Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів
У роботі проаналізовано властиві нанооб’єктів (типу квантових точок, квантових ниток і т. п.) недосконалості, які необхідно враховувати в разі розробки наноструктурних матеріалів, призначених для використання в мікроелектроніці, термоелектроперетворювачах нового покоління, а також в інших областях е...
Saved in:
| Published in: | Термоелектрика |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут термоелектрики НАН України та МОН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/27913 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Термоелектрика. — 2009. — № 1. — С. 56-59. — Бібліогр.: 20 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860133508229365760 |
|---|---|
| author | Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| author_facet | Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| citation_txt | Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Термоелектрика. — 2009. — № 1. — С. 56-59. — Бібліогр.: 20 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Термоелектрика |
| description | У роботі проаналізовано властиві нанооб’єктів (типу квантових точок, квантових ниток і т. п.) недосконалості, які необхідно враховувати в разі розробки наноструктурних матеріалів, призначених для використання в мікроелектроніці, термоелектроперетворювачах нового покоління, а також в інших областях електронної техніки.
В работе проанализированы присущие нанообъектам (типа квантовых точек, квантовых нитей и т. п.) несовершенства, которые необходимо учитывать при разработке наноструктурных материалов, предназначенных для использования в микроэлектронике, термоэлектропреобразователях нового поколения, а также в других областях электронной техники.
This paper analyzes peculiar to nanoobjects (quantum dots, quantum wires, etc.) imperfections that must be taken into account in the development of nanostructured material intended for use in microelectronics, thermoelectric converters of new generation, as well as in other fields of electronic engineering.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:46:04Z |
| format | Article |
| fulltext |
Баранський П. І., Гайдар Г. П.
Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів
56 Термоелектрика № 1, 2009 ISSN 1726-7714
CТАН І ПЕРСПЕКТИВИ
НАНОСТРУКТУРНИХ
ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНИХ МАТЕРІАЛІВ
П. І. Баранський1, Г. П. Гайдар 2
(1Інститут фізики напівпровідників
ім. В. Є. Лашкарьова НАН України,
2Інститут ядерних досліджень НАН України)
• У роботі проаналізовано властиві нанооб’єктів (типу квантових точок, квантових ниток і
т. п.) недосконалості, які необхідно враховувати в разі розробки наноструктурних
матеріалів, призначених для використання в мікроелектроніці, термоелектроперетворювачах
нового покоління, а також в інших областях електронної техніки.
У низці доповідей, озвучених на попередніх форумах МТА [1–3] і деяких міжнародних
конференціях [4–6], ми спробували розкрити суть основних труднощів, які виникають на шляху
впровадження досягнень нанофізики і нанотехнологій під час розробки термоелектро-
перетворювачів (ТЕП) нового покоління на основі нанооб’єктів (НО). При цьому мали на увазі
нанокластери (нКЛ), у тому числі квантові точки (КТ), квантові нитки (КН), тонкі та надтонкі
шари і створені на їх основі гетероструктури (ГС) і надгратки ( НГ).
Для практичних застосувань у малій енергетиці й інших областях техніки кращим є
використання не відокремлених НО (типу КТ чи КН), а тих, які взаємодіють між собою в
певній матриці їх ансамблів. Саме ці ансамблі (разом з матрицею) або НГ і будуть являти
собою наноструктурні матеріали (нСМ), зручні для практичних застосувань.
Створюючи нСМ на основі НО, слід пам’ятати, що характерні для НО дефекти і
недосконалості будуть, природно, при цьому переноситися в об’єм нСМ. Тому нагадаємо, що
найхарактернішими (і практично неліквідними) недосконалостями НО є:
– велетенські неоднорідності як за хімічним складом, так і за внутрішніми механічними
напругами (ВМН);
– принципова відсутність дальнього порядку, а дві зазначені вище особливості НО
порушують сталість міжатомних відстаней в їх об’ємі, і відповідно, якщо не виключають, то
суттєво спотворюють трансляційну симетрію в об’ємі. Ці обставини в загальному випадку
ставлять застосування стандартної зонної теорії (СЗТ), призначеної для опису кінетики руху
зарядів у НО, в особливі умови. А гранично малі розміри НО (≤ 1 ÷ 2 нм), які містять у своєму
об’ємі не більше 101 ÷ 102 атомів, роблять використання СЗТ взагалі недопустимим;
– факт співіснування в межах окремо взятого НО, атомів з міжатомними взаємодіями, які
перекривають весь діапазон: від типових для атомів, які знаходяться в об’ємі кристалу, до
характерних для цілковито поверхневих атомів;
– у тонких шарах НГ [7] і у випадку інших ГС [8, 9] ефективна маса носіїв струму може
суттєво відрізнятися від m*, характерної для тієї ж речовини у вигляді об’ємного кристала, а за
деяких умов вона (m*) стає ще і координатно-залежною, т. т. m* = m* ( r ) [8];
– за помітної зміни кристалічного потенціалу на відстанях порядку міжатомних метод
ефективної маси стає мало обгрунтованим, а отже, і мало придатним для точних розрахунків [10].
Ще 1990 р. у дослідах з нКЛ свинцю [11], а пізніше і з нКЛ інших атомів [12], було
показано, що вони (тобто нКЛ, які мають у своєму складі дуже малу кількість атомів ≤ 10 ÷ 20)
утворюють щось подібне на щільну упаковку, що відповідає мінімуму потенціальної енергії. За
великої кількості атомів у нКЛ вони демонструють закономірність, відому під назвою
«магічних чисел» [13].
П. І. Баранський
Г. П. Гайдар
Баранський П.І., Гайдар Г. П.
Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів
ISSN 1726-7714 Термоелектрика №1, 2009 57
На прикладі вивчення флуоресцентних спектрів збудження окремих атомів криптону (Kr)
і нКЛ з різним числом атомів Kr у їх об’ємі, в роботах [13, 14] продемонстровано винятково
важливу роль міжатомних взаємодій всередині нКЛ, під впливом яких і відбувається
структурна перебудова нКЛ залежно від числа частинок у їх складі, що і становить фізичну
основу ефекту "магічних чисел".
Відмітимо ще дві дуже характерні
особливості нКЛ, які нібито і добре
відомі, але до цього часу якось не
привертали до себе тієї уваги дослідників,
якої вони заслуговують. Перш за все, це
форма нКЛ, яку для простоти приймають
у багатьох випадках за сферичну, хоча
вона такою, мабуть, рідко буває. З рис. 1,
наведеного в роботі [15] (і який
обговорювався також в роботі [13]),
видно, що залежність резонансних
перерізів поглинання від Евипр. для
еліпсоїдального Na11
+ і сферичного Na9
+
кластерів якісно відмінні. Тому,
вивчаючи такий резонанс, можна
отримати інформацію про істинну форму самого нКЛ і, можливо, додаткову інформацію про
його інші властивості. Звичайно, останнім часом як вітчизняні, так і зарубіжні дослідники під
час теоретичних розглядів властивостей нКЛ враховують їх форму, відмінну від сферичної, – у
вигляді витягнутих і сплюснутих еліпсоїдів, паралелепіпедів, циліндрів і т. п.
Однак всі вони приймають розподіл речовини і ВМН в об’ємі цих геометричних фігур
нКЛ за однорідні (в кращому випадку за такі, що складаються з двох шарів: серцевини і
оболонки), чого насправді (з урахуванням сучасної технології отримання нКЛ) реалізувати
неможливо.
Інша цікава особливість нКЛ, яка відрізняє їх від об’ємних кристалів, – немонотонність у
зміні магнітного моменту (в розрахунку на один атом нКЛ) зі зменшенням числа атомів у
ньому, що продемонстрували автори роботи [16] на прикладі нКЛ Fe (рис. 2 а) і, окрім названої
залежності, поява в нКЛ магнітного моменту, який в об’ємному злитку того ж матеріалу взагалі
відсутній. Останнє переконливо показали автори [17] на прикладі нКЛ Rh (рис. 2 б).
Рис. 2. Магнітні моменти (в розрахунку на атом) для кластерів Fe (а) [16] і Rh (b) [17] різного розміру.
Штрихова лінія відповідає магнітному моменту μ = 2.2 μВ масивного Fe;
n – число атомів металу в кластері.
Оскільки спектр дефектів, внесених у матрицю нСМ з елементарними НО (типу КТ і КН),
може тільки розширитися за рахунок власних дефектів матриці і дефектів, які виникають на її
границях з нКЛ-ними включеннями, необхідно бодай коротко зупинитися на розгляді дефектів,
характерних для типової матриці і можливих наслідків її взаємодії з провідними
E , випр. еВ
Рис. 1. Велетенський резонанс для еліпсоїдальних
Na11
+-кластерів [15]. Пік з меншою енергією
відповідає коливанням вздовж вісі еліпсоїда, з
більшою – перпендикулярним коливанням. Штрихова
лінія відповідає сферичним кластерам Na9
+.
Баранський П. І., Гайдар Г. П.
Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів
58 Термоелектрика № 1, 2009 ISSN 1726-7714
нановключеннями. До необхідності такого розгляду спонукає авторів також і те, що НО має
добре розвинуту поверхню. І з цією обставиною в першу чергу пов’язана незвично висока їх
хімічна активність. А якщо врахувати ще і те, що напівізолююча (чи ізолююча) матриця є по
суті ще і "несучою" складовою нСМ, то міркування авторів роботи [11] про неможливість
всебічного аналізу властивостей НО без урахування навколишнього середовища (матриці) є
цілком обгрунтованим.
Розглянемо найбільш типові дефекти не цеоліту (чи опалу), а найбільш популярного в
мікроелектроніці ізолюючого матеріалу SіО2, який цілком може виконувати роль матриці,
оточуючої нановключення у створюваних нСМ. Власні дефекти в SіО2 можна розділити на два
класи. До першого класу можна віднести центри з вакансією кисню (типу ≡Si–Si≡). До другого
класу будуть належати немістковий кисень (≡Si–О) і О–О комплекси, які можуть бути у вигляді
пероксидного містка (≡Si–О–О–Si≡), пероксидного радикалу (≡Si–О–О) і навіть міжвузлової
молекули О2. Дефекти, які містять кисень, можуть локалізувати носії заряду обох знаків [18].
Структура Sі–SіО2 характеризується наявністю в ній механічних напруг. Це пояснюється в
першу чергу різницею (майже на порядок) коефіцієнтів лінійного розширення відповідних
матеріалів (Sі і SіО2) з температурою. До того ж плівка оксиду кремнію нарощується на кристал
Sі за підвищеної температури. З охолодженням плівка SіО2 стає стисненою, а поверхнева
частина кристалу Sі розтягнутою [19]. Аналогічний ефект буде виникати і поблизу границі
матриця SіО2 – вбудовані в її об’єм нанооб’єкти (у вигляді КТ чи КН), якщо ці матеріали будуть
мати різні за величиною коефіцієнти термічного розширення. З допомогою аналізу ПЕМ-
зображень автори роботи [20] виявили на границі поділу SіО2/Sі надтонкий (~ 1 нм) аморфний
шар Sі з напругою стискування ~ 2 ГПа (тобто ~ 2 ⋅ 104 кгс/см2).
Плануючи створення нСМ, наприклад, у вигляді плоских чи об’ємних НГ, придатних для
застосування в різних областях техніки, в тому числі і для створення ефективних ТЕП,
необхідно виходити з того, що для таких нСМ характерними (і принципово неліквідними) є
гетерогенність за складовими їх компонентами, а також вкрай неоднорідний розподіл ВМН в
межах кожного окремо взятого нКЛ-ного включення чи шару.
Беручи до уваги все вищезгадане, можна сформулювати найбільш актуальні проблеми,
які стосуються нанотехнологій, що розвиваються, а саме:
1. Створення КТ (та інших НО) заданих розмірів і форм, тобто з мінімальним діапазоном
названих або інших параметрів від них залежних.
2. Забезпечення високого рівня періодичності (упорядкування) в розміщені КТ (і інших
НО) на площині або ж в об’ємі матриць.
3. Дослідження всіх форм виявлення велетенських неоднорідностей КТ (або інших НО) в
структурному відношенні, за складом і ВМН.
4. Виявлення і аналіз рушійних сил самоорганізації у зв’язку с необхідністю
вдосконалення технології отримання стандартизованих за розмірами і основними параметрами
НО різної розмірності.
5. Допускається, що глибокий аналіз результатів досліджень процесів самоорганізації
біомакромолекул може виявитися для фізиків практично корисним на шляху пошуку
технологічно вдосконаленого методу вирощування НО, стандартизованих за розмірами і
формою досить відтворюваними іншими суттєвими характеристиками та властивостями.
Література
1. Baranskii P. I., Gaidar G. P. Microanalysis of the Internal Structure of Quantum Dots Related to
Estimates of Z for Thermoelectric Converters Based on Three-Dimensional Superlattices //
J. Thermoelectricity. – 2004. – № 4. – Р. 53–58.
2. Баранський П. І. , Гайдар Г. П. Неоднорідності нездоланні: до них наука приречена бути
уважною // Термоелектрика. – 2005. – № 4. – С. 41–47.
3. Baranskii P. I., Gaidar G. P. On the Way from Myths to Realities in Mastering High-Performance
Баранський П.І., Гайдар Г. П.
Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів
ISSN 1726-7714 Термоелектрика №1, 2009 59
Thermoelectric Converters Based on the Achievements of Nanophysics and Nanotechnologies //
J. Thermoelectricity. – 2007. – № 2. – Р. 46–53.
4. Baranskii P. I., Gaidar G. P. Surprises of the Superhigh Gradients of the Physical Parameters in the
Nanometer Objects (QD, QW and SL-Types) for Nanophysics and Nanotechnology // Physics of
Electronic Materials (2rd Intern. Conf. Proc. Kaluga, Russia, May, 24–27). – 2005. – Vol. 1. – Р. 6–
9, Kaluga KSPU Press.
5. Баранський П. І., Гайдар Г. П. Чим може зарадити нанофізика на шляху підвищення
ефективності термоелектроперетворювачів нового покоління // Актуальні проблеми фізики
напівпровідників (Тези доповідей). VI-Міжнародна школа-конференція. Дрогобич, 23-
26 вересня 2008 р. – С. 7-8.
6. Baranskii P. I., Gaidar G. P. Analysis of Trends in Development of the High-Performance
Thermoelectric Converters Realized on the Achievements of Nanophysics and Nanotechnologies //
Physics of Electronic Materials. 3rd Intern. Conf. Proc. Kaluga, Russia, October, 1-4. – 2008. –
Vol. 1. – P. 13–17.
7. Majumdar A., Rokhinson L. P., Tsu D. C. et. al. Effective mass enhancement of two-dimensional
electrons in one-dimensional superlattice potential // Appl. Phys. Lett. – 2000. – Vol. 76, Iss. 24. –
P. 3600–3602.
8. Волков В. А., Тахтамиров Э. Е. Динамика электрона с пространственно-зависящей массой и
метод эффективной массы для полупроводниковых гетероструктур // УФН. – 1997. – Т. 167.
– № 10. – С. 1123–1127.
9. Алешкин В. Я., Гавриленко В. И., Иконников А. В. Циклотронный резонанс в легированных
и нелегированных гетероструктурах InAs/GaAs с квантовыми ямами // ФТП. – 2005. – Т. 39.
– № 1. – С. 71–75.
10. Lippens P. E., Lannoo M. Calculation of the band for small CdS and ZnS crystallites // Phys. Rev.
B. – 1989. – Vol. 39, No. 15. – Р. 6079–6081.
11. Дункан М. А., Роуврей Д. Х. Микрокластеры // В мире науки. – 1990. –№ 2. – С. 46–52.
12. Губин С. П. Что такое наночастица? Тенденции развития нанохимии и нанотехнологии //
Российский хим. журнал. – 2000. – Т. 44. – № 6. – С. 23–31.
13. Суздалев И. П., Суздалев П. И. Нанокластеры и нанокластерные системы. Организация,
взаимодействие, свойства // Успехи химии. – 2001. – Т. 70. – № 3. – С. 203–240.
14. Stapelfeldt J., Wormer J., Moller T. Evolution of Electronic Energy Levels in Kr Clusters from
Atom to the Solid // Phys. Rev. Lett. – 1989. – Vol. 62, No. 1. – Р. 98–101.
15. Brechingnac C., Cahuzac Ph., Carlier F. et al. Optical excitation in small ionized sodium clusters:
closed-shell and open-shell systems // Chem. Phys. Lett. – 1992. – Vol. 189, No. 1. – Р. 28–34.
16. Billas J. M., Becker J. A., Chatelain A. et al. Magnetic Moments of Iron Clusters with 25 to 700
Atoms and Their Dependence on Temperature // Phys. Rev. Lett. – 1993. – Vol. 71, No. 24. –
Р. 4067–4070.
17. Cox A. J., Launderback J. G., Aspel S. E.et al. Magnetism in 4d-transition metal clusters // Phys.
Rev. B: Condens. Matter. – 1994. – Vol. 49, No. 17. – Р. 12295(4).
18. Defects in SiO2 and related dielectrics: science and technology. (Ed. Pacchioni G., Skuja L.,
Griscom D. L.). Kluwer, Dordrecht, 2000.
19. Першенков В. С., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты в
элементарных интегральных микросхемах. – М.: Энергоатомиздат, 1988. – 256 с.
20. Donnadien P., Blanquet E., Jakse N. et al. Detection of subnanometric layer at the SiO2/Si
interface and related strain measurements // Appl. Phys. Lett. – 2004. – Vol. 85, No. 23. –
Р. 5574–5576.
Надійшла до редакції 10.02.09.
<<
/ASCII85EncodePages false
/AllowTransparency false
/AutoPositionEPSFiles true
/AutoRotatePages /All
/Binding /Left
/CalGrayProfile (Dot Gain 20%)
/CalRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1)
/CalCMYKProfile (U.S. Web Coated \050SWOP\051 v2)
/sRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1)
/CannotEmbedFontPolicy /Warning
/CompatibilityLevel 1.4
/CompressObjects /Tags
/CompressPages true
/ConvertImagesToIndexed true
/PassThroughJPEGImages true
/CreateJDFFile false
/CreateJobTicket false
/DefaultRenderingIntent /Default
/DetectBlends true
/DetectCurves 0.0000
/ColorConversionStrategy /LeaveColorUnchanged
/DoThumbnails false
/EmbedAllFonts true
/EmbedOpenType false
/ParseICCProfilesInComments true
/EmbedJobOptions true
/DSCReportingLevel 0
/EmitDSCWarnings false
/EndPage -1
/ImageMemory 1048576
/LockDistillerParams false
/MaxSubsetPct 100
/Optimize true
/OPM 1
/ParseDSCComments true
/ParseDSCCommentsForDocInfo true
/PreserveCopyPage true
/PreserveDICMYKValues true
/PreserveEPSInfo true
/PreserveFlatness true
/PreserveHalftoneInfo false
/PreserveOPIComments false
/PreserveOverprintSettings true
/StartPage 1
/SubsetFonts true
/TransferFunctionInfo /Apply
/UCRandBGInfo /Preserve
/UsePrologue false
/ColorSettingsFile ()
/AlwaysEmbed [ true
]
/NeverEmbed [ true
]
/AntiAliasColorImages false
/CropColorImages true
/ColorImageMinResolution 300
/ColorImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleColorImages true
/ColorImageDownsampleType /Bicubic
/ColorImageResolution 300
/ColorImageDepth -1
/ColorImageMinDownsampleDepth 1
/ColorImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeColorImages true
/ColorImageFilter /DCTEncode
/AutoFilterColorImages true
/ColorImageAutoFilterStrategy /JPEG
/ColorACSImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/ColorImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/JPEG2000ColorACSImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/JPEG2000ColorImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/AntiAliasGrayImages false
/CropGrayImages true
/GrayImageMinResolution 300
/GrayImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleGrayImages true
/GrayImageDownsampleType /Bicubic
/GrayImageResolution 300
/GrayImageDepth -1
/GrayImageMinDownsampleDepth 2
/GrayImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeGrayImages true
/GrayImageFilter /DCTEncode
/AutoFilterGrayImages true
/GrayImageAutoFilterStrategy /JPEG
/GrayACSImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/GrayImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/JPEG2000GrayACSImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/JPEG2000GrayImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/AntiAliasMonoImages false
/CropMonoImages true
/MonoImageMinResolution 1200
/MonoImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleMonoImages true
/MonoImageDownsampleType /Bicubic
/MonoImageResolution 1200
/MonoImageDepth -1
/MonoImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeMonoImages true
/MonoImageFilter /CCITTFaxEncode
/MonoImageDict <<
/K -1
>>
/AllowPSXObjects false
/CheckCompliance [
/None
]
/PDFX1aCheck false
/PDFX3Check false
/PDFXCompliantPDFOnly false
/PDFXNoTrimBoxError true
/PDFXTrimBoxToMediaBoxOffset [
0.00000
0.00000
0.00000
0.00000
]
/PDFXSetBleedBoxToMediaBox true
/PDFXBleedBoxToTrimBoxOffset [
0.00000
0.00000
0.00000
0.00000
]
/PDFXOutputIntentProfile ()
/PDFXOutputConditionIdentifier ()
/PDFXOutputCondition ()
/PDFXRegistryName ()
/PDFXTrapped /False
/Description <<
/CHS <FEFF4f7f75288fd94e9b8bbe5b9a521b5efa7684002000500044004600206587686353ef901a8fc7684c976262535370673a548c002000700072006f006f00660065007200208fdb884c9ad88d2891cf62535370300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c676562535f00521b5efa768400200050004400460020658768633002>
/CHT <FEFF4f7f752890194e9b8a2d7f6e5efa7acb7684002000410064006f006200650020005000440046002065874ef653ef5728684c9762537088686a5f548c002000700072006f006f00660065007200204e0a73725f979ad854c18cea7684521753706548679c300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c4f86958b555f5df25efa7acb76840020005000440046002065874ef63002>
/DAN <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>
/DEU <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>
/ESP <FEFF005500740069006c0069006300650020006500730074006100200063006f006e0066006900670075007200610063006900f3006e0020007000610072006100200063007200650061007200200064006f00630075006d0065006e0074006f0073002000640065002000410064006f0062006500200050004400460020007000610072006100200063006f006e00730065006700750069007200200069006d0070007200650073006900f3006e002000640065002000630061006c006900640061006400200065006e00200069006d0070007200650073006f0072006100730020006400650020006500730063007200690074006f00720069006f00200079002000680065007200720061006d00690065006e00740061007300200064006500200063006f00720072006500630063006900f3006e002e002000530065002000700075006500640065006e00200061006200720069007200200064006f00630075006d0065006e0074006f00730020005000440046002000630072006500610064006f007300200063006f006e0020004100630072006f006200610074002c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000200079002000760065007200730069006f006e0065007300200070006f00730074006500720069006f007200650073002e>
/FRA <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>
/ITA <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>
/JPN <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>
/KOR <FEFFc7740020c124c815c7440020c0acc6a9d558c5ec0020b370c2a4d06cd0d10020d504b9b0d1300020bc0f0020ad50c815ae30c5d0c11c0020ace0d488c9c8b85c0020c778c1c4d560002000410064006f0062006500200050004400460020bb38c11cb97c0020c791c131d569b2c8b2e4002e0020c774b807ac8c0020c791c131b41c00200050004400460020bb38c11cb2940020004100630072006f0062006100740020bc0f002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e00300020c774c0c1c5d0c11c0020c5f40020c2180020c788c2b5b2c8b2e4002e>
/NLD (Gebruik deze instellingen om Adobe PDF-documenten te maken voor kwaliteitsafdrukken op desktopprinters en proofers. De gemaakte PDF-documenten kunnen worden geopend met Acrobat en Adobe Reader 5.0 en hoger.)
/NOR <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>
/PTB <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>
/SUO <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>
/SVE <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>
/ENU (Use these settings to create Adobe PDF documents for quality printing on desktop printers and proofers. Created PDF documents can be opened with Acrobat and Adobe Reader 5.0 and later.)
>>
/Namespace [
(Adobe)
(Common)
(1.0)
]
/OtherNamespaces [
<<
/AsReaderSpreads false
/CropImagesToFrames true
/ErrorControl /WarnAndContinue
/FlattenerIgnoreSpreadOverrides false
/IncludeGuidesGrids false
/IncludeNonPrinting false
/IncludeSlug false
/Namespace [
(Adobe)
(InDesign)
(4.0)
]
/OmitPlacedBitmaps false
/OmitPlacedEPS false
/OmitPlacedPDF false
/SimulateOverprint /Legacy
>>
<<
/AddBleedMarks false
/AddColorBars false
/AddCropMarks false
/AddPageInfo false
/AddRegMarks false
/ConvertColors /NoConversion
/DestinationProfileName ()
/DestinationProfileSelector /NA
/Downsample16BitImages true
/FlattenerPreset <<
/PresetSelector /MediumResolution
>>
/FormElements false
/GenerateStructure true
/IncludeBookmarks false
/IncludeHyperlinks false
/IncludeInteractive false
/IncludeLayers false
/IncludeProfiles true
/MultimediaHandling /UseObjectSettings
/Namespace [
(Adobe)
(CreativeSuite)
(2.0)
]
/PDFXOutputIntentProfileSelector /NA
/PreserveEditing true
/UntaggedCMYKHandling /LeaveUntagged
/UntaggedRGBHandling /LeaveUntagged
/UseDocumentBleed false
>>
]
>> setdistillerparams
<<
/HWResolution [2400 2400]
/PageSize [612.000 792.000]
>> setpagedevice
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-27913 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1726-7714 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:46:04Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут термоелектрики НАН України та МОН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. 2011-10-24T00:20:57Z 2011-10-24T00:20:57Z 2009 Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Термоелектрика. — 2009. — № 1. — С. 56-59. — Бібліогр.: 20 назв. — укр. 1726-7714 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/27913 У роботі проаналізовано властиві нанооб’єктів (типу квантових точок, квантових ниток і т. п.) недосконалості, які необхідно враховувати в разі розробки наноструктурних матеріалів, призначених для використання в мікроелектроніці, термоелектроперетворювачах нового покоління, а також в інших областях електронної техніки. В работе проанализированы присущие нанообъектам (типа квантовых точек, квантовых нитей и т. п.) несовершенства, которые необходимо учитывать при разработке наноструктурных материалов, предназначенных для использования в микроэлектронике, термоэлектропреобразователях нового поколения, а также в других областях электронной техники. This paper analyzes peculiar to nanoobjects (quantum dots, quantum wires, etc.) imperfections that must be taken into account in the development of nanostructured material intended for use in microelectronics, thermoelectric converters of new generation, as well as in other fields of electronic engineering. uk Інститут термоелектрики НАН України та МОН України Термоелектрика Матеріалознавство Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів Состояние и перспективы наноструктурных термоэлектрических материалов Current status and prospects of nanostructured thermoelectric materials Article published earlier |
| spellingShingle | Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. Матеріалознавство |
| title | Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів |
| title_alt | Состояние и перспективы наноструктурных термоэлектрических материалов Current status and prospects of nanostructured thermoelectric materials |
| title_full | Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів |
| title_fullStr | Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів |
| title_full_unstemmed | Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів |
| title_short | Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів |
| title_sort | стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів |
| topic | Матеріалознавство |
| topic_facet | Матеріалознавство |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/27913 |
| work_keys_str_mv | AT baransʹkiipí staníperspektivinanostrukturnihtermoelektričnihmateríalív AT gaidargp staníperspektivinanostrukturnihtermoelektričnihmateríalív AT baransʹkiipí sostoânieiperspektivynanostrukturnyhtermoélektričeskihmaterialov AT gaidargp sostoânieiperspektivynanostrukturnyhtermoélektričeskihmaterialov AT baransʹkiipí currentstatusandprospectsofnanostructuredthermoelectricmaterials AT gaidargp currentstatusandprospectsofnanostructuredthermoelectricmaterials |