Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану
Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв’язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною ґраткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температ...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України
2009
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/22264 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2009. — Вип. 10. — С. 138-148. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862739351741399040 |
|---|---|
| author | Чекурін, В. |
| author_facet | Чекурін, В. |
| citation_txt | Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2009. — Вип. 10. — С. 138-148. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології |
| description | Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв’язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною ґраткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температури та деформації. На одновимірній задачі досліджено вплив власних напружень на формування поверхневих дифузійних шарів у напівпровідниках за ізотермічних умов.
The mathematical model for describing the interconnected impurity diffusion and stress-strained state kinetics in a semiconductor with cubic lattice has been considered. The model takes into account thermal and diffusion stresses, diffusion coefficient dependence on temperature and strain. The influence on the diffusion stresses on impurity distribution in the surface diffusion layer in semiconductors has been studied on one-dimensional problem.
Сформулирована математическая модель для описания во взаимосвязи процесса однокомпонентной диффузии и кинетики напряженно-деформированного состояния в полупроводнике с кубической кристаллической решеткой. Модель учитывает температурные и диффузионные напряжения, а также зависимость коэффициента диффузии от температуры и деформации. На одномерной задаче исследовано влияние диффузионных напряжений на формирование поверхностных диффузионных слоев в полупроводниках при изотермических условиях.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:09:05Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-22264 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-1545 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:09:05Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Чекурін, В. 2011-06-20T22:40:20Z 2011-06-20T22:40:20Z 2009 Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2009. — Вип. 10. — С. 138-148. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. 1816-1545 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/22264 539.2 Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв’язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною ґраткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температури та деформації. На одновимірній задачі досліджено вплив власних напружень на формування поверхневих дифузійних шарів у напівпровідниках за ізотермічних умов. The mathematical model for describing the interconnected impurity diffusion and stress-strained state kinetics in a semiconductor with cubic lattice has been considered. The model takes into account thermal and diffusion stresses, diffusion coefficient dependence on temperature and strain. The influence on the diffusion stresses on impurity distribution in the surface diffusion layer in semiconductors has been studied on one-dimensional problem. Сформулирована математическая модель для описания во взаимосвязи процесса однокомпонентной диффузии и кинетики напряженно-деформированного состояния в полупроводнике с кубической кристаллической решеткой. Модель учитывает температурные и диффузионные напряжения, а также зависимость коэффициента диффузии от температуры и деформации. На одномерной задаче исследовано влияние диффузионных напряжений на формирование поверхностных диффузионных слоев в полупроводниках при изотермических условиях. uk Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану Mathematical model for impurity diffusion in a semiconductor with accounting of stress-strained state influence Математическая модель диффузии примеси в полупроводнике с учетом влияния напряженно-деформированного состояния Article published earlier |
| spellingShingle | Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану Чекурін, В. |
| title | Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_alt | Mathematical model for impurity diffusion in a semiconductor with accounting of stress-strained state influence Математическая модель диффузии примеси в полупроводнике с учетом влияния напряженно-деформированного состояния |
| title_full | Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_fullStr | Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_full_unstemmed | Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_short | Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_sort | математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/22264 |
| work_keys_str_mv | AT čekurínv matematičnamodelʹdifuzíídomíškivnapívprovídnikuzurahuvannâmnapruženodeformovanogostanu AT čekurínv mathematicalmodelforimpuritydiffusioninasemiconductorwithaccountingofstressstrainedstateinfluence AT čekurínv matematičeskaâmodelʹdiffuziiprimesivpoluprovodnikesučetomvliâniânaprâžennodeformirovannogosostoâniâ |