Напівпровідники в усіх вимірах (Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України — 50 років)
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вісник НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/27636 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Напівпровідники в усіх вимірах (Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України — 50 років) / В. Мачулін // Вісн. НАН України. — 2010. — № 10. — С. 42-46. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860234605799407616 |
|---|---|
| author | Мачулін, В. |
| author_facet | Мачулін, В. |
| citation_txt | Напівпровідники в усіх вимірах (Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України — 50 років) / В. Мачулін // Вісн. НАН України. — 2010. — № 10. — С. 42-46. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вісник НАН України |
| first_indexed | 2025-12-07T18:22:39Z |
| format | Article |
| fulltext |
42 ISSN 0372-6436. Вісн. НАН України, 2010, № 10
Ювілеї
Як відомо, групу напівпровідникових матеріалів учені виявили на початку ХХ
сторіччя, ґрунтуючись на вивченні електричних властивостей твердих тіл. І
вже в 30-х роках було створено чотири типи напівпровідникових приладів:
фотоелементи, випрямлячі, фотоопори та кристадин, які знайшли практич-
не застосування в різних галузях науки і техніки. Фізики досить інтенсивно
вивчали деякі властивості напівпровідникових сполук, здебільшого фотоелек-
тричні, прагнучи знайти залежність цих властивостей від різних факторів:
довжини хвилі світла, домішок, величини діелектричної проникності, темпе-
ратури, інтенсивності світлового потоку, методу отримання зразків, їхньої
хімічної природи тощо. Вони також здійснювали емпіричний пошук як природ-
них, так і синтезованих напівпровідників. Ставало дедалі очевиднішим, що до-
слідження напівпровідників має привести до нових наукових відкриттів і
практичного впровадження.
НАПІВПРОВІДНИКИ В УСІХ ВИМІРАХ
Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
НАН України — 50 років!
П оряд із працями ленінградських учених
на чолі з А.Ф. Йоффе все більшого зна-
чення набували дослідження напівпровід-
ників українськими фізиками, зокрема під
керівництвом Є.А. Кириллова в Одесі, які
розпочато ще в 20-х роках минулого століт-
тя з метою вивчення внутрішнього фото-
ефекту сполук срібла. Заслужила визнання
й робота київських учених. У 1921 р. було
засновано Київську науково-дослідну ка-
федру фізики Наркомосвіти УРСР під ке-
рівництвом д.ф.-м.н. О.Г. Гольдмана, що
стала базою для Інституту фізики НАН
України. 1939 року в ньому створено відділ
фізики напівпровідників, який очолив д.ф.-
м.н. В.Є. Лашкарьов. Уже наприкінці 30-х
років цей відділ стає одним із провідних
наукових центрів фізики й техніки напів-
провідників у Радянському Союзі. Таким
чином, остаточно склався й організаційно
оформився новий науковий напрям — фі-
зика напівпровідників, який спочатку очо-
лював О.Г. Гольдман, а з 1939 року — В.Є.
Лашкарьов.
Після війни співробітники відділу фі-
зики напівпровідників продовжували до-
слідження фотоелектричних та оптичних
явищ у напівпровідниках, електронних
явищ на контакті метал–напівпровідник і
на поверхні напівпровідників, а також із
хімії напівпровідників. У 1944 році в Ін-
ституті фізики АН УРСР створено відділ
теоретичної фізики, організація діяльнос-
ті якого пов’язана з ім’ям С.І. Пекара. Від
50-х років розпочались експериментальні й
теоретичні дослідження, а також прикладні
розроблення із фізики й техніки нових на-
півпровідників — кремнію та германію.
ISSN 0372-6436. Вісн. НАН України, 2010, № 10 43
В.Є. Лашкарьов, як Голова Комісії з на-
півпровідників при Президії АН УРСР,
ініціював низку важливих заходів. Зокре-
ма, резолюцією Пленуму цієї Комісії від
4 грудня 1959 року запропоновано:
— безвідмовно організувати в Києві Ін-
ститут напівпровідників та в найкоротший
термін створити дослідний завод напівпро-
відникових приладів;
— ширше запровадити в Україні нові су-
часні методи дослідження напівпровідни-
ків, зокрема методи інфрачервоної та радіо-
спектроскопії, методи вимірювань у магніт-
них полях, при надвисоких частотах, низь-
ких температурах тощо;
— організувати проблемні лабораторії на-
півпровідників у низці ВНЗ України, в пер-
шу чергу в Київському, Чернівецькому,
Дніпропетровському державних універси-
тетах, де вже є необхідні передумови для
цього;
— підсилити матеріальну базу Інститу-
ту фізики Одеського державного універси-
тету і просити перевести його з третьої на
другу категорію;
— прирівняти педагогічне навантаження
співробітників кафедр загальної фізики,
котрі працюють з напівпровідниковими ма-
теріалами, до педагогічного навантаження
співробітників спеціальних кафедр.
Як бачимо, до створення нового інститу-
ту В.Є. Лашкарьов і його колеги підходили
комплексно, відразу передбачаючи кадро-
ве, фінансове, матеріально-технічне забез-
печення його діяльності.
Ще один дуже важливий документ — за-
писка Голові Комісії з напівпровідників АН
СРСР членові-кореспонденту АН СРСР
Б.М. Вулу від 22 грудня 1959 року, в якій
В.Є. Лашкарьов виклав думки щодо необ-
хідності створення Інституту напівпровід-
ників у системі АН УРСР. Він наголошу-
вав на тому, що Інститут напівпровідників
АН УРСР слід розглядати як установу до-
сить широкого профілю, вважаючи його
головною метою дослідження взаємодії
напівпровідників з різними видами ви-
про мінювань, включаючи й перетворення
енергії випромінювання безпосередньо в
елек т ричну. В записці наведено склад іні-
ціативної групи з організації інституту:
— доктори фіз.-мат. наук, професори
О.Г. Гольдман та В.Є. Лашкарьов;
— кандидати фіз.-мат. наук П.І. Ба ран-
ський, М.Ф. Дейген, І.Д. Конозенко, О.Г. Ми-
селюк, О.В. Снітко, Г.А. Федорус.
Під час вибору основних наукових на-
прямів було враховано багатий досвід до-
сліджень ІФ АН УРСР, що набули загаль-
ного визнання й авторитету як у нашій кра-
їні, так і за кордоном. Далі В.Є. Лашкарьов
окреслює профільні завдання, які постають
перед інститутом:
• теорія напівпровідників і напівпровід-
никових приладів;
• фотоелектричні й оптичні явища у на-
півпровідниках та їх застосування;
• електролюмінесценція у напівпровід-
никах;
• дія іонізуючих випромінювань на на-
півпровідники;
• електронні процеси на поверхні напів-
провідників та їхній зв’язок із явищами ад-
сорбції й каталізу;
• напівпровідникова катодна електроніка;
• об’ємні електричні властивості напів-
провідників і вплив на них домішок і струк-
турних дефектів;
• розроблення й дослідження електрич-
них властивостей різних неоднорідних на-
півпровідникових систем і створення на їх-
ній основі приладів;
• радіоспектроскопія напівпровідників;
• напівпровідникова металургія;
• хімія напівпровідників;
• напівпровідникові прилади та їх за-
стосування.
Запропоновано структуру Інституту, якою
передбачено організувати 8 відділів:
1. Загальної теорії твердого тіла та тео-
рії напівпровідників і напівпровідникових
пристроїв (завідувач С.І. Пекар).
44 ISSN 0372-6436. Вісн. НАН України, 2010, № 10
2. Фотоелектричних і оптичних явищ
(завідувач В.Є. Лашкарьов).
3. Електроніки напівпровідників (заві-
дувач В.І. Ляшенко).
4. Електричних об’ємних властивостей
напівпровідників (завідувач О.Г. Миселюк).
5. Напівпровідникової катодної електро-
ніки (завідувач П.Г. Борзяк).
6. Металургії і хімії напівпровідників.
7. Лабораторія електролюмінесценції (за -
відувач О.Г. Гольдман).
8. Лабораторія спектроскопії.
З 14 лабораторій 7 відповідали структур-
ним одиницям ІФ АН УРСР, а 7 запропо-
новано створити і визначити керівників на
конкурсній основі. Що стосується кадрово-
го забезпечення, то в Інституті фізики тоді
працювало 116 співробітників із напівпро-
відникової тематики. Серед них:
— два академіки (О.Г. Гольдман, В.Є. Ла ш-
карьов);
— троє докторів наук (С.І. Пекар, В.І. Ля-
шенко, П.Г. Борзяк);
— 15 кандидатів наук (П.І. Баранський,
В.М. Бурмистров, Ю.І. Горкун, М.Ф. Дей-
ген, І.Д. Конозенко, В.Е. Косенко, Т.І. Ку-
чер, І.Б. Мізецька, О.Г. Миселюк, Е.Й. Раш-
ба, О.В. Снітко, І.І. Степко, В.І. Устьянов,
Г.А. Федорус, О.В. Фіалковська);
— 36 молодших наукових співробітників
та інженерів.
Тобто навіть за сучасними мірками ка-
дровий потенціал був досить потужним.
У цій же доповідній записці запропоно-
вано побудувати:
• у Києві — лабораторний (1960 р.) і
технологічний (1963–1964 рр.) корпуси Ін-
ституту напівпровідників АН УРСР для
суттєвого розширення робіт з напівпровід-
никової металургії та хімії, щоб отримати
надчисті напівпровідникові матеріали, вдо-
сконалення технології та всебічного випро-
бування нових напівпровідникових прила-
дів, а також розроблення апаратури для до-
сліджень напівпровідників;
• у Запоріжжі — філіал Інституту напів-
провідників (1965–1966 рр.) для допомоги
заводам, що виготовляють напівпровідни-
кові матеріали і прилади;
• у Львові — корпус відділу напівпро-
відників (1964–1965 рр.) при запроекто-
ваному Інституті фізики і математики АН
УРСР для забезпечення робіт з напівпро-
відникової катодної електроніки, напівпро-
відникових люмінофорів та ін.;
• у Дніпропетровську — корпус фізики
діелектриків при запроектованому Фізико-
технічному інституті (1964–1966 рр.) для
розвитку фізики діелектриків, полімерів та
їх застосування;
• у Києві — корпус відділу високотемпера-
турних напівпровідників (1960–1961 рр.) при
Інституті металокераміки і спеціальних сплавів
АН УРСР і дослідний завод з СКБ (1963 р.),
запропонований Комісією з кібернетики і об-
числювальної техніки АН УРСР для виготов-
лення напівпровідникових приладів і т.п.
Таким чином, після всебічного опрацю-
вання й обговорення і з метою розвитку
В.Є. Лашкарьов
ISSN 0372-6436. Вісн. НАН України, 2010, № 10 45
наукових досліджень із фізики напівпровід-
ників і напівпровідникових приладів та їх
застосування в техніці на виконання Поста-
нови Ради Міністрів УРСР від 3 вересня
1960 р. №1449 «Про організацію в складі
Академії Наук УРСР Інституту напівпро-
відників» та Постанови Президії Академії
наук УРСР від 7 жовтня 1960 р., протокол
№56, §742 на базі відділів і лабораторій Ін-
ституту фізики АН УРСР було засновано
Інститут напівпровідників АН УРСР.
Виконувачем обов’язки директора Інсти-
туту напівпровідників АН УРСР призначе-
но академіка АН УРСР В.Є. Лашкарьова з
наступним затвердженням Загальними збо-
рами АН УРСР. Директорами ІФН були:
• 1960–1970 рр. — академік АН УРСР
Вадим Євгенович Лашкарьов;
• 1970–1990 рр. — академік АН УРСР
Олег В’ячеславович Снітко;
• 1991–2003 рр. — академік НАН Украї-
ни Сергій Васильович Свєчніков;
• з 2003 р. і до сьогодні — академік НАН
України Володимир Федорович Мачулін.
В Інституті працювали і працюють відомі
вчені, серед них 6 академіків НАН України:
В.Є. Лашкарьов (1903–1974 рр.), М.П. Лиси-
ця, В.Ф. Мачулін, С.І. Пекар (1917–1985 рр.),
С.В. Свєчніков, О.В. Снітко (1928–1990 рр.);
10 членів-кореспондентів НАН України:
О.Є. Бє ляєв, М.Я. Валах, Є.Ф. Венгер,
М.Ф. Дейген (1918–1977 рр.), В.С. Лисен-
ко, В.Г. Литовченко, Б.О. Нестеренко (1938–
2003 рр.), П.Ф. Олексенко, Ф.Ф. Сизов,
М.К. Шейнкман (1929–2009 рр.), а також
майже 90 докторів наук (серед них 52 про-
фесори) та понад 200 кандидатів наук.
Основні наукові напрями ІФН, затвер-
джені Президією НАН України:
— фізика процесів взаємодії електромаг-
нітного випромінювання з речовиною;
— фізика низьковимірних систем, мікро-
та наноелектроніка;
— оптоелектроніка й сонячна енергетика;
— напівпровідникове матеріалознавство
й сенсорні системи.
В останні роки пріоритетний розвиток
отримали теоретичні й експериментальні до-
слідження процесів самоорганізації, фізики
напівпровідникових наноструктур; роботи зі
створення елементної бази оптоелектроніки,
пристроїв для перетворення інформації та
джерел випромінювання нового типу; дослі-
дження в галузі оптики твердого тіла; теоре-
тичні й експериментальні дослідження елек-
тронних і електронно-атомних процесів на
поверхні, в об’ємі, на межах поділу складних
і шаруватих напівпровідникових структур;
вивчення флуктуаційних явищ у напівпро-
відниках і напівпровідникових приладах,
флуктуаційна діагностика новітніх субмік-
ронних технологій; дослідження процесів
трансформації структури й електрофізичних
властивостей напівпровідникових матеріа-
лів і структур під впливом активних зовніш-
ніх дій; роботи з фізичних і фізико-хімічних
проблем напівпровідникового матеріало знав-
ства, спря мовані на створення опто-, фото-,
мікроелектронних пристроїв різного призна-
чення; теоретичні й експериментальні дослі-
дження електронного транспорту в напів-
провідниках і напівпровідникових струк ту-
рах, електрон-фо нон ної взаємодії у твердих
тілах; роботи зі створення нових методів і за-
собів неруйнівного діагностування напів-
провідникових матеріалів, приладів опто-,
мікро-, наноелектроніки.
Зареєстровано три наукових відкриття:
1) «Властивості багатозначної анізотро-
пії електропровідності напівпровідникових
кристалів у сильних електричних полях»
(Диплом №294, заявка від 17.04.1982). Ав-
тори — З.С. Грибніков, В.В. Мітін;
2) «Явище поширення додаткових хвиль
у кристалах» (Диплом №323, заявка від
27.09.1984). Автор — С.І. Пекар;
3) «Явище комбінованого резонансу в
кристалах» (Диплом №327, заявка від
18.10.1984). Автор — Е.Й. Рашба.
Інститут здійснює плідне наукове й нау-
ково-технічне співробітництво із низкою
університетів і наукових центрів США, Ве-
46 ISSN 0372-6436. Вісн. НАН України, 2010, № 10
ликої Британії, Франції, Італії, Німеччини,
Іспанії, Ізраїлю, Японії, Китаю, а також під-
тримує тісні контакти із провідними нау-
ковими установами Росії та інших країн
СНД і Прибалтики.
ІФН видає збірник «Оптоэлектроника и
полупроводниковая техника» і журнал «Se-
miconductor Physics, Quantum Electronics
& Орtоеlеctronics». Діє аспірантура й док-
торантура; існують спеціалізовані вчені
ради із захисту дисертацій на здобуття нау-
кового ступеня кандидата й доктора фізи-
ко-математичних і технічних наук; працює
госпрозрахункове Спеціальне конст рук тор-
сько-технологічне бюро з дослідним вироб-
ництвом; є технологічний парк «Напівпро-
відникові технології і матеріали, оптоелек-
троніка та сенсорна техніка», центр колек-
тивного користування приладами НАН
України «Діагностика напівпровідникових
матеріалів, структур та приладних систем»,
випробувальна лабораторія голографічних
захисних елементів, центральна випробу-
вальна лабораторія напівпровідникового ма-
теріалознавства, центр випробувань фото-
перетворювачів і фотоелектричних бата-
рей. На базі Інституту працюють україн-
ські відділення Міжнародних товариств
оптичної техніки й інформаційних диспле-
їв. ІФН — це головна організація Наукової
ради НАН України з проблеми «Фізика на-
півпровідників та напівпровідникові при-
строї». Як головна організація цієї Науко-
вої ради, ІФН бере участь у проведенні
конференцій, симпозіумів, виставок, семі-
нарів, причому особливу увагу приділяє
новим актуальним напрямам у фізиці на-
півпровідників.
Інститут проводить спільні наукові роботи
з вищими навчальними закладами, зокрема з
Київським ім. Тараса Шевченка, Одеським
ім. І.І. Мечникова, Ужгородським та Черні-
вецьким ім. Юрія Федьковича національни-
ми університетами; Націо нальним універси-
тетом «Львівська політехніка»; Лу ць ким
національним технічним університетом;
Житомирським дер жавним університетом
ім. Іва на Франка; Полтавським і Бердян-
ським педагогічними університетами; Ка -
м’янець-Подільським державним універ си-
тетом. На базі ІФН діє філія кафедри опти-
ки Київського національного університету
ім. Тараса Шевченка, а на базі Оде ського на-
ціонального університету ім. І.І. Мечникова
спільно з ІФН створено міжвідомчий На у-
ково-навчальний центр МОН та НАН Укра-
їни як структурний підрозділ Одеського на-
ціонального університету ім. І.І. Мечникова,
що сприяє залученню талановитої студент-
ської молоді до наукової діяльності. На базі
інституту спільно з Кременчуцьким універ-
ситетом еко номіки, інформаційних техноло-
гій і управління створено науково-дослідну
лабораторію нетрадиційних і відновлюва-
них джерел енергії та науково-навчальний
виробничий комплекс «Солар».
В інтересах розвитку галузі наномате рі алів
і наноструктур, а також координації та під-
тримки пріоритетних науково-тех нічних дослі-
джень на базі ІФН створено Науково-нав-
чаль ний центр «Фізика, хімія і технологія на-
ноструктур» за участю Інституту фізики, Ін-
ституту металофізики ім. Г.В. Кур дю мова,
Прикарпатського і Чернівецького національ-
них університетів, Дрогобицького державного
педагогічного університету й ДФФД України.
Розробки співробітників інституту від-
значені Ленінською премією, 2-ма Держав-
ними преміями СРСР, 22-ма Державними
преміями УРСР і України в галузі науки і
техніки, Премією Ради Міністрів СРСР,
3-ма преміями імені К.Д. Синельникова,
3-ма преміями імені В.Є. Лашкарьова, 3-ма
преміями імені С.І. Пекара, пре мією імені
С.О. Лебедєва, 3-ма преміями президентів
Академій наук України, Білорусії, Молдови.
13 співробітників удостоєні звання «Заслу-
жений діяч науки і техніки України».
Володимир МАЧУЛІН,
академік НАН України,
директор Інституту фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-27636 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0372-6436 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:22:39Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Мачулін, В. 2011-10-10T12:46:00Z 2011-10-10T12:46:00Z 2010 Напівпровідники в усіх вимірах (Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України — 50 років) / В. Мачулін // Вісн. НАН України. — 2010. — № 10. — С. 42-46. — укр. 0372-6436 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/27636 uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Вісник НАН України Ювілеї Напівпровідники в усіх вимірах (Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України — 50 років) Article published earlier |
| spellingShingle | Напівпровідники в усіх вимірах (Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України — 50 років) Мачулін, В. Ювілеї |
| title | Напівпровідники в усіх вимірах (Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України — 50 років) |
| title_full | Напівпровідники в усіх вимірах (Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України — 50 років) |
| title_fullStr | Напівпровідники в усіх вимірах (Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України — 50 років) |
| title_full_unstemmed | Напівпровідники в усіх вимірах (Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України — 50 років) |
| title_short | Напівпровідники в усіх вимірах (Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України — 50 років) |
| title_sort | напівпровідники в усіх вимірах (інституту фізики напівпровідників ім. в.є. лашкарьова нан україни — 50 років) |
| topic | Ювілеї |
| topic_facet | Ювілеї |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/27636 |
| work_keys_str_mv | AT mačulínv napívprovídnikivusíhvimírahínstitutufízikinapívprovídnikívímvêlaškarʹovananukraíni50rokív |