sx https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216232 https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.248 A new type of injection regime is considered – a non-recombination one, which can be realized in the forward direction of the current in structures of the --⁺ type under conditions of opposite directions of ambipolar diffusion and drift of non-equilibrium carriers. This is possible only if the accumulation at the -⁺ junction is stronger than the injection through the - junction, i.e., the concentration of carriers at the boundary of the -base with the -⁺ junction is higher than their concentration at the boundary of the n-base with the p-n junction. In this mode, the dependences of the current on the voltage of the type J ~ V, and then J ~ V² appear. Experimentally, such a behavior of the current-voltage characteristic is observed for the Al–Al₂O₃–CdTe structure. Розглянуто новий тип інжекційного режиму – нерекомбінаційний, який може бути реалізований у прямому напрямку струму в структурах --⁺ типу в умовах протилежних напрямків амбіполярної дифузії та дрейфу нерівноважних носіїв. Це можливо лише в тому випадку, якщо накопичення на -⁺ переході сильніше, ніж інжекція крізь - перехід, тобто концентрація носіїв на межі -база – -⁺ перехід перевищує їх концентрацію на межі -база – - перехід. У цьому режимі з’являються залежності величини струму від напруги типу J ~ V, а потім J ~ V². Експериментально така поведінка вольт-амперної характеристики спостерігається для структури Al–Al₂O₃–CdTe. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Semiconductor physics Non-recombination injection mode Режим нерекомбінаційної інжекції Article published earlier |
| spellingShingle | Non-recombination injection mode Leyderman, A.Yu. Ayukhanov, R.A. Turmanova, R.M. Uteniyazov, A.K. Esenbaeva, E.S. Semiconductor physics |
| title | Non-recombination injection mode |
| title_alt | Режим нерекомбінаційної інжекції |
| title_full | Non-recombination injection mode |
| title_fullStr | Non-recombination injection mode |
| title_full_unstemmed | Non-recombination injection mode |
| title_short | Non-recombination injection mode |
| title_sort | non-recombination injection mode |
| topic | Semiconductor physics |
| topic_facet | Semiconductor physics |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216232 |
| work_keys_str_mv | AT leydermanayu nonrecombinationinjectionmode AT ayukhanovra nonrecombinationinjectionmode AT turmanovarm nonrecombinationinjectionmode AT uteniyazovak nonrecombinationinjectionmode AT esenbaevaes nonrecombinationinjectionmode AT leydermanayu režimnerekombínacíinoíínžekcíí AT ayukhanovra režimnerekombínacíinoíínžekcíí AT turmanovarm režimnerekombínacíinoíínžekcíí AT uteniyazovak režimnerekombínacíinoíínžekcíí AT esenbaevaes režimnerekombínacíinoíínžekcíí |