Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes
This paper presents the fabrication procedure of a TiO₂ passivated field plate Schottky diode and gives a comparison of Ni/Au/-GaN Schottky barrier diodes without a field plate and with a field plate of varying diameters from 50 to 300 µm. The influence of field oxide (TiO₂) on the leakage current o...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216298 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes / B.N. Shashikala, B.S. Nagabhushana // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 399-406. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862588458958061568 |
|---|---|
| author | Shashikala, B.N. Nagabhushana, B.S. |
| author_facet | Shashikala, B.N. Nagabhushana, B.S. |
| citation_txt | Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes / B.N. Shashikala, B.S. Nagabhushana // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 399-406. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | This paper presents the fabrication procedure of a TiO₂ passivated field plate Schottky diode and gives a comparison of Ni/Au/-GaN Schottky barrier diodes without a field plate and with a field plate of varying diameters from 50 to 300 µm. The influence of field oxide (TiO₂) on the leakage current of Ni/Au/-GaN Schottky diode was investigated. This suggests that the TiO₂ passivated structure reduces the reverse leakage current of the Ni/Au/-GaN Schottky diode. Also, the reverse leakage current of Ni/Au/-GaN Schottky diodes decreases as the field plate length increases. The temperature-dependent electrical characteristics of TiO₂ passivated field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes have shown an increase of barrier height within the temperature range 300…475 K.
Наведено процедуру виготовлення діода Шотткі з охоронним кільцем з пасивуючим шаром TiO₂, а також порівняно бар’єрні діоди Шотткі Ni/Au/-GaN без охоронного кільця та з ним різних діаметрів від 50 до 300 мкм. Досліджено вплив пасивуючого оксиду (TiO₂) на струм витоку у діоді Шотткі Ni/Au/-GaN. Це свідчить про те, що пасивуюча TiO₂ структура зменшує зворотний струм витоку у діоді Шотткі Ni/Au/-GaN. Також зворотний струм витоку у діодах Шотткі Ni/Au/n-GaN зменшується із збільшенням розмірів охоронного кільця. Температурно-залежні електричні характеристики діодів Шотткі Ni/Au/n-GaN з охоронним кільцем з пасивуючим шаром TiO₂ показали збільшення висоти бар’єра в діапазоні температур 300–475 K.
|
| first_indexed | 2026-04-16T01:26:15Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-216298 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-16T01:26:15Z |
| publishDate | 2021 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Shashikala, B.N. Nagabhushana, B.S. 2026-04-13T09:14:09Z 2021 Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes / B.N. Shashikala, B.S. Nagabhushana // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 399-406. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 85.30.Hi, 85.30.Kk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216298 https://doi.org/10.15407/spqeo24.04.399 This paper presents the fabrication procedure of a TiO₂ passivated field plate Schottky diode and gives a comparison of Ni/Au/-GaN Schottky barrier diodes without a field plate and with a field plate of varying diameters from 50 to 300 µm. The influence of field oxide (TiO₂) on the leakage current of Ni/Au/-GaN Schottky diode was investigated. This suggests that the TiO₂ passivated structure reduces the reverse leakage current of the Ni/Au/-GaN Schottky diode. Also, the reverse leakage current of Ni/Au/-GaN Schottky diodes decreases as the field plate length increases. The temperature-dependent electrical characteristics of TiO₂ passivated field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes have shown an increase of barrier height within the temperature range 300…475 K. Наведено процедуру виготовлення діода Шотткі з охоронним кільцем з пасивуючим шаром TiO₂, а також порівняно бар’єрні діоди Шотткі Ni/Au/-GaN без охоронного кільця та з ним різних діаметрів від 50 до 300 мкм. Досліджено вплив пасивуючого оксиду (TiO₂) на струм витоку у діоді Шотткі Ni/Au/-GaN. Це свідчить про те, що пасивуюча TiO₂ структура зменшує зворотний струм витоку у діоді Шотткі Ni/Au/-GaN. Також зворотний струм витоку у діодах Шотткі Ni/Au/n-GaN зменшується із збільшенням розмірів охоронного кільця. Температурно-залежні електричні характеристики діодів Шотткі Ni/Au/n-GaN з охоронним кільцем з пасивуючим шаром TiO₂ показали збільшення висоти бар’єра в діапазоні температур 300–475 K. The authors would like to thank the staff members of the Indian Nanoelectronics Users Program for their support during the fabrication process. The experiments in this paper were carried out at the Indian Institute of Technology, Bombay, under the Indian Nanoelectronics Users Program. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Semiconductor physics Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes Зменшення зворотного струму витоку на межі TiO₂/GaN у Ni/Au/-GaN діодах Шоттки з пасивуючим шаром TiO₂ Article published earlier |
| spellingShingle | Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes Shashikala, B.N. Nagabhushana, B.S. Semiconductor physics |
| title | Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes |
| title_alt | Зменшення зворотного струму витоку на межі TiO₂/GaN у Ni/Au/-GaN діодах Шоттки з пасивуючим шаром TiO₂ |
| title_full | Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes |
| title_fullStr | Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes |
| title_full_unstemmed | Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes |
| title_short | Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes |
| title_sort | reduction of reverse leakage current at the tio₂/gan interface in field plate ni/au/-gan schottky diodes |
| topic | Semiconductor physics |
| topic_facet | Semiconductor physics |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216298 |
| work_keys_str_mv | AT shashikalabn reductionofreverseleakagecurrentatthetio2ganinterfaceinfieldplateniauganschottkydiodes AT nagabhushanabs reductionofreverseleakagecurrentatthetio2ganinterfaceinfieldplateniauganschottkydiodes AT shashikalabn zmenšennâzvorotnogostrumuvitokunamežítio2ganuniaugandíodahšottkizpasivuûčimšaromtio2 AT nagabhushanabs zmenšennâzvorotnogostrumuvitokunamežítio2ganuniaugandíodahšottkizpasivuûčimšaromtio2 |