Вплив нейтронного опромінення на вольтамперні характеристики фосфідо-галієвих світлодіодів

• Дата: 2010
• Автори: Вишневський, І.М., Конорева, О.В., Кочкін, В.І., Ластовецький, В.Ф., Литовченко, П.Г., Опилат, В.Я., Тартачник, В.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2010
• Назва видання: Доповіді НАН України
• Теми: Фізика
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/29837
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Вплив нейтронного опромінення на вольтамперні характеристики фосфідо-галієвих світлодіодів / I.М. Вишневський, О.В. Конорева, В. I. Кочкiн, В.Ф. Ластовецький, П. Г. Литовченко, В.Я. Опилат, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2010. — № 6. — С. 69-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Дослiджується вплив опромiнення швидкими нейтронами реактора (E¯ = 1 МеВ) на вольтампернi характеристики (ВАХ) фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв. Виявлено зсув додатних гiлок ВАХ в область менших напруг при малих дозах опромiнення та невеликих робочих струмах. Встановлено, що зростання диференцiйного опору при великих дозах зумовлено збiльшенням опору бази. В основi механiзму, який спричиняє спостережуванi змiни, є падiння часу життя неосновних носiїв струму та захват основних носiїв глибокими рiвнями введених радiацiєю дефектiв.