Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode
In this article, the process of current flow in a nanowire radial p-i-n diode has been considered in detail. It has been shown that cylindrical geometry of the structure gives rise to specific asymmetry of the concentration distribution for current carriers injected into the i-layer, which is opposi...
Saved in:
| Published in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Date: | 2021 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216295 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode / V.L. Borblik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 419-424. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862715142821642240 |
|---|---|
| author | Borblik, V.L. |
| author_facet | Borblik, V.L. |
| citation_txt | Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode / V.L. Borblik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 419-424. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | In this article, the process of current flow in a nanowire radial p-i-n diode has been considered in detail. It has been shown that cylindrical geometry of the structure gives rise to specific asymmetry of the concentration distribution for current carriers injected into the i-layer, which is opposite to the asymmetry that is due to inequality of carriers’ mobilities. This specific asymmetry rises with bringing the i-layer nearer to the nanowire center. Together with that, a decrease of the current density in a “long” p-i-n diode and its increase in a “short” p-i-n diode take place (at a given forward voltage). And variation of radial thickness of the i-layer demonstrates maximums in the current density at the thickness close to the bipolar diffusion length.
У роботі детально розглянуто процес струмоперенесення у нанодротовому радіальному p-i-n-діоді. Показано, що циліндрична геометрія структури призводить до специфічної асиметрії розподілу концентрації інжектованих в i-й шар носіїв струму, яка обернена до тієї, що зумовлена нерівністю рухливостей носіїв. Ця специфічна асиметрія зростає з наближенням i-шару до центру нанодроту. При цьому відбувається зменшення густини струму в «довгому» p-i-n-діоді та її збільшення в «короткому» (при даній прямій напрузі). А зміна радіальної товщини i-шару демонструє максимуми в густині струму при товщині, близькій до довжини біполярної дифузії.
|
| first_indexed | 2026-04-17T10:59:50Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-216295 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-17T10:59:50Z |
| publishDate | 2021 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Borblik, V.L. 2026-04-13T09:12:41Z 2021 Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode / V.L. Borblik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 419-424. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 62.33.Hj, 73.03.-b, 85.30.Kk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216295 https://doi.org/10.15407/spqeo24.04.419 In this article, the process of current flow in a nanowire radial p-i-n diode has been considered in detail. It has been shown that cylindrical geometry of the structure gives rise to specific asymmetry of the concentration distribution for current carriers injected into the i-layer, which is opposite to the asymmetry that is due to inequality of carriers’ mobilities. This specific asymmetry rises with bringing the i-layer nearer to the nanowire center. Together with that, a decrease of the current density in a “long” p-i-n diode and its increase in a “short” p-i-n diode take place (at a given forward voltage). And variation of radial thickness of the i-layer demonstrates maximums in the current density at the thickness close to the bipolar diffusion length. У роботі детально розглянуто процес струмоперенесення у нанодротовому радіальному p-i-n-діоді. Показано, що циліндрична геометрія структури призводить до специфічної асиметрії розподілу концентрації інжектованих в i-й шар носіїв струму, яка обернена до тієї, що зумовлена нерівністю рухливостей носіїв. Ця специфічна асиметрія зростає з наближенням i-шару до центру нанодроту. При цьому відбувається зменшення густини струму в «довгому» p-i-n-діоді та її збільшення в «короткому» (при даній прямій напрузі). А зміна радіальної товщини i-шару демонструє максимуми в густині струму при товщині, близькій до довжини біполярної дифузії. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Hetero- and low-dimensional structures Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode Аналітична теорія вольт-амперної характеристики нанодротового радіального p-i-n діода Article published earlier |
| spellingShingle | Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode Borblik, V.L. Hetero- and low-dimensional structures |
| title | Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode |
| title_alt | Аналітична теорія вольт-амперної характеристики нанодротового радіального p-i-n діода |
| title_full | Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode |
| title_fullStr | Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode |
| title_full_unstemmed | Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode |
| title_short | Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode |
| title_sort | analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode |
| topic | Hetero- and low-dimensional structures |
| topic_facet | Hetero- and low-dimensional structures |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216295 |
| work_keys_str_mv | AT borblikvl analytictheoryforthecurrentvoltagecharacteristicofananowireradialpindiode AT borblikvl analítičnateoríâvolʹtampernoíharakteristikinanodrotovogoradíalʹnogopindíoda |