Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface

• Опубліковано в: : Хімія, фізика та технологія поверхні
• Дата: 2010
• Автори: Terebinska, M.I., Lobanov, V.V., Grebenyuk, A.G.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2010
• Теми: Теорія хімічної будови, реакційної здатності та хімічного модифікування поверхні твердих тіл
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/28983
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface / M.I. Terebinska, V.V. Lobanov, A.G. Grebenyuk // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 235-237. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Equilibrium spatial structure of the Si89(OH)43H*36 cluster model simulated for a pyramid-like formation on porous silicon surface has been calculated within the frameworks of density functional theory method with 6-31G** basis set. The electron charge and electrostatic field distribution have been...