Зображення обкладинки

Polar interface optical phonon states and their dispersive properties of a wurtzite GaN quantum dot: quantum size effect

Based on the macroscopic dielectric continuum model, the interface-optical-propagating (IO-PR) mixing phonon modes of a quasi-zero-dimensional (Q0D) wurtzite cylindrical quantum dot (QD) structure are derived and studied. The analytical phonon states of IO-PR mixing modes are given. It is found that...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Condensed Matter Physics
Дата:	2010
Автор:	Zhang, L.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2010
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32051
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Polar interface optical phonon states and their dispersive properties of a wurtzite GaN quantum dot: quantum size effect / L. Zhang // Condensed Matter Physics. — 2010. — Т. 13, № 1. — С. 13801: 1-14. — Бібліогр.: 46 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Model of optical transitions in A₂B₆ wurtzite type quantum dots
за авторством: Kunets, V.P.
Опубліковано: (1999)

Polar optical phonon states and their dispersive spectra of a wurtzite nitride superlattice with complex bases: transfer-matrix method
за авторством: Zhang, L.
Опубліковано: (2011)

Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
за авторством: Elkadadra, A., та інші
Опубліковано: (2010)

Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)

Electro-optic effect in GaN/Al0. 15Ga0. 85N single quantum wells for optical switch
за авторством: A. Elkadadra, та інші
Опубліковано: (2010)

Electric properties of the interface quantum dot — matrix
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2012)

Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2012)

Structural and optical characterisation of size-selected glutathione-capped colloidal Cu–In–S quantum dots
за авторством: Y. M. Azhniuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Structural and optical characterisation of size-selected glutathione-capped colloidal Cu–In–S quantum dots
за авторством: Y. M. Azhniuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)

Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)

Entanglement production under electron phonon interaction in a quantum dot
за авторством: Lopez, A., та інші
Опубліковано: (2006)

Role of interface phonons in the functioning of an injectorless quantum cascade laser
за авторством: Yu. O. Seti, та інші
Опубліковано: (2016)

Role of interface phonons in the functioning of an injectorless quantum cascade laser
за авторством: Ju. O. Seti, та інші
Опубліковано: (2016)

Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of the quantum dots bandgap and their dispersion on the loss of luminescent quanta
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of the quantum dots' bandgap and their dispersion on the loss of luminescent quanta
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2020)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of the medium polarization on the energy of an electron in a quantum dot
за авторством: Zh. Bajmatov, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of the medium polarization on the energy of an electron in a quantum dot
за авторством: P. J. Baymatov, та інші
Опубліковано: (2015)

Strain effects on the valence band structure, optical transitions, and light gain spectrums in zinc-blende GaN quantum wells
за авторством: Lokot, L.O.
Опубліковано: (2008)

One-dimensional warm electron transport in GaN quantum well wires at low temperatures
за авторством: Sarkar, S.K.
Опубліковано: (2003)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)

Third order nonlinear optical response of PbS quantum dots
за авторством: Chowdhury, S., та інші
Опубліковано: (2006)

Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots
за авторством: O. V. Vakulenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2013)

Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2013)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: A. V. Naumov, та інші
Опубліковано: (2015)

InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)

Model of heterotransistor with quantum dots
за авторством: Timofeyev, V.I., та інші
Опубліковано: (2010)

Model of heterotransistor with quantum dots
за авторством: V. I. Timofeyev, та інші
Опубліковано: (2010)

Electron-phonon scattering in quantum-sized films with the hyperbolic Poschl–Teller potential
за авторством: Kh. A. Gasanov, та інші
Опубліковано: (2019)

Analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2017)

The effect of polarization charges on energy of univalent and bivalent donors in a spherical quantum dot
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2008)