Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films
Depth profiles of the near-surface region and chemical composition for amorphous films deposited from Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months ageing under ambient conditions have been studied by the methods of Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectros...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Хімія, фізика та технологія поверхні |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/29005 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films / T.N. Shchurova, N.D. Savchenko, K.O. Popovic, N.Yu. Baran // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 343-347. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860076980720893952 |
|---|---|
| author | Shchurova, T.N. Savchenko, N.D. Popovic, K.O. Baran, N.Yu. |
| author_facet | Shchurova, T.N. Savchenko, N.D. Popovic, K.O. Baran, N.Yu. |
| citation_txt | Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films / T.N. Shchurova, N.D. Savchenko, K.O. Popovic, N.Yu. Baran // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 343-347. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Хімія, фізика та технологія поверхні |
| description | Depth profiles of the near-surface region and chemical composition for amorphous films deposited from Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months ageing under ambient conditions have been studied by the methods of Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that there is a surface layer of about 30 nm thickness enriched with oxygen, germanium, and selenium atoms and depleted of arsenic atoms. It has been found that in the process of natural ageing in the near-surface layer of Ge33As12Se55 film the decrease in the relative concentration of germanium and arsenic is observed, with the simultaneous increase in the concentration of selenium and oxygen associated with the formation of As2O3 and GeO2, oxide compounds resulting in а loosening of the surface layer.
Методами Оже-електронної спектроскопії і рентгенівської фотоелектронної спектроскопії досліджувалися профілі розподілу елементів по глибині приповерхневого шару і хімічний склад аморфних плівок напилених зі стекол Ge33As12Se55, а також їх зміна при природному старінні протягом півроку. Показано, що існує поверхневий шар товщиною до 30 нм, збагачений атомами оксигену, германію та селену і збіднений атомами арсену. У процесі природного старіння в приповерхневому шарі плівки Ge33As12Se55 спостерігається зниження відносної концентрації германію та арсену при одночасному збільшенні концентрації селену та оксигену, що пов'язано з утворенням оксидних сполук As2O3 і GеО2, внаслідок чого відбувається розпушення поверхневого шару.
Методами Оже-электронной спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовались профили распределения элементов по толщине приповерхностного слоя и химический состав аморфных пленок, напыленных из стекол Ge33As12Se55, а также их изменение при естественном старении в течение полугода. Показано, что существует поверхностный слой толщиной до 30 нм, обогащенный атомами кислорода, германия и селена, и обедненный атомами мышьяка. В процессе естественного старения в приповерхностном слое пленки Ge33As12Se55 наблюдается снижение относительной концентрации германия и мышьяка при одновременном увеличении концентрации селена и кислорода, что связано с образованием оксидных соединений As2O3 и GеО2, вследствие чего происходит разрыхление поверхностного слоя.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:14:19Z |
| format | Article |
| fulltext |
Хімія, фізика та технологія поверхні. 2010. Т. 1. № 3. С. 343–347
_____________________________________________________________________________________________
ХФТП 2010. Т. 1. № 3 343
UDC 539.216+539.389.3:539.27
DEPTH PROFILING OF THE NEAR-SURFACE LAYER
FOR Ge33As12Se55 THIN FILMS
T.N. Shchurova1, N.D. Savchenko1, K.O. Popovic2, N.Yu. Baran1
1Uzhgorod National University
13 Kapitulna Street, Uzhgorod 88000, Ukraine, shchrv@ukr.net
2NanoTecCenter Weiz Forschungsgesellschaft mbH
32 Franz-Pichler-Strasse, Weiz A-8160, Austria, karl.popovic@ntc-weiz.at
Depth profiles of the near-surface region and chemical composition for amorphous films deposited from
Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months ageing under ambient conditions have
been studied by the methods of Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. It has
been shown that there is a surface layer of about 30 nm thickness enriched with oxygen, germanium, and
selenium atoms and depleted of arsenic atoms. It has been found that in the process of natural ageing in the
near-surface layer of Ge33As12Se55 film the decrease in the relative concentration of germanium and arsenic
is observed, with the simultaneous increase in the concentration of selenium and oxygen associated with the
formation of As2O3 and GeO2, oxide compounds resulting in а loosening of the surface layer.
INTRODUCTION
Chalcogenide vitreous semiconductors in the
bulk, film, and fiber form find new applications and
are promising for development of passive and active
components for opto- and nanoelectronics due to
memory effects, nonlinear and other properties ob-
served in these materials. The composition under
investigation was selected from the Ge-As-Se fam-
ily as a result of long-term studies of physical,
chemical, optical, and electro-physical properties of
glasses and films by different authors, including us
(see, e.g., [1–5]). Over the past five years, much
attention was focused on a comprehensive study of
Ge33As12Se55 glasses and films. Specific properties
of this material have made possible a variety of de-
vices, including non-linear integrated optical de-
vices based on planar waveguides [6–10]. Since in
going to nanoscale objects the influence of surface
effects become significant, the studies of the surface
properties and processes that occur on the surface
are of a great importance. Thus, the motivation of
these studies was the necessity of a deeper under-
standing of the relationship between structure and
properties, aimed to improving the performances of
new devices, their life time, the search for new ap-
plications and technological methods.
EXPERIMENTAL
The chemical composition of Ge33As12Se55
films in the near-surface region and its changes
during ageing under ambient conditions have
been studied by the methods of Auger electron
spectroscopy (AES) and X-ray photoelectron
spectroscopy (XPS). The experiments on surface
analysis of thin films were carried out in ultrahigh
vacuum of about 10-8 Pa with the help of PHI-590
scanning Auger microscope integrated with PHI
ESCA spectrometer combining measurements of
Auger spectra and X-ray photoelectron spectra.
Auger spectra were recorded at primary electron
beam energy of 5 KeV, the value of beam current
up to 2×10-6 A/cm2 and energy resolution of the
analyzer of ∼0.4%. Depth profiles were obtained
with Ar ion sputtering at ion energy of ~2 KeV.
For excitation of photoelectrons, AlKα (hν =
1486.6 eV) X-ray source was used with energy
width of 0.85 eV. Resolution of the energy peaks
in XPS spectra was of 0.5 eV.
Thin films of 120 nm thickness for the stud-
ies of the chemical composition of near-surface
region were deposited onto unheated silicon sub-
strates by thermal flash evaporation of bulk
Ge33As12Se55 glass from the effusion cells in
vacuum at a pressure of 10-3 Pa and source tem-
perature ~ 800 K. The distance between the
source and the effusion cell was about 30 cm.
Film deposition rate was about (6.0 ± 0.1) nm/s.
The starting bulk glasses were prepared by the
conventional method of melting of the relevant
mixture of high-purity (5N) As, Se, and Ge com-
T.N. Shchurova, N.D. Savchenko, K.O. Popovic, N.Yu.Baran
_____________________________________________________________________________________________
344 ХФТП 2010. Т. 1. № 3
ponents in pumped and sealed quartz ampoules
with the subsequent quenching of the melt.
RESULTS AND DISCUSSION
Fig. 1 shows depth profiles of the relative
changes in concentration of selenium, germanium,
arsenic (a) and oxygen and carbon (b) atoms in the
near-surface region of Ge33As12Se55 film.
0 10 20 30 40 50
Depth (nm)
0
10
20
30
dN
(E
)/
dE
(
re
l.
un
it
s) 1
2
3
I II III
a
0 10 20 30 40 50
Depth (nm)
0
5
10
15
dN
(E
)/
dE
(
re
l.
un
it
s)
5
4
IIII II
b
Fig. 1. Depth profiles of chemical elements at the sur-
face of Ge33As12Se55 film a – Ge (curve 1),
As (curve 2), Se (curve 3); b – C (curve 4),
O (curve 5). Dashed lines show depth profiles
of the elements for the films after the half year
ageing under ambient conditions
In these depth profiles we can separate three
regions of chemical elements. For germanium and
arsenic chemical elements in the regions I and II,
complex depth distribution is observed, when the
concentrations of the other observed elements,
namely, selenium, oxygen and carbon, decreases
with depth up to 30 nm. At greater depth (re-
gion III) chemical composition remains the same
both for the as-deposited and for the aged films.
As it is seen from Fig. 1 (dotted lines), the behav-
iour of depth distribution of chemical elements in
as-deposited films does not change after storage
for six months in the laboratory. However, as a
result of natural ageing in the near-surface layer
of Ge33As12Se55 film, the decrease in germanium,
arsenic, and carbon concentration is observed,
while the relative concentration of selenium and
oxygen increases.
Fig. 2 shows Se, As, and Ge 3d XPS spectra for
Ge33As12Se55 films. Comparing the spectra for as-
deposited film (a) and half year aged film (b), we
can see that the spectra show additional peaks corre-
sponding to the formation of oxide compounds,
such as As2O3 and GeO2, and the peaks correspond-
ing to different chemical bonds manifest themselves
indicating a process of self-organization of film
structure under ambient conditions.
70 60 50 40 30 20
Binding energy (eV)
In
te
gr
al
c
ou
nt
r
at
e
(a
rb
.u
ni
ts
)
Se
GeAs
a
70 60 50 40 30 20
Binding energy (eV)
In
te
gr
al
c
ou
nt
r
at
e
(a
rb
.u
ni
ts
)
Se
GeO 2
As 2O3
As 2Se 3
GeSe
b
Fig. 2. 3d XPS spectra of Ge33As12Se55 film:
a – as-deposited; b – after half year ageing
Depth Profiling of the Near-Surface Layer
_____________________________________________________________________________________________
ХФТП 2010. Т. 1. № 3 345
These peaks are shown on enlarged scale in
Fig. 3 a–c, for each of the Ge33As12Se55 film com-
ponents, namely selenium (a), arsenic (b) and
germanium (c), near the 3d states. The possible
chemical bounds responsible for the features seen
in Fig. 3 are collected in the Table, compiled
from the data of published handbooks and elec-
tronic directories of "XPS International Inc." and
"Perking-Elmer Corporation" companies, U.S.
Lawrence Berkeley National Laboratory [11–14]
and databases collected in the review [15].
GeSe 2
505560
Binding energy (eV)
In
te
gr
al
c
ou
nt
r
at
e
(p
ul
se
s/
40
s)
Se3d3 Se3d5
GeSeSe3d
a
4045
Binding energy (eV)
In
te
gr
al
c
ou
nt
r
at
e
(p
ul
se
s/
40
s)
As
As 2O3
As 2O5 As 2Se 3
b
3035
Binding energy (eV)
In
te
gr
al
c
ou
nt
r
at
e
(p
ul
se
s/
40
s)
GeSe 3
GeSeGeO 2
Ge
GeAs 2
GeSe 2
c
Fig. 3. XPS spectra for 3d Se (a), As (b), and Ge (c) in
Ge33As12Se55 film
Table. Energy of the chemical bounds, possible be-
tween the components of Ge33As12Se55 glass
and oxygen
Energy (eV) Chemical bound
Se
54.5 GeSe
54.9; 55.1; 55.7 Se
55.2 GeSe2
As
41.3;41.5 As
42.8 As2Se3
44.2; 44.9; 45.0 As2O3
44.9; 45.9; 46.0 As2O5
Ge
29.0; 29.1 Ge
29.5; 29.6 GeAs2
30.5; 31.5 GeSe
30.5; 30.9 GeSe2
31.0 GeSe3
32.2; 32.5; 32.7; 33.2 GeO2
The studies of the microstructure for
Ge33As12Se55 films in transmission electron mi-
croscope have shown that the diffraction pat-
tern of the films is typical of amorphous mate-
rials, and the structure of the films consists of
30–40 nm size areas of dense phase separated by
the areas with lower density. From these studies
we can assume that the areas of a denser phase
present self-limited ordered clusters, which are
surrounded by the channels of molecular dimen-
sions. In these channels it is possible to find dif-
ferent type of inclusions and over stoichiometric
atoms, which do not form chemical bonds with
the clusters.
Considering the data of Auger-electron
spectroscopy and X-ray photoelectron spec-
troscopy, we can assume that the surface layer
is formed as follows. Germanium, arsenic, and
selenium atoms which do not interact with
clusters diffusing to the surface, where some
of them, interacting with O2 or H2O molecules,
form As2O3 and GeO2 natural oxide com-
pounds, and form GeSe, GeSe2, GeSe3, and,
possibly, GeAs2 chemical bonds. Volatile
As2O3 compound leaves the surface for the
atmosphere, resulting in a depletion of the sur-
face layer of arsenic atoms.
Recent research of Wang R. with co-
authors [8] concerning the effects of thermal
processing on the surface oxidation of
Ge33As12Se55 films obtained by ultrafast laser
deposition confirms the value of possible
T.N. Shchurova, N.D. Savchenko, K.O. Popovic, N.Yu.Baran
_____________________________________________________________________________________________
346 ХФТП 2010. Т. 1. № 3
penetration depth for oxygen obtained in our
studies and the presence of germanium and
arsenic oxides both at the surface of as-
deposited films and under the next film proc-
essing despite all precautionary measures to
protect the films from the environment attack.
CONCLUSIONS
Analysis of Auger spectra of the surface
for Ge33As12Se55 amorphous films and depth
profiles of chemical elements has shown that
there is a surface layer of 30 nm thickness en-
riched with oxygen, germanium, and selenium
atoms and depleted of arsenic atoms. It has
been found that in the process of natural age-
ing in the near-surface layer of Ge33As12Se55
film the decrease in the relative concentration
of germanium and arsenic is observed, with
the simultaneous increase in the concentration
of selenium and oxygen, associated with the
formation of As2O3 and GeO2, oxide com-
pounds resulting in loosening of the surface
layer.
REFERENCES
1. Savchenko N.D., Kondrat A.B., Shchu-
rova T.N., Dovgoshey N.I. Bands splitting in
heterojunctions chalcogenide film – crystal-
line semiconductor // Proc. Ukr. Vac. Soc 8th
Int. Symp. Thin Films in Electronics / eds.
V.G. Cherepin, V.M. Shulayev. – Kharkiv,
1997. – P. 262–265.
2. Savchenko N., Shchurova T., Trunov M. et al.
Deposition technique and external factors ef-
fect on Ge33As12Se55 - Si heterostructure me-
chanical properties // Proc. SPIE. – 1997. –
V. 3182. – P. 319–324.
3. Savchenko N. Energy band diagram for the
Ge33As12Se55 - Si heteroboundary // Inst.
Phys. Conf. N 152. - IOP Publishing Ltd,
1998. - P. 723-726.
4. Dovgoshey N.I., Kondrat O.B., Sav-
chenko N.D., Sidor Yu.J. The influence elec-
trode material on charge transition in struc-
tures Si – Ge33As33Se55 investigation // Phy-
sics and chemistry of solid state. – 2000. –
V. 1, N 1. – P. 119–123.
5. Shchurova T.N., Savchenko N.D., Kon-
drat A.B., Opachko I.I. Auger analysis and
simulation of electronic states for
Ge33As12Se55 - p-Si heterojunction // Surf. In-
terface Anal. – 2006. – V. 38. – P. 448–451.
6. Savchenko N.D., Kondrat A.B., Shchu-
rova T.N. et al. Amorphous-crystalline he-
terojunctions for optoelectronic sensors: Elec-
tronic structure and properties // Sensor Elec-
tronics and Microsystem Technologies. -
2007. - N 4. - P. 21-25.
7. Zakery A., Hatami M. Nonlinear optical
properties of pulsed-laser-deposited GeAsSe
films and simulation of a nonlinear direc-
tional coupler switch // J. Opt. Soc. Am. B. -
2005. - V. 22, N 3. - P. 591–597.
8. Wang R., Rode A., Choi D.-Y., Luther-
Davies B. Surface Oxidation of Ge33As12Se55
Films // J. Am. Ceram. Soc. – 2008. – V. 91,
N 7. - P. 2371-2373.
9. Wang R.P., Choi D.Y., Rode A.V. et al. Re-
bonding of Se to As and Ge in Ge33As12Se55
films upon thermal annealing: Evidence from
x-ray photoelectron spectra Investigations //
Appl. Phys. - 2007. - V. 101, N 11: -
P. 113517(1–4).
10. Choi D.-Y., Madden S., Rode A. et al. Fabri-
cation of low loss Ge33As12Se55 (AMTIR)
planar waveguides // Appl. Phys. Lett. -
2007. - V. 91, N 11. - P. 011115(1–3).
11. Crist B.V. Handbooks of Monochromatic
XPS Spectra. – Mountain View: XPS Interna-
tional LLC, 2004. – V. 1. – 546 p. – V. 3. –
565 p.
12. Moulder J.F. Stickle W.F., Sobol P.E., Bom-
ben K.D. Handbook of X-ray Photoelectron
Spectroscopy / 2nd edition. – Minnesota:
Perkin-Elmer Corp., 1992. – 259 p.
13. Briggs D., Seah M.P. Practical Surface
Analysis. – New York: John Willey & sons,
1996. – 657 p.
14. XPS and AES Database [Electronic resource]. –
URL: http://www.lasurface.com/xps/index.php;
http://www.xpsdata.com.
15. Crist B.V. A Review of XPS Data-Banks
XPS Reports 2007 // XPS Reports. – 2007. –
V. 1. – P. 1–52.
Received 18.05.2010, accepted 17.08.2010
Depth Profiling of the Near-Surface Layer
_____________________________________________________________________________________________
ХФТП 2010. Т. 1. № 3 347
Визначення профілів розподілу елементів
по глибині приповерхневого шару
тонких плівок Ge33As12Se55
Т.М. Щурова, М.Д. Савченко, К.О. Попович, М.Ю. Баран
Ужгородський національний університет
вул. Капітульна 13, Ужгород 88000, Україна, shchrv@ukr.net
Науково-дослідне товариство НаноТехЦентр
вул. Франца Піхлера 32, Вайц А-8160, Австрія, karl.popovic@ntc-weiz.at
Методами Оже-електронної спектроскопії і рентгенівської фотоелектронної спектроско-
пії досліджувалися профілі розподілу елементів по глибині приповерхневого шару і хімічний
склад аморфних плівок напилених зі стекол Ge33As12Se55, а також їх зміна при природному ста-
рінні протягом півроку. Показано, що існує поверхневий шар товщиною до 30 нм, збагачений
атомами оксигену, германію та селену і збіднений атомами арсену. У процесі природного ста-
ріння в приповерхневому шарі плівки Ge33As12Se55 спостерігається зниження відносної концент-
рації германію та арсену при одночасному збільшенні концентрації селену та оксигену, що по-
в'язано з утворенням оксидних сполук As2O3 і GеО2, внаслідок чого відбувається розпушення по-
верхневого шару.
Определение профилей распределения элементов
по толщине приповерхностного слоя
тонких пленок Ge33As12Se55
Т.Н. Щурова, Н.Д. Савченко, К.О. Попович, Н.Ю. Баран
Ужгородский национальный университет
ул. Капитульная 13, Ужгород 88000, Украина, shchrv@ukr.net
Научно-исследовательское общество НаноТехЦентр
ул. Франца Пихлера 32, Вайц А-8160, Австрия, karl.popovic@ntc-weiz.at
Методами Оже-электронной спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спек-
троскопии исследовались профили распределения элементов по толщине приповерхностного
слоя и химический состав аморфных пленок, напыленных из стекол Ge33As12Se55, а также их
изменение при естественном старении в течение полугода. Показано, что существует по-
верхностный слой толщиной до 30 нм, обогащенный атомами кислорода, германия и селена,
и обедненный атомами мышьяка. В процессе естественного старения в приповерхностном
слое пленки Ge33As12Se55 наблюдается снижение относительной концентрации германия и
мышьяка при одновременном увеличении концентрации селена и кислорода, что связано с об-
разованием оксидных соединений As2O3 и GеО2, вследствие чего происходит разрыхление по-
верхностного слоя.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-29005 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2079-1704 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T17:14:19Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Shchurova, T.N. Savchenko, N.D. Popovic, K.O. Baran, N.Yu. 2011-11-27T18:05:41Z 2011-11-27T18:05:41Z 2010 Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films / T.N. Shchurova, N.D. Savchenko, K.O. Popovic, N.Yu. Baran // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 343-347. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. 2079-1704 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/29005 539.216+539.389.3:539.27 Depth profiles of the near-surface region and chemical composition for amorphous films deposited from Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months ageing under ambient conditions have been studied by the methods of Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that there is a surface layer of about 30 nm thickness enriched with oxygen, germanium, and selenium atoms and depleted of arsenic atoms. It has been found that in the process of natural ageing in the near-surface layer of Ge33As12Se55 film the decrease in the relative concentration of germanium and arsenic is observed, with the simultaneous increase in the concentration of selenium and oxygen associated with the formation of As2O3 and GeO2, oxide compounds resulting in а loosening of the surface layer. Методами Оже-електронної спектроскопії і рентгенівської фотоелектронної спектроскопії досліджувалися профілі розподілу елементів по глибині приповерхневого шару і хімічний склад аморфних плівок напилених зі стекол Ge33As12Se55, а також їх зміна при природному старінні протягом півроку. Показано, що існує поверхневий шар товщиною до 30 нм, збагачений атомами оксигену, германію та селену і збіднений атомами арсену. У процесі природного старіння в приповерхневому шарі плівки Ge33As12Se55 спостерігається зниження відносної концентрації германію та арсену при одночасному збільшенні концентрації селену та оксигену, що пов'язано з утворенням оксидних сполук As2O3 і GеО2, внаслідок чого відбувається розпушення поверхневого шару. Методами Оже-электронной спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовались профили распределения элементов по толщине приповерхностного слоя и химический состав аморфных пленок, напыленных из стекол Ge33As12Se55, а также их изменение при естественном старении в течение полугода. Показано, что существует поверхностный слой толщиной до 30 нм, обогащенный атомами кислорода, германия и селена, и обедненный атомами мышьяка. В процессе естественного старения в приповерхностном слое пленки Ge33As12Se55 наблюдается снижение относительной концентрации германия и мышьяка при одновременном увеличении концентрации селена и кислорода, что связано с образованием оксидных соединений As2O3 и GеО2, вследствие чего происходит разрыхление поверхностного слоя. en Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Хімія, фізика та технологія поверхні Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films Визначення профілів розподілу елементів по глибині приповерхневого шару тонких плівок Ge33As12Se55 Определение профилей распределения элементов по толщине приповерхностного слоя тонких пленок Ge33As12Se55 Article published earlier |
| spellingShingle | Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films Shchurova, T.N. Savchenko, N.D. Popovic, K.O. Baran, N.Yu. Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми |
| title | Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films |
| title_alt | Визначення профілів розподілу елементів по глибині приповерхневого шару тонких плівок Ge33As12Se55 Определение профилей распределения элементов по толщине приповерхностного слоя тонких пленок Ge33As12Se55 |
| title_full | Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films |
| title_fullStr | Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films |
| title_full_unstemmed | Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films |
| title_short | Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films |
| title_sort | depth profiling of the near-surface layer for ge33as12se55 thin films |
| topic | Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми |
| topic_facet | Неорганічні та вуглецеві наноматеріали і наносистеми |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/29005 |
| work_keys_str_mv | AT shchurovatn depthprofilingofthenearsurfacelayerforge33as12se55thinfilms AT savchenkond depthprofilingofthenearsurfacelayerforge33as12se55thinfilms AT popovicko depthprofilingofthenearsurfacelayerforge33as12se55thinfilms AT barannyu depthprofilingofthenearsurfacelayerforge33as12se55thinfilms AT shchurovatn viznačennâprofílívrozpodíluelementívpoglibinípripoverhnevogošarutonkihplívokge33as12se55 AT savchenkond viznačennâprofílívrozpodíluelementívpoglibinípripoverhnevogošarutonkihplívokge33as12se55 AT popovicko viznačennâprofílívrozpodíluelementívpoglibinípripoverhnevogošarutonkihplívokge33as12se55 AT barannyu viznačennâprofílívrozpodíluelementívpoglibinípripoverhnevogošarutonkihplívokge33as12se55 AT shchurovatn opredelenieprofileiraspredeleniâélementovpotolŝinepripoverhnostnogosloâtonkihplenokge33as12se55 AT savchenkond opredelenieprofileiraspredeleniâélementovpotolŝinepripoverhnostnogosloâtonkihplenokge33as12se55 AT popovicko opredelenieprofileiraspredeleniâélementovpotolŝinepripoverhnostnogosloâtonkihplenokge33as12se55 AT barannyu opredelenieprofileiraspredeleniâélementovpotolŝinepripoverhnostnogosloâtonkihplenokge33as12se55 |