Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures

Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures

The effects of increase in photoconductivity in the macroporous silicon structures have been examined as a function of the distance between cylinder macropores. The ratio of macroporous silicon photoconductivity to bulk silicon one has been found to achieve a maximum at the distance between macropor...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Хімія, фізика та технологія поверхні
Datum:2010
Hauptverfasser: Karachevtseva, L.A., Onyshchenko, V.F., Sachenko, A.V.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2010
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/28960
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures / L.A. Karachevtseva, V.F. Onyshchenko, A.V. Sachenko // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 1. — С. 87-93. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-28960
record_format dspace
spelling Karachevtseva, L.A.
Onyshchenko, V.F.
Sachenko, A.V.
2011-11-26T20:36:12Z
2011-11-26T20:36:12Z
2010
Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures / L.A. Karachevtseva, V.F. Onyshchenko, A.V. Sachenko // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 1. — С. 87-93. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
2079-1704
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/28960
544.77:538.945
The effects of increase in photoconductivity in the macroporous silicon structures have been examined as a function of the distance between cylinder macropores. The ratio of macroporous silicon photoconductivity to bulk silicon one has been found to achieve a maximum at the distance between macropores equal to the double thickness of the Shottky layer what corresponds to the experimental results. The relaxation time of photoconductivity for macroporous silicon structures was found to be defined by the light modulation of the barrier on macropore surfaces whereas its relaxation to occur according to the logarithmic law. If T>180 K, the temperature dependence of the relaxation time of photoconductivity is defined by a thermo-emission mechanism of the current transport in the space charge region and below 100 K the relaxation time is controlled by the processes of tunnel current flow.
Досліджені ефекти підвищення фотопровідності в структурах макропористого кремнію в залежності від відстані між циліндричними макропорами. Встановлено, що відношення фотопровідності макропористого кремнію до фотопровідності монокристалічного кремнію досягає максимуму при відстані між порами, яка дорівнює двом товщинам шару Шотткі, що відповідає результатам експерименту. Час релаксації фотопровідності структур макропористого кремнію визначається модуляцією світлом бар'єру на поверхні макропор, а її релаксація відбувається за логарифмічним законом. При T>180.К температурна залежність часу релаксації фотопровідності визначається термоемісійним механізмом проходження струму в області просторового заряду, а при T<100.К - тунельними процесами струмопереносу.
Исследованы эффекты повышения фотопроводимости в структурах макропористого кремния в зависимости от расстояния между цилиндрическими макропорами. Установлено, что отношение фотопроводимости макропористого кремния к фотопроводимости монокристаллического кремния достигает максимума при расстоянии между порами, равном двум толщинам слоя Шоттки в соответствии с результатами эксперимента. Время релаксации фотопроводимости структур макропористого кремния определяется модуляцией светом барьера на поверхности макропор, а ее релаксация происходит по логарифмическому закону. При Т>180.К температурная зависимость времени релаксации фотопроводимости определяется термоэмиссионным механизмом прохождения тока в области пространственного заряда, а при Т<100К - туннельными процессами токопереноса.
en
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
Хімія, фізика та технологія поверхні
Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures
Особливості фотоефекту в структурах макропористого кремнію
Особенности фотоэффекта в структурах макропористого кремния
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures
spellingShingle Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures
Karachevtseva, L.A.
Onyshchenko, V.F.
Sachenko, A.V.
title_short Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures
title_full Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures
title_fullStr Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures
title_full_unstemmed Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures
title_sort photoeffect peculiarities in macroporous silicon structures
author Karachevtseva, L.A.
Onyshchenko, V.F.
Sachenko, A.V.
author_facet Karachevtseva, L.A.
Onyshchenko, V.F.
Sachenko, A.V.
publishDate 2010
language English
container_title Хімія, фізика та технологія поверхні
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
format Article
title_alt Особливості фотоефекту в структурах макропористого кремнію
Особенности фотоэффекта в структурах макропористого кремния
description The effects of increase in photoconductivity in the macroporous silicon structures have been examined as a function of the distance between cylinder macropores. The ratio of macroporous silicon photoconductivity to bulk silicon one has been found to achieve a maximum at the distance between macropores equal to the double thickness of the Shottky layer what corresponds to the experimental results. The relaxation time of photoconductivity for macroporous silicon structures was found to be defined by the light modulation of the barrier on macropore surfaces whereas its relaxation to occur according to the logarithmic law. If T>180 K, the temperature dependence of the relaxation time of photoconductivity is defined by a thermo-emission mechanism of the current transport in the space charge region and below 100 K the relaxation time is controlled by the processes of tunnel current flow. Досліджені ефекти підвищення фотопровідності в структурах макропористого кремнію в залежності від відстані між циліндричними макропорами. Встановлено, що відношення фотопровідності макропористого кремнію до фотопровідності монокристалічного кремнію досягає максимуму при відстані між порами, яка дорівнює двом товщинам шару Шотткі, що відповідає результатам експерименту. Час релаксації фотопровідності структур макропористого кремнію визначається модуляцією світлом бар'єру на поверхні макропор, а її релаксація відбувається за логарифмічним законом. При T>180.К температурна залежність часу релаксації фотопровідності визначається термоемісійним механізмом проходження струму в області просторового заряду, а при T<100.К - тунельними процесами струмопереносу. Исследованы эффекты повышения фотопроводимости в структурах макропористого кремния в зависимости от расстояния между цилиндрическими макропорами. Установлено, что отношение фотопроводимости макропористого кремния к фотопроводимости монокристаллического кремния достигает максимума при расстоянии между порами, равном двум толщинам слоя Шоттки в соответствии с результатами эксперимента. Время релаксации фотопроводимости структур макропористого кремния определяется модуляцией светом барьера на поверхности макропор, а ее релаксация происходит по логарифмическому закону. При Т>180.К температурная зависимость времени релаксации фотопроводимости определяется термоэмиссионным механизмом прохождения тока в области пространственного заряда, а при Т<100К - туннельными процессами токопереноса.
issn 2079-1704
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/28960
citation_txt Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures / L.A. Karachevtseva, V.F. Onyshchenko, A.V. Sachenko // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 1. — С. 87-93. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT karachevtsevala photoeffectpeculiaritiesinmacroporoussiliconstructures
AT onyshchenkovf photoeffectpeculiaritiesinmacroporoussiliconstructures
AT sachenkoav photoeffectpeculiaritiesinmacroporoussiliconstructures
AT karachevtsevala osoblivostífotoefektuvstrukturahmakroporistogokremníû
AT onyshchenkovf osoblivostífotoefektuvstrukturahmakroporistogokremníû
AT sachenkoav osoblivostífotoefektuvstrukturahmakroporistogokremníû
AT karachevtsevala osobennostifotoéffektavstrukturahmakroporistogokremniâ
AT onyshchenkovf osobennostifotoéffektavstrukturahmakroporistogokremniâ
AT sachenkoav osobennostifotoéffektavstrukturahmakroporistogokremniâ
first_indexed 2025-12-07T21:17:11Z
last_indexed 2025-12-07T21:17:11Z
_version_ 1850885780064436224

Ähnliche Einträge