Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану
Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв’язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною ґраткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температ...
Saved in:
| Published in: | Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/22264 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2009. — Вип. 10. — С. 138-148. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-22264 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Чекурін, В. 2011-06-20T22:40:20Z 2011-06-20T22:40:20Z 2009 Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2009. — Вип. 10. — С. 138-148. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. 1816-1545 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/22264 539.2 Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв’язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною ґраткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температури та деформації. На одновимірній задачі досліджено вплив власних напружень на формування поверхневих дифузійних шарів у напівпровідниках за ізотермічних умов. The mathematical model for describing the interconnected impurity diffusion and stress-strained state kinetics in a semiconductor with cubic lattice has been considered. The model takes into account thermal and diffusion stresses, diffusion coefficient dependence on temperature and strain. The influence on the diffusion stresses on impurity distribution in the surface diffusion layer in semiconductors has been studied on one-dimensional problem. Сформулирована математическая модель для описания во взаимосвязи процесса однокомпонентной диффузии и кинетики напряженно-деформированного состояния в полупроводнике с кубической кристаллической решеткой. Модель учитывает температурные и диффузионные напряжения, а также зависимость коэффициента диффузии от температуры и деформации. На одномерной задаче исследовано влияние диффузионных напряжений на формирование поверхностных диффузионных слоев в полупроводниках при изотермических условиях. uk Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану Mathematical model for impurity diffusion in a semiconductor with accounting of stress-strained state influence Математическая модель диффузии примеси в полупроводнике с учетом влияния напряженно-деформированного состояния Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| spellingShingle |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану Чекурін, В. |
| title_short |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_full |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_fullStr |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_full_unstemmed |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_sort |
математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| author |
Чекурін, В. |
| author_facet |
Чекурін, В. |
| publishDate |
2009 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології |
| publisher |
Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Mathematical model for impurity diffusion in a semiconductor with accounting of stress-strained state influence Математическая модель диффузии примеси в полупроводнике с учетом влияния напряженно-деформированного состояния |
| description |
Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв’язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною ґраткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температури та деформації. На одновимірній задачі досліджено вплив власних напружень на формування поверхневих дифузійних шарів у напівпровідниках за ізотермічних умов.
The mathematical model for describing the interconnected impurity diffusion and stress-strained state kinetics in a semiconductor with cubic lattice has been considered. The model takes into account thermal and diffusion stresses, diffusion coefficient dependence on temperature and strain. The influence on the diffusion stresses on impurity distribution in the surface diffusion layer in semiconductors has been studied on one-dimensional problem.
Сформулирована математическая модель для описания во взаимосвязи процесса однокомпонентной диффузии и кинетики напряженно-деформированного состояния в полупроводнике с кубической кристаллической решеткой. Модель учитывает температурные и диффузионные напряжения, а также зависимость коэффициента диффузии от температуры и деформации. На одномерной задаче исследовано влияние диффузионных напряжений на формирование поверхностных диффузионных слоев в полупроводниках при изотермических условиях.
|
| issn |
1816-1545 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/22264 |
| citation_txt |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2009. — Вип. 10. — С. 138-148. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT čekurínv matematičnamodelʹdifuzíídomíškivnapívprovídnikuzurahuvannâmnapruženodeformovanogostanu AT čekurínv mathematicalmodelforimpuritydiffusioninasemiconductorwithaccountingofstressstrainedstateinfluence AT čekurínv matematičeskaâmodelʹdiffuziiprimesivpoluprovodnikesučetomvliâniânaprâžennodeformirovannogosostoâniâ |
| first_indexed |
2025-12-07T20:09:05Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:09:05Z |
| _version_ |
1850881496347312128 |