Exploring the characteristics of SnO₂ nanoparticles doped organic blend for low-cost nanoelectronics applications
The PVA/PVP/SnO₂ nanostructure films were fabricated using the casting technique. The structure, dielectric, and optical characteristics of PVA/PVP/SnO₂ nanostructures were studied for pressure sensors. Results of studying the dielectric characteristics showed that the dielectric constant, dielectri...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2021 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216287 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Exploring the characteristics of SnO₂ nanoparticles doped organic blend for low-cost nanoelectronics applications / A.J.K. Algidsawi, A. Hashim, A. Hadi, M.A. Habeeb // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 472-477. — Бібліогр.: 31 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862567936311427072 |
|---|---|
| author | Algidsawi, A.J.K. Hashim, A. Hadi, A. Habeeb, M.A. |
| author_facet | Algidsawi, A.J.K. Hashim, A. Hadi, A. Habeeb, M.A. |
| citation_txt | Exploring the characteristics of SnO₂ nanoparticles doped organic blend for low-cost nanoelectronics applications / A.J.K. Algidsawi, A. Hashim, A. Hadi, M.A. Habeeb // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 472-477. — Бібліогр.: 31 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | The PVA/PVP/SnO₂ nanostructure films were fabricated using the casting technique. The structure, dielectric, and optical characteristics of PVA/PVP/SnO₂ nanostructures were studied for pressure sensors. Results of studying the dielectric characteristics showed that the dielectric constant, dielectric losses, and electrical conductivity of the blend are enhanced with the rise of SnO₂ nanoparticles (NPs) content. The dielectric constant and dielectric losses are reduced, while the conductivity rises with the increase in frequency. The dielectric constant increases from 2.53 to 7.41, and dielectric losses rise from 0.5 to 2, while the conductivity increases from 2.82·10⁻¹¹ S/cm up to 1.11·10⁻¹⁰ S/cm. The results of measuring the optical characteristics have indicated that the absorbance rises with increasing SnO₂ NPs content. The energy gap of the blend has been reduced from 4.9 to 4.65 eV with the rise in SnO₂ NPs content. The optical constants have been improved with the rise in SnO₂ NPs content. Results of studying the pressure sensors have shown that their capacitance grows with the pressure increase.
Плівкові наноструктури PVA/PVP/SnO₂ виготовляли методом лиття. Досліджено структуру, діелектричні та оптичні характеристики наноструктур PVA/PVP/SnO₂ для датчиків тиску. Результати дослідження діелектричних характеристик показали, що діелектрична проникність, діелектричні втрати та електропровідність суміші підвищуються зі збільшенням вмісту наночастинок SnO₂. Діелектрична проникність і діелектричні втрати зменшуються, у той час як провідність зростає зі збільшенням частоти. Діелектрична проникність збільшується з 2,53 до 7,41, а діелектричні втрати зростають з 0,5 до 2, тоді як провідність зростає з 2,82·10⁻¹¹ до 1,11·10⁻¹⁰ С/см. Результати дослідження оптичних характеристик показали, що поглинання зростає зі збільшенням вмісту наночастинок SnO₂. Ширина забороненої зони суміші зменшується з 4,9 до 4,65 еВ зі збільшенням вмісту наночастинок SnO₂. Оптичні константи покращуються зі збільшенням вмісту наночастинок SnO₂. Результати досліджень датчика тиску показали, що ємність зростає зі збільшенням тиску.
|
| first_indexed | 2026-04-15T20:00:03Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-216287 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-15T20:00:03Z |
| publishDate | 2021 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Algidsawi, A.J.K. Hashim, A. Hadi, A. Habeeb, M.A. 2026-04-13T09:00:40Z 2021 Exploring the characteristics of SnO₂ nanoparticles doped organic blend for low-cost nanoelectronics applications / A.J.K. Algidsawi, A. Hashim, A. Hadi, M.A. Habeeb // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 472-477. — Бібліогр.: 31 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 07.07.Df, 78.67.Bf, 81.07.-b https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216287 https://doi.org/10.15407/spqeo24.04.472 The PVA/PVP/SnO₂ nanostructure films were fabricated using the casting technique. The structure, dielectric, and optical characteristics of PVA/PVP/SnO₂ nanostructures were studied for pressure sensors. Results of studying the dielectric characteristics showed that the dielectric constant, dielectric losses, and electrical conductivity of the blend are enhanced with the rise of SnO₂ nanoparticles (NPs) content. The dielectric constant and dielectric losses are reduced, while the conductivity rises with the increase in frequency. The dielectric constant increases from 2.53 to 7.41, and dielectric losses rise from 0.5 to 2, while the conductivity increases from 2.82·10⁻¹¹ S/cm up to 1.11·10⁻¹⁰ S/cm. The results of measuring the optical characteristics have indicated that the absorbance rises with increasing SnO₂ NPs content. The energy gap of the blend has been reduced from 4.9 to 4.65 eV with the rise in SnO₂ NPs content. The optical constants have been improved with the rise in SnO₂ NPs content. Results of studying the pressure sensors have shown that their capacitance grows with the pressure increase. Плівкові наноструктури PVA/PVP/SnO₂ виготовляли методом лиття. Досліджено структуру, діелектричні та оптичні характеристики наноструктур PVA/PVP/SnO₂ для датчиків тиску. Результати дослідження діелектричних характеристик показали, що діелектрична проникність, діелектричні втрати та електропровідність суміші підвищуються зі збільшенням вмісту наночастинок SnO₂. Діелектрична проникність і діелектричні втрати зменшуються, у той час як провідність зростає зі збільшенням частоти. Діелектрична проникність збільшується з 2,53 до 7,41, а діелектричні втрати зростають з 0,5 до 2, тоді як провідність зростає з 2,82·10⁻¹¹ до 1,11·10⁻¹⁰ С/см. Результати дослідження оптичних характеристик показали, що поглинання зростає зі збільшенням вмісту наночастинок SnO₂. Ширина забороненої зони суміші зменшується з 4,9 до 4,65 еВ зі збільшенням вмісту наночастинок SnO₂. Оптичні константи покращуються зі збільшенням вмісту наночастинок SnO₂. Результати досліджень датчика тиску показали, що ємність зростає зі збільшенням тиску. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Optoelectronics and optoelectronic devices Exploring the characteristics of SnO₂ nanoparticles doped organic blend for low-cost nanoelectronics applications Дослідження характеристик органічної суміші, легованої наночастинками SnO₂, для недорогих застосувань у наноелектроніці Article published earlier |
| spellingShingle | Exploring the characteristics of SnO₂ nanoparticles doped organic blend for low-cost nanoelectronics applications Algidsawi, A.J.K. Hashim, A. Hadi, A. Habeeb, M.A. Optoelectronics and optoelectronic devices |
| title | Exploring the characteristics of SnO₂ nanoparticles doped organic blend for low-cost nanoelectronics applications |
| title_alt | Дослідження характеристик органічної суміші, легованої наночастинками SnO₂, для недорогих застосувань у наноелектроніці |
| title_full | Exploring the characteristics of SnO₂ nanoparticles doped organic blend for low-cost nanoelectronics applications |
| title_fullStr | Exploring the characteristics of SnO₂ nanoparticles doped organic blend for low-cost nanoelectronics applications |
| title_full_unstemmed | Exploring the characteristics of SnO₂ nanoparticles doped organic blend for low-cost nanoelectronics applications |
| title_short | Exploring the characteristics of SnO₂ nanoparticles doped organic blend for low-cost nanoelectronics applications |
| title_sort | exploring the characteristics of sno₂ nanoparticles doped organic blend for low-cost nanoelectronics applications |
| topic | Optoelectronics and optoelectronic devices |
| topic_facet | Optoelectronics and optoelectronic devices |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216287 |
| work_keys_str_mv | AT algidsawiajk exploringthecharacteristicsofsno2nanoparticlesdopedorganicblendforlowcostnanoelectronicsapplications AT hashima exploringthecharacteristicsofsno2nanoparticlesdopedorganicblendforlowcostnanoelectronicsapplications AT hadia exploringthecharacteristicsofsno2nanoparticlesdopedorganicblendforlowcostnanoelectronicsapplications AT habeebma exploringthecharacteristicsofsno2nanoparticlesdopedorganicblendforlowcostnanoelectronicsapplications AT algidsawiajk doslídžennâharakteristikorganíčnoísumíšílegovanoínanočastinkamisno2dlânedorogihzastosuvanʹunanoelektronící AT hashima doslídžennâharakteristikorganíčnoísumíšílegovanoínanočastinkamisno2dlânedorogihzastosuvanʹunanoelektronící AT hadia doslídžennâharakteristikorganíčnoísumíšílegovanoínanočastinkamisno2dlânedorogihzastosuvanʹunanoelektronící AT habeebma doslídžennâharakteristikorganíčnoísumíšílegovanoínanočastinkamisno2dlânedorogihzastosuvanʹunanoelektronící |