Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2021
• Автори: Shashikala, B.N., Nagabhushana, B.S.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2021
• Теми: Semiconductor physics
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216298
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes / B.N. Shashikala, B.S. Nagabhushana // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 399-406. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.

This paper presents the fabrication procedure of a TiO₂ passivated field plate Schottky diode and gives a comparison of Ni/Au/-GaN Schottky barrier diodes without a field plate and with a field plate of varying diameters from 50 to 300 µm. The influence of field oxide (TiO₂) on the leakage current of Ni/Au/-GaN Schottky diode was investigated. This suggests that the TiO₂ passivated structure reduces the reverse leakage current of the Ni/Au/-GaN Schottky diode. Also, the reverse leakage current of Ni/Au/-GaN Schottky diodes decreases as the field plate length increases. The temperature-dependent electrical characteristics of TiO₂ passivated field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes have shown an increase of barrier height within the temperature range 300…475 K. Наведено процедуру виготовлення діода Шотткі з охоронним кільцем з пасивуючим шаром TiO₂, а також порівняно бар’єрні діоди Шотткі Ni/Au/-GaN без охоронного кільця та з ним різних діаметрів від 50 до 300 мкм. Досліджено вплив пасивуючого оксиду (TiO₂) на струм витоку у діоді Шотткі Ni/Au/-GaN. Це свідчить про те, що пасивуюча TiO₂ структура зменшує зворотний струм витоку у діоді Шотткі Ni/Au/-GaN. Також зворотний струм витоку у діодах Шотткі Ni/Au/n-GaN зменшується із збільшенням розмірів охоронного кільця. Температурно-залежні електричні характеристики діодів Шотткі Ni/Au/n-GaN з охоронним кільцем з пасивуючим шаром TiO₂ показали збільшення висоти бар’єра в діапазоні температур 300–475 K.