Влияние поверхности на перенос заряда в тонких металлических пленках на основе непереходных металлов

• Veröffentlicht in: Хімія, фізика та технологія поверхні
• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Бигун, Р.И., Стасюк, З.В., Барабаш, М.Ю., Куницкий, Ю.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2010
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/28970
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние поверхности на перенос заряда в тонких металлических пленках на основе непереходных металлов / Р.И. Бигун, З.В. Стасюк, М.Ю. Барабаш, Ю.А. Куницкий // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 2. — С. 128-137. — Бібліогр.: 50 назв. — рос.

Обсуждается проблема создания сверхтонких (толщина слоя от 2 до 5 нм) электрически сплошных проводящих стабильных слоев металлов и исследования их электрических свойств. Рассмотрена возможность применения сурфактантных подслоев для предотвращения коагуляции зародышей кристаллизации в процессе роста пленок. Сделан анализ современного состояния модельных представлений о переносе заряда в металлических образцах ограниченных размеров и на его основе проведена трактовка результатов экспериментального исследования сверхтонких металлических пленок. Обговорено проблему створення надтонких (товщина шару від 2 до 50 нм) електрично суцільніх стабільних провідних шарів металів і вивчення їхніх електричних властивостей. Розглянуто можливість застосування сурфактантних підшарів для запобігання коагуляції зародків кристалізації в процесі росту плівок. Здійснено аналіз сучасного стану модельних уявлень про перенесення заряду в металевих зразках обмежених розмірів і на його основі проведено трактування результатів експериментального дослідження надтонких металевих плівок. The problems of ultrathin stable electrically continuous metal films fabrication and their electron transport properties investigation were discussed. The surfactant underlayers utilizing to prevent the coagulation process of metal grains during metal film condensation has been discussed. The analyzed modern theoretical views on electron transport properties of metal film have been reviewed. The experimental data are explained within the framework of modern theoretical models.