Зображення обкладинки

Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах

The mathematical model of two breech-block field transistor is grounded in the
 mode of direct displacement on breech-blocks as an indefinite matrix of conductivity of 4th orders. Analytical dependences of parameters of this model are got on the parameters of semiconductor structure.

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Моделювання та інформаційні технології
Дата:2011
Автор: Ліщинська, Л.Б.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України 2011
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/29661
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах / Л.Б. Ліщинська // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є. Пухова НАН України, 2011. — Вип. 59. — С. 41-48. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси