Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface

Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface

Equilibrium spatial structure of the Si89(OH)43H*36 cluster model simulated for a pyramid-like formation on porous silicon surface has been calculated within the frameworks of density functional theory method with 6-31G** basis set. The electron charge and electrostatic field distribution have been...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Хімія, фізика та технологія поверхні
Дата:2010
Автори: Terebinska, M.I., Lobanov, V.V., Grebenyuk, A.G.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2010
Теми:
Теорія хімічної будови, реакційної здатності та хімічного модифікування поверхні твердих тіл
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/28983
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface / M.I. Terebinska, V.V. Lobanov, A.G. Grebenyuk // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 235-237. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-28983
record_format dspace
spelling Terebinska, M.I.
Lobanov, V.V.
Grebenyuk, A.G.
2011-11-27T16:02:36Z
2011-11-27T16:02:36Z
2010
Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface / M.I. Terebinska, V.V. Lobanov, A.G. Grebenyuk // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 235-237. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.
2079-1704
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/28983
544.723
Equilibrium spatial structure of the Si89(OH)43H*36 cluster model simulated for a pyramid-like formation on porous silicon surface has been calculated within the frameworks of density functional theory method with 6-31G** basis set. The electron charge and electrostatic field distribution have been evaluated in the vicinity of such a formation. The electrostatic field tensity has been found to be great enough to ionize adsorbed organic molecules.
Методом функціоналу електронної густини з використанням базисного набору 6-31 G** розраховано рівноважну просторову будову кластерної моделі складу Si89(OH)43H*36 для пірамідального утворення на поверхні поруватого силіцію. Одержано розподіл електронного заряду та електростатичного поля в околі такого утворення. Виявлено, що напруженість електростатичного поля достатня для іонізації адсорбованих органічних молекул.
Методом функционала электронной плотности с использованием базисного набора 6-31 G** рассчитано равновесное пространственное строение кластерной модели состава Si89(OH)43H*36 для пирамидального образования на поверхности пористого кремния. Получено распределение электронного заряда и электростатического поля вблизи такого образования. Обнаружено, что напряженность электростатического поля достаточна для ионизации адсорбированных органических молекул.
en
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
Хімія, фізика та технологія поверхні
Теорія хімічної будови, реакційної здатності та хімічного модифікування поверхні твердих тіл
Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
Напруженість електростатичного поля в околі неоднорідностей на поверхні поруватого силіцію
Напряженность электростатического поля вблизи неоднородностей на поверхности пористого кремния
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
spellingShingle Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
Terebinska, M.I.
Lobanov, V.V.
Grebenyuk, A.G.
Теорія хімічної будови, реакційної здатності та хімічного модифікування поверхні твердих тіл
title_short Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
title_full Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
title_fullStr Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
title_full_unstemmed Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
title_sort electrostatic field tensities near irregularities of porous silicon surface
author Terebinska, M.I.
Lobanov, V.V.
Grebenyuk, A.G.
author_facet Terebinska, M.I.
Lobanov, V.V.
Grebenyuk, A.G.
topic Теорія хімічної будови, реакційної здатності та хімічного модифікування поверхні твердих тіл
topic_facet Теорія хімічної будови, реакційної здатності та хімічного модифікування поверхні твердих тіл
publishDate 2010
language English
container_title Хімія, фізика та технологія поверхні
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
format Article
title_alt Напруженість електростатичного поля в околі неоднорідностей на поверхні поруватого силіцію
Напряженность электростатического поля вблизи неоднородностей на поверхности пористого кремния
description Equilibrium spatial structure of the Si89(OH)43H*36 cluster model simulated for a pyramid-like formation on porous silicon surface has been calculated within the frameworks of density functional theory method with 6-31G** basis set. The electron charge and electrostatic field distribution have been evaluated in the vicinity of such a formation. The electrostatic field tensity has been found to be great enough to ionize adsorbed organic molecules. Методом функціоналу електронної густини з використанням базисного набору 6-31 G** розраховано рівноважну просторову будову кластерної моделі складу Si89(OH)43H*36 для пірамідального утворення на поверхні поруватого силіцію. Одержано розподіл електронного заряду та електростатичного поля в околі такого утворення. Виявлено, що напруженість електростатичного поля достатня для іонізації адсорбованих органічних молекул. Методом функционала электронной плотности с использованием базисного набора 6-31 G** рассчитано равновесное пространственное строение кластерной модели состава Si89(OH)43H*36 для пирамидального образования на поверхности пористого кремния. Получено распределение электронного заряда и электростатического поля вблизи такого образования. Обнаружено, что напряженность электростатического поля достаточна для ионизации адсорбированных органических молекул.
issn 2079-1704
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/28983
citation_txt Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface / M.I. Terebinska, V.V. Lobanov, A.G. Grebenyuk // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 235-237. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT terebinskami electrostaticfieldtensitiesnearirregularitiesofporoussiliconsurface
AT lobanovvv electrostaticfieldtensitiesnearirregularitiesofporoussiliconsurface
AT grebenyukag electrostaticfieldtensitiesnearirregularitiesofporoussiliconsurface
AT terebinskami napruženístʹelektrostatičnogopolâvokolíneodnorídnosteinapoverhníporuvatogosilícíû
AT lobanovvv napruženístʹelektrostatičnogopolâvokolíneodnorídnosteinapoverhníporuvatogosilícíû
AT grebenyukag napruženístʹelektrostatičnogopolâvokolíneodnorídnosteinapoverhníporuvatogosilícíû
AT terebinskami naprâžennostʹélektrostatičeskogopolâvblizineodnorodnosteinapoverhnostiporistogokremniâ
AT lobanovvv naprâžennostʹélektrostatičeskogopolâvblizineodnorodnosteinapoverhnostiporistogokremniâ
AT grebenyukag naprâžennostʹélektrostatičeskogopolâvblizineodnorodnosteinapoverhnostiporistogokremniâ
first_indexed 2025-12-01T00:46:00Z
last_indexed 2025-12-01T00:46:00Z
_version_ 1850858919556022272

Схожі ресурси