Dark current and 1/f noise in forward-biased InAs photodiodes
Dark current and low-frequency noise have been studied in forward-biased InAs photodiodes within the temperature range 77… 290 K. Photodiodes were fabricated by diffusion of Cd into n-InAs single crystal substrates. It has been shown that, at temperatures >130 K, the forward current is defined by...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216288 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Dark current and 1/f noise in forward-biased InAs photodiodes / V.V. Tetyorkin, A.V. Sukach, A.I. Tkachuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 466-471. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |