Управление излучением светодиода магнитным полем
We detected the magnetic field influence on emission intensity of
 LED. In transverse magnetic field the area of radiative recombination is displaced to
 small-gap region of base of variband LED. It lead to a shifting of LED”s emission
 spectrum to a low-energy range. In magn...
Saved in:
| Published in: | Моделювання та інформаційні технології |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України
2010
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/21938 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Управление излучением светодиода магнитным полем / В.И. Ирха // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є.Пухова НАН України, 2010. — Вип. 57. — С. 180-184. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859990612347977728 |
|---|---|
| author | Ирха, В.И. |
| author_facet | Ирха, В.И. |
| citation_txt | Управление излучением светодиода магнитным полем / В.И. Ирха // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є.Пухова НАН України, 2010. — Вип. 57. — С. 180-184. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Моделювання та інформаційні технології |
| description | We detected the magnetic field influence on emission intensity of
LED. In transverse magnetic field the area of radiative recombination is displaced to
small-gap region of base of variband LED. It lead to a shifting of LED”s emission
spectrum to a low-energy range. In magnetic field the emission intensity decreases bеcause the injected charge carriers deviate to a surface, where the nonradiative
probability increases.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:31:41Z |
| format | Article |
| fulltext |
180 © �.�. ����
��
����
� ����������
� � �������
� �� ������
� ����������.
3. ������
� ���
������ ����� ����
���
����� ��������� ��
����
�������� �
�������� ��! �����
���� ������� "#"$.
1. ������ �. . "����� �� �
�������%
� ���
������ ��
���
����������������
��
��
������: "�
�������. – &���� : �����
����� '' ”��!� � (�”, 2008 – 192 �.
2. ������ �. . "���������� ������
��
� "#"$
� ������
��
���
� ������
��
� //
) ��
��
�
����� ����� *����
����� �������� ��
������� “(���’����
� ���
������
��
�������”, + 18, - &����, 2007., - $. 56 – 63.
3. ������ �. . )�����
��
� ����! '���� ��� ������
��
� "#"$
� ������
��
���
�
// ���
�� 4����
���
���
���������
«&�������� �������
���»: (���’����
� �������
������
��
�. ;����� � ��������. - &����, 2006. – + 564. – C. 45 - 53.
4. Teslyuk Vasyl, Tarik Al Omari, Hamza Alshavabkekh, Pavlo Denysyuk, Mykhaylo Melnyk
Computer-Aided Design of MEMS at System Level // Journal Machine Dynamics Problems. -
Poland, Warsaw University of Technology. - 2007., Vol. 31, No. 3 – P. 92 – 104.
5. ������ �. .,
������
.�., ����� ��� ���� ��� ��������, ����� ( ��’� ������) ���
��� ����� =���� �� ���������
�� ������% "#"$
� ��
��� ����! '���� ��� ������
���
���
� ������������
��� ������
��
� // "�������
� �� �
�������%
� ���
������. ) ��
��
�
����� ����� �
����
�
��� ��� ��������
� � �
�������� ��.>.?.'
���� 4@4
*����
�. – (���, 2008, ���
�� 46. – $.120 - 126.
6. Roman Zaharyuk, Serhiy Hrytsay, Vasyl Teslyuk, Ihor Farmaha, Andriy Kernytskyy
Development of the Model of Capacity Type Accelerometer on the Basis of Petri Nets // Proc. of
the X Intern. Conf. on The Experience of Designing and Application of CAD Systems in
Microelectronics (CADSM’2009). – Lviv – Polyana, Ukraine, 2009. – P. 519 – 520.
7. !. "�������. ;����� ��������� � ��
!���
��. ".: "�H�
������
��, 1979 - 432 �.
8. #�$��
., ����$ %. '��
K% �������
�� �� Java: '��.� �
��.:–(.:O���������, 1997.
9. &�'���� %.&., "�*$���� �.�., "�������� &.#. ;����� ��������� � ��
!���
�� /
*��
�� ���� �� ��� �
���. — ".: �K�H�� H����, 1982. — 256�.
10. +. -. ���$/���, !. �. ��'���� )����� �
���!
�
�� �� ������ ������
����%: *�� .
���� �� ��� ��
�. ��
���. — 5-� ���., ����. — ".: �����������% ��
�� «@�������», 2003.
— 448 �.
��$01��� 4.10.2010�.
*O( 621.315.592;621.382
�.�. ����, ��������� �4@$ ��. @.$.'�����, ������
�������
�
�����
�
������
���
��
� �
����
Annotation. We detected the magnetic field influence on emission intensity of
LED. In transverse magnetic field the area of radiative recombination is displaced to
small-gap region of base of variband LED. It lead to a shifting of LED”s emission
spectrum to a low-energy range. In magnetic field the emission intensity decreases be-
181
cause the injected charge carriers deviate to a surface, where the nonradiative
probability increases.
'����
�
�� ����R������
K� ������ � �������
�� ��� ��������
��
���
�� ���H���
�� �� ���������
��� �������
�, �����!�
�� ���H�%
�
���������
���� � K������%�����,
���!
���� R����
���. '��������,
���������Y�� � ��
���� ���
������
�% ����� �
���� � �����
�
��� @3�5,
H����� �������
��K� � ����R������
���, �
�����Y�� �����
��������
���H�� ����
�� [1]. ��� �
�� �
���
�� ��� R��� ���!
� ����� ��
��
��
����
�� ������
��� ���� �
�H
�� ����� ������
�Y�� ��������
� ��������
���
������
�% ����� �
����. '�� ���������
�� ���H�
���� ����R������
-
K� �������� � �������� �
���������
��� R����
�� ��!�� K�� �� � �����-
����, �� � ��������, �� � ���������
��. ��
��� ��� �������� �
��������
�� ��������
�����
K% �
����� ������������ ��H� ����������
�� � ��������
�
���������
��� R����
�� ����������. '�R���
��
��
�� ����
��
���
��
��� ���� �� ��������������� p-n-��������� ��������
���Y��
������ �������� ���
���
�% ������%, �����������
� ���������
�%.
� ��
�% �� ��� ������������� ��� ���� � ������ ��������
���Y��
������
� ��
��� ���
������
���� ��
��K @3�5. � ������ ���� � ��������
�����!�� ������������� GaAs,
� �����
� R����������
�
���Y������
���
���Y�% p-���% Ga1-� Al� As:Ge � �
!�����
�Y�% n-���% Ga1-y Aly As:Te,
��� � = 0,5 – 0,6 � 0 = 0,22 – 0,25. ;��Y�
K ���
���Y��� � �
!�����
�Y���
����� ���������� �����������
� 4,9 � 11,2 ���, ����
�� ��������� 500�500
���, �� ���% ��� -10 mA. ���
��
�� �K�������� ����� n-� �����, �����
��-
�
���
� ��������� p-n-���������. ����������
K� �������������� p-n-����-
����� ��������������� ��
�%
��
����������
��
�������
������
K�
�������% � ���� p-n-�������� � ������
��� ��
��
������ ������� 1021 ��-4.
$��
��
�K ����Y����� � ���
K% ����
� � ����������������� R������
�%
�����%. "������� ������
�% �����
� � �� ��� [2]. "��
��
�� ���� K��
�������
� �����
���
���
� ���!�
�� �
!��������
K� �� n-R�������
�������% ������.
'�� �����%����� ���
��
K� �����
� ���������
K� ���������
��
�K
����������
�����
K�� ����K� � � ���
K� ����������
K� ��������������,
����
K ���������
K� � �����������K� ������������� R����������
����
-
���. 4� ����
����� � ���
��
�� ���� ����!�
�� ������
�� � ���
H���
�
�����K ����
����
���. ^�� ������������
�� � ���
������ ����
�� ���
��-
��� ����
� ����
��� ���
������
�% ����� �
���� ���������
K� ���
��
�.
������
�� ���������� � ������
�������
�� �������� � �
!�����
R������
�� �� n-� ����� � p-� �����, ��� �
� ���
������
� ����� �
��
��.
'���Y�
�� ���������� � �������
�� ���
��
�� ���� �������� � ��������-
�� ���������� �
!��������
K�
�������%. *��� _,
� �����K% �
!����-
����
K�
������� �����
����� ��
�������
�� R������������� ���� ����-
�������� ���
tg_ = `�, (1)
182
��� ` – �����!
����
�������%; � – �
�
���� ���
��
��� ����.
���
�� _ = arctg`�. � ��������
�� ��
��� ���
� ���
���Y�% � �����
W = Lcos_ ���
W = Lcos(arctg`�), (2)
��� L – ���
� ����
���
��� ���Y�
��. O�� ���������
K� � �� ���
���
��
� ���
� ��K W K�� ��
�H� ���
K ����
���
��� ���Y�
��
�
!��������
K�
�������% ������ L. � R��� ��
��� ���
������
��
����� �
���� ���������� �� ���% ���, � �����
�������%, ��H��H�� ��
������
���� ��K, �� ������% �K������� ���
��
��, ����� �
��
��
��K��
������
�. "��
��
�� ���� ����K����� ���������� ���!�
��
�
!��������
K�
�������%, �����
�� �� �� ������
����, ���������� ����
�� �
�� ����� ���
���Y
� p-� �����
���
�����, ��� R�������
�
�
������
�� R�������
�% ���
K R��% � �����. $����������
�,
������������ ����� �
!��������
K� R������
��, ����� �
��
�Y�� �
���
���Y�% � �����, � ��
�H� R������
��
����� ����� ��
����. =��� L
�������� �
������
�� �
��
���
���� ���
��
�� � ������ ���
��
��� ����.
'�� ���
��
�% ��������
�� ��
�������
�� ����
�
�� ������
�K
���
��
�� ��������
���Y��� ����� (����) � ����������� �� ������
K
�������
��� ���
��
��� ���� ���������� ����� 40% (�
�
���� 0,4 ;�) ��
����
�
�� ���
�� ������� � ����!�
�� ������
�� ���
��
��.
4�� ������ ��������, ��� ��� ���H�� W � p-n-���������
���
������������ ��H� ������
�� ����� p-� �����, ��� �������� �
��
�H�
��
�.�.�. '�� ��
�H�� W (2) � �����������
���
��
�H����� �����
�����
��
�
��
���
���� ���
��
�� (��� � = 0), ���
� ����� ��K���. ;��!� ��������
����� �
���� �
!��������
K�
�������
� �����������Y�� ��
����� �
���
���Y�% � ����� ���!
� K�� �
Y�����
� ���H�, ��� � �z � {z��,
��� K � ���� ��
�����
� ����������� ��
������
��. #��� !� R��
������%���, ��
�
��� ����
����� R�������
�� ���
� ���
���Y�% � �����.
�����% ��� ����������� ���� ������
� ��
�
��
�H��Y�%��
H���
�% �����Y�
�% ��
K �� n-� ����� � p-� �����, ������ W > L (���. 1).
������������� ���������K
� ��
��� Ga1-� Al� As: Si (� < 0,37) � ��
��
���-
���% Si ������� 4·1017��–3, ���������
K� ������� !������
�% R��������
��� ����!��
��. � �������� �K��Y���
�� ����� �
��
�H�
��� ����
�����
��
��
�H����� ���� ��
��
��� Si � ���KH����� ���� ����
���
���
Si. '�R���
� �K��Y�
K� ����� ������� p-n-�������, n-� ����� ��������
H�����- ��
��, � p-� �����
�����
��, � ����
K� ��������� ��!�
���.
���
������
�� ����� �
���� ���������� � ��
��
�� � ����
�����
�%
����� ���
��
�K (p-� �����). ���
��
�� �K�������� ����� n-� �����
�����
���
���
� ���!�
�� �
!��������
K�
�������% ������ (
� ���. 1
� ��
���
� �). $����� R����������
����
��� ���������
K� �����������
�����!�� ��
�����
� ���
H���
�% ��
��Y�%�� �� 0,1 �� 0,4 R� ���
������
K� � ������. ^
����� ������
�� ���
��
�� (� ����������� �� Eg �
��������� p-n-��������)
������
K� �����������
��������� � �������� 1,3
– 1,85R�. '��
H���
� �����K ������� R����������
����
��� ���H�, ��� �
183
������
K� p-n-���
��
��� �� ���� !� ���������, ��� �����
� �
������
����� ���
��
�K.
=��. 1. $��
��
�� ������
��� ����������
'�� �����%����� ���
��
��� ����
� ����� ���
��
�K ����������
�����
K�� R������������ � R����������
����
�
K� ��������������.
�������� �����������
�����
�% � ���
H���
� �����K ����
����
��� �
���
��
�� ����. ����
�
�� �
��� ���
��
��� ����
� ������
� ����
�
��
�������������. ��
��� � ������ ������
K ���
��
��� ���� (��� ������
�%
������
� ���� ����� � �����) ���������� ����� ������� R����������
����
-
��� � �����
��
�H�� R
����% (���. 2), ��� ����������
�� ���Y�
�� �����-
�
����
�% � ����� �
�����
� ����� ��K (H������K� ��
�� ��� � > 0
� ���. 1) � ����������
��
�H�
�� �
��
���
���� ���
��
�� (������ 2
�
���. 2). '����
� ����� ����
�
�% � ����
�Y��. � �������
�� ���
��
��
���� �
!��������
K�
������� �����
����� � �����% ������
����,
���������� ����
������������ ������
���
�� ����� �
���� �
��
�H�����
�
��
���
���� �K����Y��� ���
��
��. '�� ���
��
�% ��������
�� � ����
10mA ����
�
�� �
��
���
���� ���������� �� 30% ��� ���
��
�% �
�
����
0,4;�. $���� ������� ���
��
�� ������� �� 10% ��
�������
� R
������-
������� ����!�
�� ������
��. ������ �� � K�
K� ����������
�% (����, ���
� ���
��
�� ���� ����������
��
�H�
�� L), ������ ���
��
�� ���!�
���
������
!�. ��
��� R��������
�K �����K����, ��� ���
H���
� �������
���
��
�� � ���
��
�� ����
� ��
�����. '�R���
���Y�
�� R������
�-
�K���
�% �����K � ��� � ���
��
�� ���� (�����
�������
�� ����)
������
� �����
� � ����
�
��� �
��� ������
�% �����!
����, ��� �����
� �������� � p-n-��������� � �K������
�% ���% [3].
;���� � �����, �� ����������
K� ���
������� ����
��, ��� �������
�
��������
���Y�� ����K, ��!
� �������� ������
���
��
��� ���� �� ��-
��
�
�� �
��
���
���� ���
��
��. (�� ���
� �� ���. 2, ������Y�� �� ���-
��
��� ���� ���������� ��!�� K�� ��� �
��
���
���� ����� ��� � �������
���
��
��. @ R�� � ���� ������� ���������� �����!
���� �����
�� ����-
R������
K� ���
�����������. ( �����
Y������ ����������
�� �
��
���-
���� ����� � �������� �
��������
��� ��������� ����
�� ��
���� �������
�� ����������� ���������
����. 4� ��� R���
�� ������
���K���� �����-
Y�
�� ����� ��� �����!��
�� ��� �� ��������
, ��� �������� � ��������
-
K� ��
�
�����, ��� �
� ��� ���������
�� ���������� ��
����. '�� ��-
184 © ".�.4��
��
��������
�� � �������� �
��������
��� ��������� ������K ���
��
�� ����-
���� ��
�
����, �����
K� �
����� ���%��� ���������,
� ���� ������
��
����
�
�� ������K ���
��
�� � ����
�
�� ������
�K ����
� �K���� ����-
�����
��� ���!
��, ��� ���� ������
�� ����
�
�� �
��
���
���� �����.
=��. 2. )���������� R
����� � ������
�� ���
��
�� (1)
� �
��
���
���� (2) �� ������
K ���
��
�% �
�
����
1. &��� �.&. ����
�� ��������
K� ��������
� �������������� p-n-���������
����������� // "�������
� �� �
�������%
� ���
������. ) .
�
�. ��. ~'"# 4@4
*����
�. – ���. 54. – (.: 2009. – $. 113–118.
2. ���0��� &. ., &��� �.&. "��
����
��������
K� ���%���� ���������������
�
��
��� Ga1-� Al� As // �;'. – ;. 9, �K�. 8, 1985. – $. 1503–1504.
3. ���0��� &. ., -$����� �.&. ������ ���
������
����K� ��� ����. – ".: =���� �
�����, 1990. – 270 �.
��$01��� 6.09.2010�.
*O( 621.372
".�.4��
��
�������� �������� �� ���� ��� � �������
����� ���� ����
�
����
��
�% ����� �������
������
�
���%
���� (SUN), �����
�
�
� ������ ������% � ��� ��� ������
�
�� ��! �� �� �����. ��������, ��!
�%
1
0.4 �, ;�
2
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-21938 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | XXXX-0068 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:31:41Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ирха, В.И. 2011-06-20T09:39:58Z 2011-06-20T09:39:58Z 2010 Управление излучением светодиода магнитным полем / В.И. Ирха // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є.Пухова НАН України, 2010. — Вип. 57. — С. 180-184. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. XXXX-0068 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/21938 621.315.592;621.382 We detected the magnetic field influence on emission intensity of
 LED. In transverse magnetic field the area of radiative recombination is displaced to
 small-gap region of base of variband LED. It lead to a shifting of LED”s emission
 spectrum to a low-energy range. In magnetic field the emission intensity decreases bеcause the injected charge carriers deviate to a surface, where the nonradiative
 probability increases. ru Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України Моделювання та інформаційні технології Управление излучением светодиода магнитным полем Article published earlier |
| spellingShingle | Управление излучением светодиода магнитным полем Ирха, В.И. |
| title | Управление излучением светодиода магнитным полем |
| title_full | Управление излучением светодиода магнитным полем |
| title_fullStr | Управление излучением светодиода магнитным полем |
| title_full_unstemmed | Управление излучением светодиода магнитным полем |
| title_short | Управление излучением светодиода магнитным полем |
| title_sort | управление излучением светодиода магнитным полем |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/21938 |
| work_keys_str_mv | AT irhavi upravlenieizlučeniemsvetodiodamagnitnympolem |