Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії
Експериментально доведено, що в сильно легованих монокристалах n–Si : As наявність градієнта температури на межі рідкої і твердої фаз у процесі їх вирощування з розплаву не приводить до прояву анізотропії у флуктуативному розподілі легуючої домішки. Цей факт демонструє домінуюче значення хаотизації...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/30788 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Доп. НАН України. — 2010. — № 11. — С. 77-80. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862710649344229376 |
|---|---|
| author | Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| author_facet | Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| citation_txt | Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Доп. НАН України. — 2010. — № 11. — С. 77-80. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Доповіді НАН України |
| description | Експериментально доведено, що в сильно легованих монокристалах n–Si : As наявність градієнта температури на межі рідкої і твердої фаз у процесі їх вирощування з розплаву не приводить до прояву анізотропії у флуктуативному розподілі легуючої домішки. Цей факт демонструє домінуюче значення хаотизації у просторовому розподілі легуючої домішки за рахунок kT, що відбувається при T=1412 °С у процесі вирощування легованих монокристалів n–Si з розплаву.
It is experimentally proved that the presence of the temperature gradient (at the interface of the liquid and solid phases in heavily doped monocrystals of n–Si : As in the process of their growth from a melt) does not lead to an anisotropy in the fluctuating distribution of a doping impurity. This fact shows the dominating role of randomization in the spatial distribution of a doping impurity due to kT (at T=1412 °С) during the growth of n–Si doped monocrystals from a melt.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:25:48Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-30788 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1025-6415 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:25:48Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. 2012-02-14T17:51:43Z 2012-02-14T17:51:43Z 2010 Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Доп. НАН України. — 2010. — № 11. — С. 77-80. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. 1025-6415 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/30788 621.315.592.3 Експериментально доведено, що в сильно легованих монокристалах n–Si : As наявність градієнта температури на межі рідкої і твердої фаз у процесі їх вирощування з розплаву не приводить до прояву анізотропії у флуктуативному розподілі легуючої домішки. Цей факт демонструє домінуюче значення хаотизації у просторовому розподілі легуючої домішки за рахунок kT, що відбувається при T=1412 °С у процесі вирощування легованих монокристалів n–Si з розплаву. It is experimentally proved that the presence of the temperature gradient (at the interface of the liquid and solid phases in heavily doped monocrystals of n–Si : As in the process of their growth from a melt) does not lead to an anisotropy in the fluctuating distribution of a doping impurity. This fact shows the dominating role of randomization in the spatial distribution of a doping impurity due to kT (at T=1412 °С) during the growth of n–Si doped monocrystals from a melt. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Матеріалознавство Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії Isotropy of scattering on fluctuations of doping impurities in heavily doped n-silicon Article published earlier |
| spellingShingle | Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. Матеріалознавство |
| title | Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| title_alt | Isotropy of scattering on fluctuations of doping impurities in heavily doped n-silicon |
| title_full | Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| title_fullStr | Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| title_full_unstemmed | Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| title_short | Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| title_sort | ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| topic | Матеріалознавство |
| topic_facet | Матеріалознавство |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/30788 |
| work_keys_str_mv | AT baransʹkiipí ízotropnístʹrozsíânnânafluktuacíâhleguûčoídomíškivsilʹnolegovanomunkremníí AT gaidargp ízotropnístʹrozsíânnânafluktuacíâhleguûčoídomíškivsilʹnolegovanomunkremníí AT baransʹkiipí isotropyofscatteringonfluctuationsofdopingimpuritiesinheavilydopednsilicon AT gaidargp isotropyofscatteringonfluctuationsofdopingimpuritiesinheavilydopednsilicon |