Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану

• Veröffentlicht in: Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології
• Datum: 2009
• 1. Verfasser: Чекурін, В.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України 2009
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/22264
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2009. — Вип. 10. — С. 138-148. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв’язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною ґраткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температ...