Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах

The mathematical model of two breech-block field transistor is grounded in the
 mode of direct displacement on breech-blocks as an indefinite matrix of conductivity of 4th orders. Analytical dependences of parameters of this model are got on the parameters of semiconductor structure.

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Моделювання та інформаційні технології
Date:2011
Main Author: Ліщинська, Л.Б.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України 2011
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/29661
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах / Л.Б. Ліщинська // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є. Пухова НАН України, 2011. — Вип. 59. — С. 41-48. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862709036825182208
author Ліщинська, Л.Б.
author_facet Ліщинська, Л.Б.
citation_txt Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах / Л.Б. Ліщинська // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є. Пухова НАН України, 2011. — Вип. 59. — С. 41-48. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.
collection DSpace DC
container_title Моделювання та інформаційні технології
description The mathematical model of two breech-block field transistor is grounded in the
 mode of direct displacement on breech-blocks as an indefinite matrix of conductivity of 4th orders. Analytical dependences of parameters of this model are got on the parameters of semiconductor structure.
first_indexed 2025-12-07T17:14:41Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-29661
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn XXXX-0068
language Ukrainian
last_indexed 2025-12-07T17:14:41Z
publishDate 2011
publisher Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України
record_format dspace
spelling Ліщинська, Л.Б.
2011-12-25T17:52:07Z
2011-12-25T17:52:07Z
2011
Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах / Л.Б. Ліщинська // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є. Пухова НАН України, 2011. — Вип. 59. — С. 41-48. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.
XXXX-0068
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/29661
621.317
The mathematical model of two breech-block field transistor is grounded in the
 mode of direct displacement on breech-blocks as an indefinite matrix of conductivity of 4th orders. Analytical dependences of parameters of this model are got on the parameters of semiconductor structure.
uk
Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України
Моделювання та інформаційні технології
Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
Article
published earlier
spellingShingle Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
Ліщинська, Л.Б.
title Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
title_full Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
title_fullStr Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
title_full_unstemmed Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
title_short Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
title_sort математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/29661
work_keys_str_mv AT líŝinsʹkalb matematičnamodelʹdvohzatvornogopolʹovogotranzistoravrežimíprâmogozmíŝennânazatvorah