Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах

The mathematical model of two breech-block field transistor is grounded in the mode of direct displacement on breech-blocks as an indefinite matrix of conductivity of 4th orders. Analytical dependences of parameters of this model are got on the parameters of semiconductor structure.

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Моделювання та інформаційні технології
Datum:2011
1. Verfasser: Ліщинська, Л.Б.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України 2011
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/29661
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах / Л.Б. Ліщинська // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є. Пухова НАН України, 2011. — Вип. 59. — С. 41-48. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-29661
record_format dspace
spelling Ліщинська, Л.Б.
2011-12-25T17:52:07Z
2011-12-25T17:52:07Z
2011
Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах / Л.Б. Ліщинська // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є. Пухова НАН України, 2011. — Вип. 59. — С. 41-48. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.
XXXX-0068
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/29661
621.317
The mathematical model of two breech-block field transistor is grounded in the mode of direct displacement on breech-blocks as an indefinite matrix of conductivity of 4th orders. Analytical dependences of parameters of this model are got on the parameters of semiconductor structure.
uk
Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України
Моделювання та інформаційні технології
Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
spellingShingle Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
Ліщинська, Л.Б.
title_short Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
title_full Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
title_fullStr Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
title_full_unstemmed Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
title_sort математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
author Ліщинська, Л.Б.
author_facet Ліщинська, Л.Б.
publishDate 2011
language Ukrainian
container_title Моделювання та інформаційні технології
publisher Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України
format Article
description The mathematical model of two breech-block field transistor is grounded in the mode of direct displacement on breech-blocks as an indefinite matrix of conductivity of 4th orders. Analytical dependences of parameters of this model are got on the parameters of semiconductor structure.
issn XXXX-0068
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/29661
citation_txt Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах / Л.Б. Ліщинська // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є. Пухова НАН України, 2011. — Вип. 59. — С. 41-48. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT líŝinsʹkalb matematičnamodelʹdvohzatvornogopolʹovogotranzistoravrežimíprâmogozmíŝennânazatvorah
first_indexed 2025-12-07T17:14:41Z
last_indexed 2025-12-07T17:14:41Z
_version_ 1850870523489157120