Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії
Експериментально доведено, що в сильно легованих монокристалах n–Si : As наявність градієнта температури на межі рідкої і твердої фаз у процесі їх вирощування з розплаву не приводить до прояву анізотропії у флуктуативному розподілі легуючої домішки. Цей факт демонструє домінуюче значення хаотизації...
Saved in:
| Published in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/30788 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Доп. НАН України. — 2010. — № 11. — С. 77-80. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-30788 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. 2012-02-14T17:51:43Z 2012-02-14T17:51:43Z 2010 Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Доп. НАН України. — 2010. — № 11. — С. 77-80. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. 1025-6415 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/30788 621.315.592.3 Експериментально доведено, що в сильно легованих монокристалах n–Si : As наявність градієнта температури на межі рідкої і твердої фаз у процесі їх вирощування з розплаву не приводить до прояву анізотропії у флуктуативному розподілі легуючої домішки. Цей факт демонструє домінуюче значення хаотизації у просторовому розподілі легуючої домішки за рахунок kT, що відбувається при T=1412 °С у процесі вирощування легованих монокристалів n–Si з розплаву. It is experimentally proved that the presence of the temperature gradient (at the interface of the liquid and solid phases in heavily doped monocrystals of n–Si : As in the process of their growth from a melt) does not lead to an anisotropy in the fluctuating distribution of a doping impurity. This fact shows the dominating role of randomization in the spatial distribution of a doping impurity due to kT (at T=1412 °С) during the growth of n–Si doped monocrystals from a melt. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Матеріалознавство Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії Isotropy of scattering on fluctuations of doping impurities in heavily doped n-silicon Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| spellingShingle |
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. Матеріалознавство |
| title_short |
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| title_full |
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| title_fullStr |
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| title_full_unstemmed |
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| title_sort |
ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| author |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| author_facet |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| topic |
Матеріалознавство |
| topic_facet |
Матеріалознавство |
| publishDate |
2010 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Доповіді НАН України |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Isotropy of scattering on fluctuations of doping impurities in heavily doped n-silicon |
| description |
Експериментально доведено, що в сильно легованих монокристалах n–Si : As наявність градієнта температури на межі рідкої і твердої фаз у процесі їх вирощування з розплаву не приводить до прояву анізотропії у флуктуативному розподілі легуючої домішки. Цей факт демонструє домінуюче значення хаотизації у просторовому розподілі легуючої домішки за рахунок kT, що відбувається при T=1412 °С у процесі вирощування легованих монокристалів n–Si з розплаву.
It is experimentally proved that the presence of the temperature gradient (at the interface of the liquid and solid phases in heavily doped monocrystals of n–Si : As in the process of their growth from a melt) does not lead to an anisotropy in the fluctuating distribution of a doping impurity. This fact shows the dominating role of randomization in the spatial distribution of a doping impurity due to kT (at T=1412 °С) during the growth of n–Si doped monocrystals from a melt.
|
| issn |
1025-6415 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/30788 |
| citation_txt |
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Доп. НАН України. — 2010. — № 11. — С. 77-80. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT baransʹkiipí ízotropnístʹrozsíânnânafluktuacíâhleguûčoídomíškivsilʹnolegovanomunkremníí AT gaidargp ízotropnístʹrozsíânnânafluktuacíâhleguûčoídomíškivsilʹnolegovanomunkremníí AT baransʹkiipí isotropyofscatteringonfluctuationsofdopingimpuritiesinheavilydopednsilicon AT gaidargp isotropyofscatteringonfluctuationsofdopingimpuritiesinheavilydopednsilicon |
| first_indexed |
2025-12-07T17:25:48Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:25:48Z |
| _version_ |
1850871223484940288 |