Features of thermal radiation of one-dimensional photonic structures on an absorbing substrate

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2021
• Автори: Maslov, V.P., Morozhenko, V.O., Kachur, N.V.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2021
• Теми: Optics
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216291
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Features of thermal radiation of one-dimensional photonic structures on an absorbing substrate / V.P. Maslov, V.O. Morozhenko, N.V. Kachur // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 444-449. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

The dependence of the thermal radiation (TR) lines contrast, and amplitude of the systems (photonic structure)/substrate on the optical characteristics of both the photonic structure and the substrate has been investigated theoretically and experimentally. As it has been ascertained, these dependences demonstrate non-monotonic behavior, and the characteristics of the system TR can both increase and decrease depending on the ratio of individual optical parameters of the system components. The results of theoretical research were confirmed by experimental studies of TR systems Ge/GaAs, Ge/GaAs/Al, GaAs/Au, and GaAs/(opaque substrate). The results of the research can be used in the development of narrow-band emitters for the middle and far IR range, which can be applied in optical infrared devices for a wide range of applications. У роботі теоретично та експериментально досліджено залежності контрасту та амплітуди ліній теплового випромінювання (ТВ) системи (фотонна структура)/підкладка від оптичних характеристик фотонної структури та підкладки. З’ясовано, що ці залежності мають немонотонний вигляд, і характеристики ТВ-системи можуть як збільшуватися, так і зменшуватися у залежності від співвідношення окремих оптичних параметрів складових системи. Результати теоретичних досліджень були підтверджені експериментальними дослідженнями ТВ-систем Ge/GaAs, Ge/GaAs/Al, GaAs/Au та GaAs/(непрозора підкладка). Результати досліджень можуть знайти застосування при розробці вузькосмугових випромінювачів середнього та дальнього ІЧ-діапазону для оптичних інфрачервоних приладів широкого спектра застосувань.