Polar interface optical phonon states and their dispersive properties of a wurtzite GaN quantum dot: quantum size effect
Based on the macroscopic dielectric continuum model, the interface-optical-propagating (IO-PR) mixing phonon modes of a quasi-zero-dimensional (Q0D) wurtzite cylindrical quantum dot (QD) structure are derived and studied. The analytical phonon states of IO-PR mixing modes are given. It is found that...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| 1. Verfasser: | Zhang, L. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2010
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32051 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Polar interface optical phonon states and their dispersive properties of a wurtzite GaN quantum dot: quantum size effect / L. Zhang // Condensed Matter Physics. — 2010. — Т. 13, № 1. — С. 13801: 1-14. — Бібліогр.: 46 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Model of optical transitions in A₂B₆ wurtzite type quantum dots
von: Kunets, V.P.
Veröffentlicht: (1999)
von: Kunets, V.P.
Veröffentlicht: (1999)
Polar optical phonon states and their dispersive spectra of a wurtzite nitride superlattice with complex bases: transfer-matrix method
von: Zhang, L.
Veröffentlicht: (2011)
von: Zhang, L.
Veröffentlicht: (2011)
Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
von: Tkach, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Tkach, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Electro-optic effect in GaN/Al0. 15Ga0. 85N single quantum wells for optical switch
von: A. Elkadadra, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: A. Elkadadra, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Electric properties of the interface quantum dot — matrix
von: Peleshchak, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Peleshchak, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2012)
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2012)
Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2012)
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2012)
Structural and optical characterisation of size-selected glutathione-capped colloidal Cu–In–S quantum dots
von: Y. M. Azhniuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Y. M. Azhniuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Structural and optical characterisation of size-selected glutathione-capped colloidal Cu–In–S quantum dots
von: Y. M. Azhniuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Y. M. Azhniuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)
Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)
Entanglement production under electron phonon interaction in a quantum dot
von: Lopez, A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Lopez, A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Role of interface phonons in the functioning of an injectorless quantum cascade laser
von: Yu. O. Seti, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Yu. O. Seti, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Role of interface phonons in the functioning of an injectorless quantum cascade laser
von: Ju. O. Seti, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ju. O. Seti, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Influence of the quantum dots bandgap and their dispersion on the loss of luminescent quanta
von: M. R. Kulish, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: M. R. Kulish, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Influence of the quantum dots' bandgap and their dispersion on the loss of luminescent quanta
von: Kulish, M.R., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Kulish, M.R., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Influence of the medium polarization on the energy of an electron in a quantum dot
von: Zh. Bajmatov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Zh. Bajmatov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Influence of the medium polarization on the energy of an electron in a quantum dot
von: P. J. Baymatov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: P. J. Baymatov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Strain effects on the valence band structure, optical transitions, and light gain spectrums in zinc-blende GaN quantum wells
von: Lokot, L.O.
Veröffentlicht: (2008)
von: Lokot, L.O.
Veröffentlicht: (2008)
One-dimensional warm electron transport in GaN quantum well wires at low temperatures
von: Sarkar, S.K.
Veröffentlicht: (2003)
von: Sarkar, S.K.
Veröffentlicht: (2003)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
von: J. O. Akinlami, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: J. O. Akinlami, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
von: Akinlami, J.O., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Akinlami, J.O., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Third order nonlinear optical response of PbS quantum dots
von: Chowdhury, S., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Chowdhury, S., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
von: V. I. Boichuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: V. I. Boichuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
von: V. I. Boichuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: V. I. Boichuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots
von: O. V. Vakulenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: O. V. Vakulenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances
von: V. V. Korotyeyev
Veröffentlicht: (2013)
von: V. V. Korotyeyev
Veröffentlicht: (2013)
Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances
von: Korotyeyev, V.V.
Veröffentlicht: (2013)
von: Korotyeyev, V.V.
Veröffentlicht: (2013)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: A. V. Naumov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. V. Naumov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Model of heterotransistor with quantum dots
von: Timofeyev, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Timofeyev, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Model of heterotransistor with quantum dots
von: V. I. Timofeyev, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: V. I. Timofeyev, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Electron-phonon scattering in quantum-sized films with the hyperbolic Poschl–Teller potential
von: Kh. A. Gasanov, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Kh. A. Gasanov, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2017)
The effect of polarization charges on energy of univalent and bivalent donors in a spherical quantum dot
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Ähnliche Einträge
-
Model of optical transitions in A₂B₆ wurtzite type quantum dots
von: Kunets, V.P.
Veröffentlicht: (1999) -
Polar optical phonon states and their dispersive spectra of a wurtzite nitride superlattice with complex bases: transfer-matrix method
von: Zhang, L.
Veröffentlicht: (2011) -
Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
von: Tkach, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Electro-optic effect in GaN/Al0. 15Ga0. 85N single quantum wells for optical switch
von: A. Elkadadra, et al.
Veröffentlicht: (2010)