Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії - Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Доповіді НАН України, 2010)
Експериментально доведено, що в сильно легованих монокристалах n–Si : As наявність градієнта температури на межі рідкої і твердої фаз у процесі їх вирощування з розплаву не приводить до прояву анізотропії у флуктуативному розподілі легуючої домішки. Цей факт демонструє домінуюче значення хаотизації у просторовому розподілі легуючої домішки за рахунок kT, що відбувається при T=1412 °С у процесі вирощування легованих монокристалів n–Si з розплаву. It is experimentally proved that the presence of the temperature gradient (at the interface of the liquid and solid phases in heavily doped monocrystals of n–Si : As in the process of their growth from a melt) does not lead to an anisotropy in the fluctuating distribution of a doping impurity. This fact shows the dominating role of randomization in the spatial distribution of a doping impurity due to kT (at T=1412 °С) during the growth of n–Si doped monocrystals from a melt.