Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану

• Veröffentlicht in: Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології
• Datum: 2009
• 1. Verfasser: Чекурін, В.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України 2009
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/22264
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2009. — Вип. 10. — С. 138-148. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв’язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною ґраткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температури та деформації. На одновимірній задачі досліджено вплив власних напружень на формування поверхневих дифузійних шарів у напівпровідниках за ізотермічних умов. The mathematical model for describing the interconnected impurity diffusion and stress-strained state kinetics in a semiconductor with cubic lattice has been considered. The model takes into account thermal and diffusion stresses, diffusion coefficient dependence on temperature and strain. The influence on the diffusion stresses on impurity distribution in the surface diffusion layer in semiconductors has been studied on one-dimensional problem. Сформулирована математическая модель для описания во взаимосвязи процесса однокомпонентной диффузии и кинетики напряженно-деформированного состояния в полупроводнике с кубической кристаллической решеткой. Модель учитывает температурные и диффузионные напряжения, а также зависимость коэффициента диффузии от температуры и деформации. На одномерной задаче исследовано влияние диффузионных напряжений на формирование поверхностных диффузионных слоев в полупроводниках при изотермических условиях.