Комп'ютерне моделювання умов утворенння евтектики в системі Hf–HfB

Побудовано термодинамiчний потенцiал подвiйної системи Hf−HfB за методом псевдопотенцiалiв. Енергiю теплових коливань обчислено в рамках моделi Ейнштейна з використанням енергiї взаємодiї мiж атомними площинами. Оцiнена енергiя змiшування систем пiдтверджує факт утворювання евтектики. Визначено конц...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Доповіді НАН України
Datum:2010
Hauptverfasser: Закарян, Д.А., Картузов, В.В., Макара, В.А., Хачатрян, А.В.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2010
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/29682
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Комп'ютерне моделювання умов утворенння евтектики в системі Hf–HfB / Д.А. Закарян, В.В. Картузов, В.А. Макара, А.В. Хачатрян // Доп. НАН України. — 2010. — № 5. — С. 95-100. — Бібліогр.: 7 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Побудовано термодинамiчний потенцiал подвiйної системи Hf−HfB за методом псевдопотенцiалiв. Енергiю теплових коливань обчислено в рамках моделi Ейнштейна з використанням енергiї взаємодiї мiж атомними площинами. Оцiнена енергiя змiшування систем пiдтверджує факт утворювання евтектики. Визначено концентрацiї компонент i температури в точцi евтектики. Обчислено питомий електроопiр для компонентiв та системи в цiлому. The thermodynamical potential of the double system Hf−HFB is built by the method of pseudopotentials. The energy of thermal vibrations is calculated within the framework of the Einstein model with the use of the energy of interaction between atomic planes. The appraised energy of mixing confirms the formation of the eutectic. The concentrations of components and the temperature at the eutectic point are determined. Specific electrical resistances for components and the whole system are calculated.
ISSN:1025-6415