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Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes

This paper presents the fabrication procedure of a TiO₂ passivated field plate Schottky diode and gives a comparison of Ni/Au/-GaN Schottky barrier diodes without a field plate and with a field plate of varying diameters from 50 to 300 µm. The influence of field oxide (TiO₂) on the leakage current o...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2021
Hauptverfasser:	Shashikala, B.N., Nagabhushana, B.S.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2021
Schlagworte:	Semiconductor physics
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216298
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes / B.N. Shashikala, B.S. Nagabhushana // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 399-406. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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