Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode
In this article, the process of current flow in a nanowire radial p-i-n diode has been considered in detail. It has been shown that cylindrical geometry of the structure gives rise to specific asymmetry of the concentration distribution for current carriers injected into the i-layer, which is opposi...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216295 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode / V.L. Borblik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 419-424. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |