Зображення обкладинки

Dark current and 1/f noise in forward-biased InAs photodiodes

Dark current and low-frequency noise have been studied in forward-biased InAs photodiodes within the temperature range 77… 290 K. Photodiodes were fabricated by diffusion of Cd into n-InAs single crystal substrates. It has been shown that, at temperatures >130 K, the forward current is defined by...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2021
Автори:	Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Tkachuk, A.I.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2021
Теми:	Optoelectronics and optoelectronic devices
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216288
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Dark current and 1/f noise in forward-biased InAs photodiodes / V.V. Tetyorkin, A.V. Sukach, A.I. Tkachuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 466-471. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Suitable factorization of the total intersubband scattering rates for efficient calculation of the current densities and gain characteristics in quantum cascade lasers
за авторством: Kurlov, S.S., та інші
Опубліковано: (2018)

Photoconverter with luminescent concentrator. Matrix material
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2019)

Software controlling the LED bar graph displays
за авторством: Bushma, A.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of spectral characteristics inherent to cameras on color rendering in multimedia images
за авторством: Pyliavskyi, V.V.
Опубліковано: (2021)

Investigation of Ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype
за авторством: Fedorenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Be-ion-implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication, and characterization
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)

New material based on polyurethane doped with azobenzene dyes in recording media for dynamic polarization holography
за авторством: Davidenko, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)

THz linear array scanner in application to the real-time imaging and convolutional neural network recognition
за авторством: Golenkov, A.G., та інші
Опубліковано: (2021)

Use of the infrared thermography method to develop discharging rules for lithium polymer batteries
за авторством: Larin, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)

Optimization of the cooling system design for a compact high-power LED luminaire
за авторством: Pekur, D.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Light characteristics of high-power LED luminaire with a cooling system based on heat pipe
за авторством: Nikolaenko, Yu.E., та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

Application of the surface plasmon resonance phenomenon for early detection and determination of the drug concentration for treating the relapses of malignant tumors
за авторством: Gridina, N.Ya., та інші
Опубліковано: (2020)

Luminescence of crystals ZnSe 〈Al〉:Gd
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2018)

Photodetector device for fiber-optical telecommunication systems
за авторством: Andreyeva, N.O., та інші
Опубліковано: (2019)

Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)

On the importance of interface interactions in core-shell nanocomposites of intrinsically conducting polymers
за авторством: Pud, A.A., та інші
Опубліковано: (2019)

Designing and manufacturing aspherical polystyrene lenses for the terahertz region
за авторством: Shevchik-Shekera, A., та інші
Опубліковано: (2018)

Spectral control of power diode lasers with enhanced output by an external cavity based on a volume holographic grating
за авторством: Bashchenko, S.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field
за авторством: Tsybrii, Z.F., та інші
Опубліковано: (2021)

Harvesting of the infrared energy: Direct collection, up-conversion, and storage
за авторством: Dimitriev, O.P.
Опубліковано: (2019)

Influence of the experimental parameters of the optical fiber in the Quantum Key Distribution, the protocol BB84
за авторством: Bouchoucha, L., та інші
Опубліковано: (2018)

Smart energy systems
за авторством: Tsukasa Yoshida, та інші
Опубліковано: (2019)

Piezo-mechanical impedance of a nanosized CdS single crystal
за авторством: Bogoslovskaya, A.B., та інші
Опубліковано: (2019)

Exploring the characteristics of SnO₂ nanoparticles doped organic blend for low-cost nanoelectronics applications
за авторством: Algidsawi, A.J.K., та інші
Опубліковано: (2021)

Numerical simulation of a perovskite solar cell with different materials as the electron transport layer using SCAPS-1D software
за авторством: Bhavsar, K., та інші
Опубліковано: (2021)

Brief history of THz and IR technologies
за авторством: Sizov, F.F.
Опубліковано: (2019)

Luminescent analysis of the quality of CdS nanocrystals depending on technological parameters
за авторством: Bogoslovskaya, A.B., та інші
Опубліковано: (2019)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2020)

InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)

InAs photodiodes (Review. Part IV)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2018)

The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)

1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p⁺-n junctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

New phoswich detector based on LFS and p-terphenyl scintillators coupled to micro pixel avalanche photodiode
за авторством: Ahmadov, F., та інші
Опубліковано: (2017)

Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current
за авторством: Moradi, M., та інші
Опубліковано: (2010)

S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2018)