Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах

• Veröffentlicht in: Моделювання та інформаційні технології
• Datum: 2011
• 1. Verfasser: Ліщинська, Л.Б.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України 2011
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/29661
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах / Л.Б. Ліщинська // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є. Пухова НАН України, 2011. — Вип. 59. — С. 41-48. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

The mathematical model of two breech-block field transistor is grounded in the mode of direct displacement on breech-blocks as an indefinite matrix of conductivity of 4th orders. Analytical dependences of parameters of this model are got on the parameters of semiconductor structure.