Использование спектрометра плазмонного резонанса для исследования процесса структурирования воды

• Опубліковано в: : Актуальні проблеми транспортної медицини
• Дата: 2008
• Автори: Маслюк, Л.Н., Самойлов, А.В., Ушенин, Ю.В., Христосенко, Р.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-хімічний інститут ім. О.В. Богатського НАН України 2008
• Теми: Проблемы водоподготовки
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/22999
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Использование спектрометра плазмонного резонанса для исследования процесса структурирования воды / Л.Н. Маслюк, А.В. Самойлов, Ю.В. Ушенин, Р.В. Христосенко // Актуальні проблеми транспортної медицини. — 2008. — № 4 (14). — С. 90-95. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Показана можливість використання сенсорів, основаних на явищі поверхневого плазмонного резонансу, для дослідження структури води та інших рідин. Досліджено процес структуризації ряду різних рідин після порушення структури, що встановилась, інтенсивним розмішуванням. Показано, що пропонує мий метод дозволяє дослідити процеси зміни структури рідин практично в реальному часі з одержанням кількісних оцінок параметрів цих процесів. Дослідження проводились на спектрометрах плазмонного резонансу «Плазмон», розроблених в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. It is shown the opportunity to use sensors, which are based on the phenomenon of surface plasmon resonance, for researching the structure of water and other liquids. The process of structurization had been investigated for a row of different liquids after infringementing of their structure by the intensive hashing. It is shown that the proposed method lets to research the processes of changing the structure of the liquids practically in real time with getting the quantitative estimations of parameters of these processes. The researches were conducted by surface plasmon resonance spectrometers «Plasmon», which were developed in the V. Lashkaryov Institute of semiconductor physics, NAS of Ukraine.