Вплив нейтронного опромінення на вольтамперні характеристики фосфідо-галієвих світлодіодів - Вишневський, І.М.; Конорева, О.В.; Кочкін, В.І.; Ластовецький, В.Ф.; Литовченко, П.Г.; Опилат, В.Я.; Тартачник, В.П. (Доповіді НАН України, 2010)
Дослiджується вплив опромiнення швидкими нейтронами реактора (E¯ = 1 МеВ) на вольтампернi характеристики (ВАХ) фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв. Виявлено зсув додатних гiлок ВАХ в область менших напруг при малих дозах опромiнення та невеликих робочих струмах. Встановлено, що зростання диференцiйного опору при великих дозах зумовлено збiльшенням опору бази. В основi механiзму, який спричиняє спостережуванi змiни, є падiння часу життя неосновних носiїв струму та захват основних носiїв глибокими рiвнями введених радiацiєю дефектiв. Influence of fast reactor’s neutrons (E¯ = 1 MeV) on the current-voltage characteristics (CVC) of GAP light diodes was studied. A shift of the forward part of CVC into the lower voltage region at low irradiation doses and low operating currents is found. The increase of the differential resistance at large doses of neutrons was determined to depend on the base resistance increase. All these effects are caused by the drop of the minority carriers’ life-time and the capture of main charge carriers by the deep radiation induced levels.