Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні

Запропоновано нейронний логічний елемент - оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні. Даний нейрон може виконувати логічні функції "І", "АБО", "НІ" булевої логіки, працювати як RS-тригер, елемент пам'яті, широтно-імпульсний та фазо-імпульсний модулятори, вик...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2008
Main Authors:	Лазарєв, О.О., Басюк, Т.Б., Філинюк, М.А.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Series:	Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
Subjects:	Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32203
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні / О.О. Лазарєв, Т.Б. Басюк, М.А. Філинюк // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2008. — № 2 (16). — С. 191-196. — Бібліогр.: 16 назв. — укp.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-32203
record_format	dspace
spelling	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-322032025-02-09T21:09:07Z Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні Лазарєв, О.О. Басюк, Т.Б. Філинюк, М.А. Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу Запропоновано нейронний логічний елемент - оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні. Даний нейрон може виконувати логічні функції "І", "АБО", "НІ" булевої логіки, працювати як RS-тригер, елемент пам'яті, широтно-імпульсний та фазо-імпульсний модулятори, виконувати функції нейронної логіки над часовими імпульсно-кодованими вхідними сигналами. Проведено комп'ютерне моделювання даного елемента. 2008 Article Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні / О.О. Лазарєв, Т.Б. Басюк, М.А. Філинюк // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2008. — № 2 (16). — С. 191-196. — Бібліогр.: 16 назв. — укp. 1681-7893 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32203 004.032.26 uk Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
topic	Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу
spellingShingle	Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу Лазарєв, О.О. Басюк, Т.Б. Філинюк, М.А. Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
description	Запропоновано нейронний логічний елемент - оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні. Даний нейрон може виконувати логічні функції "І", "АБО", "НІ" булевої логіки, працювати як RS-тригер, елемент пам'яті, широтно-імпульсний та фазо-імпульсний модулятори, виконувати функції нейронної логіки над часовими імпульсно-кодованими вхідними сигналами. Проведено комп'ютерне моделювання даного елемента.
format	Article
author	Лазарєв, О.О. Басюк, Т.Б. Філинюк, М.А.
author_facet	Лазарєв, О.О. Басюк, Т.Б. Філинюк, М.А.
author_sort	Лазарєв, О.О.
title	Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні
title_short	Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні
title_full	Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні
title_fullStr	Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні
title_full_unstemmed	Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні
title_sort	оптоелектронний нейронний елемент на с-негатроні
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate	2008
topic_facet	Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32203
citation_txt	Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні / О.О. Лазарєв, Т.Б. Басюк, М.А. Філинюк // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2008. — № 2 (16). — С. 191-196. — Бібліогр.: 16 назв. — укp.
series	Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
work_keys_str_mv	AT lazarêvoo optoelektronniineironniielementnasnegatroní AT basûktb optoelektronniineironniielementnasnegatroní AT fílinûkma optoelektronniineironniielementnasnegatroní
first_indexed	2025-11-30T21:28:15Z
last_indexed	2025-11-30T21:28:15Z
_version_	1850252299651252224
fulltext	5 УДК 004.032.26 О.О. ЛАЗАРЄВ , Т.В. БАСЮК, М.А. ФІЛИНЮК ОПТОЕЛЕКТРОННИЙ НЕЙРОННИЙ ЕЛЕМЕНТ НА С-НЕГАТРОНІ Вінницький національний технічний університет, Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021, Україна, тел.:+380 (432) 59-80-75, E-mail: LaAlex@mail.ru Анотація. В роботі запропонований нейронний логічний елемент - оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні. Даний нейрон може виконувати логічні функції «І», «АБО», «НІ» булевої логіки, працювати як RS-тригер, елемент пам’яті, широтно-імпульсний та фазо-імпульсний модулятори, виконувати функції нейронної логіки над часовими імпульсно-кодованими вхідними сигналами. Було проведене комп‘ютерне моделювання данного елемента. Ключові слова: нейронний елемент, С-негатрон. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧІ Інтелектуальні системи на основі штучних нейронних мереж дозволяють ефективно вирішувати задачі розпізнавання образів, прогнозування, оптимізації, діагностики, кластеризації, асоціативної пам’яті та керування [1, 2]. Штучний нейрон є елементарним функціональним модулем, з множини яких будуються штучні нейронні мережі. Він являє собою модель біологічного нейрона, але не в сенсі способу функціонування, а лише здійснення відповідних перетворень над вхідними сигналами. Нейрон виконує дві основні функції: зважене сумування (інтегрування) вхідних сигналів; та має нелінійну функцію активації, в найпростішому випадку - порогову функцію активації, тобто коли сумарний вхідний сигнал перевищить певний заданий поріг, на виході нейрона з’являється сигнал високого рівня. На даний час існує велика кількість різних варіантів нейронних елементів [1]: механічних, магнітоелектричних, термоелектричних, квантових, на основі надпровідних матеріалів, на транзисторних схемах [3], на приладах з від’ємним опором – R-негатронах [4], на біспін-приладах [5], на операційних підсилювачах, на цифрових мікросхемах та мікро контролерах [1]. Складні фізичні моделі нейронних елементів дозволяють найбільш точно відобразити всі процеси та функціонування біологічних нейронів, проте містять велику кількість приладів і створення великих масивів таких нейронів є занадто складною технічною задачею. Альтернативний підхід полягає у створенні якомога простіших апаратних реалізацій нейронних елементів зі збереженням головних функції нейрону. Найперспективнішою елементною базою для створення нейронних елементів є функціональні електронні прилади, використання яких забезпечить схемотехнічну простоту, високу надійність, економічність, технологічність, малі габарити та вагу. Перспективними функціональними електронними приладами є R-, L-, C-негатрони – прилади, що в певному режимі роботі маються від’ємне значення основного диференційного параметру (від’ємний активний опір, індуктивність, ємність). Теорія та практика створення та використання R-негатронів вже досить розвинута [6, 7]. Тільки напівпровідникових R-негатронів створено більше двох десятків різновидів. Серед них найпотужніші надвисокочастотні прилади – лавинно-пролітні діоди, найшвидкодіючи ключі на лавинних транзисторах, найпотужніші напівпровідникові струмові перемикачі на динисторах та тиристорах. Відомі апаратні реалізації нейронних елементів на базі R-негатронів [4]: нейристори на S-діодах; модуляційних, лавинних, одноперехідних транзисторах; динисторах та тиристорах; тунельних діодах. Відкриття нових фізичних ефектів від’ємної ємності призвело до появи фізичних С-негатронів [8-12], використання яких дозволяє вирішити ряд проблем класичної електроніки [13 - 15]. В зв’язку з цим викликає інтерес також створення нейронних елементів на базі фізичних С-негатронів, що будуть  О.О. ЛАЗАРЄВ, Т.В. БАСЮК, М.А. ФІЛИНЮК, 2008 ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 6 мати ряд переваг над існуючими. Наявність оптичних входів дозволяє забезпечити загальновідомі переваги оптичних зв’язків. ТЕОРЕТИЧНЕ ОБҐРУНТУВАННЯ ПОБУДОВИ НЕЙРОННИХ ЕЛЕМЕНТІВ НА С- НЕГАТРОНАХ С-негатроном називається електронний прилад та його схемотехнічний аналог, що в певному режимі роботи має від’ємне значення диференційної ємності. Як і R-негатрони, їх можна поділити на статичні та динамічні [6]. Статичні С-негатрони мають кулон-вольтні характеристики N- та S-типів (рис. 1, а, б), на яких існує падаюча ділянка (а, б), де значення диференційної ємності буде негативним ( ) 0C dq du − = < . Рис. 1. Кулон-вольтні характеристики N- (а) та S-типів (б) С-негатронів Наявність від’ємної ємності робить С-негатрон потенційно-нестійким та багатофункціональним приладом. При правильному виборі параметрів навантаження схема на С-негатроні буде працювати в режимі перемикання [6], а С-негатрон буде виконувати функції порогового елементу. Так при ( )C Cн < − пряма навантаження перетинає кулон-вольтну характеристику С-негатрона N-типу як показано на рис. 2. При подачі вхідного струму ( )i t , заряд ( )q t на С-негатроні буде збільшуватися, а положення робочої точки зсуватися з положення 1 в 2. При цьому буде забезпечуватися функція інтегрування вхідного сигналу струму, так як 0 ( ) ( ) t q t i t dt= ∫ . При досягненні порогового значення заряду порQ відбудеться перемикання С-негатрона, і робоча точка миттєво перейде з положення 3 в положення 4, а напруга на С-негатроні стрибкоподібно зміниться від Uпор до Uhigh. u q ( ) нC C − > 1 2 3 4 Qпор U1 Uhigh Uпор Рис. 2. Прямі навантаження та положення рівноваги С-негатрона N-типу ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 7 Аналогічним чином, але при ( ) нС C − > , буде працювати С-негатрон S- типу в режимі перемикання [6] та виконувати функції інтегрування вхідного струму та функцію порогового елементу. Виходячи з вищенаведеного принципу роботи порогового елементу синтезована схема оптоелектронного нейронного елементу на базі С- негатрона N-типу, що наведена на рис. 3. На схемі: Сн – ємність навантаження – визначає нахил прямої навантаження; С(-) N – C-негатрон N-типу – виконує інтегрування вхідних струмових сигналів та порогову функцію активації; фотодіоди збудженняVD1-VD3 та гальмування VD4 – забезпечують перетворення вхідних оптичних сигналів в фотоструми. Дана схема має оптичні входи (причому кількість оптичних входів досить легко збільшити додавши в схему паралельно нові фотодіоди, або подаючи декілька оптичних потоків на один фотодіод) та потенціальний вихід. Напруга на виході буде визначатися виразами: вих порU U≤ , якщо ( ) 0 t порQ i t dt QΣ= ≤∫ , де 1 1 n m j j j j i i iΣ = = = −∑ ∑ ; вих highU U≥ , якщо ( ) 0 t порQ i t dt QΣ= >∫ . Рис. 3. Оптоелектронний нейрон на С-негатроні N-типу Таким чином дана схема виконує просторове алгебраїчне сумування вхідних сигналів від фотодіодів: сумарний вхідний струм 1 1 n m j j j j i i iΣ = = = −∑ ∑ , де n - кількість фотодіодів збудження, m - кількість фотодіодів гальмування; та часове інтегрування вхідних сигналів: заряд С-негатрона ( ) 0 t Q i t dtΣ= ∫ . КОМП’ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 8 В програмі Micro-Cap 9 проведемо комп’ютерне моделювання запропонованого нейрону. Дана програма зручна для даного використання, так як в ній є можливість задання нелінійної кулон-вольтної характеристики ємності. Проведений аналіз літератури показав, що на даний час ефект від’ємної ємності спостерігається в різних напівпровідникових структурах в різних умовах (однорідних напівпровідниках [8], гомоструктурах [9], герероструктарах [11], структурах типу метал-напівпровідник [10], аморфних напівпровідникових плівках [12]) та в інших зарядових електрифікованих структурах [13]. Нелінійну кулон-вольтну характеристику, що має ділянку від’ємної диференційної ємності, можна отримати в плівкових конденсаторах з фероелектричним діелектриком [16]. Такі фізичні С-негатрони сумісні з CMOS-технологією виготовлення інтегральних мікросхем. Проте фізичні С-негатрони ще знаходяться на стадії досліджень і відсутні детальні експериментальні дані, які дозволи б розробити математичну модель для саме цих С-негатронів. Тому для комп’ютерного моделювання задамося певними параметрами С-негатрона, що дозволить перевірити працездатність схеми та дослідити її роботу в різних режимах. Для моделювання будемо використовувати С-негатрона N-типу, кулон- вольтну характеристику (рис. 4,а) якого опишемо поліномом 3-го степеня 9 9 2 9 3( ) 8,8 10 4,35 10 0,55 10q u u u u− − − = ⋅ ⋅ − ⋅ ⋅ + ⋅ ⋅ . Для даної характеристики значення порогового заряду порQ = 530пКл, порогової напруги порU = 1,4В, від’ємна диференційна ємність спостерігається в діапазоні напруг U = 1,4…3,9В, максимальне значення від’ємної ємності спостерігається при напрузі CU =2,65В і дорівнює ( ) махС − = -267пФ (рис. 4,б). За умовою роботи С-негатрона N-типу в режимі перемикання необхідно, щоб ( )C Cн < − , тому виберемо значення ємності навантаження нC = 10пФ, при цьому значення напруги високого стану highU ≈5В (рис. 4, а). 0 1 2 3 4 5 6 500 250 0 250 500 750 1000 12 0 1 2 3 4 5 6 0 200 400 600 800 1000 12 q, пКл u, В Qпор Uпор Uhigh C, пФ u, В а) б) Рис. 4. Кулон-вольтна (а) та вольт-фарадна (б) характеристики С-негатрона N-типу На рис. 5 наведена схема для моделювання в програмі Micro-Cap 9. Фотодіоди замінені на генератори струму I1 – I4, R1 відображає опір діелектрика конденсатора навантаження C1, заряд С- негатрона CN заданий виразом Q(CN). ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 9 CN 0.88nV(CN)-.435nV(CN)V(CN)+0.055nV(CN)V(CN)V(CN) C1 10p V1 9 R1 1Meg I1 I2 I3 I4 Q(CN)= Out Рис. 5. Схема нейрона на С-негатроні для моделювання в програмі Micro-Cap 9 На рис. 6 наведена часова діаграма роботи нейрона. Вхідний струм І1=5мА, заряд С-негатрона Q(CN) збільшується по мірі заряду ємності, і в момент часу t = 90,6нс досягає порогового значення порQ = 530пКл, і напруга на виході стрибком змінюється від порU = 1,4В до highU =5В. Час перемикання, за результатами моделювання, становить значно менше 1пс. Проте в схемі не враховані паразитні елементи, що на практиці погіршать швидкодію схеми. Для скиду схеми в початковий стан необхідно подати імпульс струму на вхід гальмування, це розрядить ємність С-негатрона і напруга на виході стане ≈0В. На рис. 7 наведені часові діаграми роботи нейрона на С-негатроні при подачі імпульсних вхідних сигналів на входи збудження І1, І2, І3. Кожен з цих сигналів заряджає ємність С-негатрона, але заряду окремих сигналів не досить, щоб перевести схему у високий стан. Схема виконує інтегрування вхідних сигналів, і коли сумарний заряд всіх трьох сигналів перевищує пороговий заряд С-негатрона відбувається перемикання схеми. Таким чином нейрон може виконувати логічну функцію «І» бінарної логіки. Для переводу схеми в низький стан на вхід гальмування І4 подається імпульс струму скиду. ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 10 0.000n 30.000n 90.000n 150.000n 0.000m 2.000m 4.000m 6.000m I(I1) (A) T (Secs) 0.000n 30.000n 90.000n 150.000n 0.000p 320.000p 640.000p 960.000p Q(CN) (C) T (Secs) 0.000n 30.000n 90.000n 150.000n 0.000 2.400 4.800 7.200 V(OUT) (V) T (Secs) Micro-Cap 9 Evaluation Version Neuron on C.cir Рис. 6. Часові діаграми роботи нейрона на С-негатроні: І(І1) – вхідний фотострум сигналу збудження; Q(CN) – заряд С-негатрона; V(OUT) – напруга на виході нейрона 0.000n 60.000n 120.000n 240.000n 300.000n 0.000m 3.000m 6.000m I(I1) (A) T (Secs) 0.000n 60.000n 120.000n 240.000n 300.000n 0.000m 3.000m 6.000m I(I2) (A) T (Secs) 0.000n 60.000n 120.000n 240.000n 300.000n 0.000m 3.000m 6.000m I(I3) (A) T (Secs) 0.000n 60.000n 120.000n 240.000n 300.000n 0.000m 12.000m 24.000m I(I4) (A) T (Secs) 0.000n 60.000n 120.000n 240.000n 300.000n 0.000p 360.000p 720.000p Q(CN) (C) T (Secs) 0.000n 60.000n 120.000n 240.000n 300.000n 0.000 3.600 7.200 V(OUT) (V) T (Secs) Micro-Cap 9 Evaluation Version Neuron on C.cir Рис. 7. Часові діаграми роботи нейрона на С-негатроні: І(І1), І(І2), І(І3) – вхідні фотоструму сигналів збудження; І(І4) – фотострум сигналу гальмування (сигналу скиду); Q(CN) – заряд С-негатрона; V(OUT) – напруга на виході нейрона ВИСНОВКИ 1. Запропонований оптоелектронний нейронний елемент містить: фотодіод(и) збудження, фотодіод(и) гальмування, конденсатор навантаження, С-негатрон N-типу; і реалізує такі основні функції нейрона: просторове та часове інтегрування (алгебраїчне сумування) вхідних сигналів; порогову функцію активації. На виході нейрона з’являється напруга високого рівня, якщо сумарний вхідний заряд перевищить певний ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 11 поріг, що визначається кулон-вольтною характеристикою С-негатрона N- типу. 2. Даний нейрон може виконувати логічні функції «І», «АБО», «НІ» булевої логіки, працювати як RS-тригер, елемент пам’яті, широтно- імпульсний та фазо-імпульсний модулятори, виконувати функції нейронної логіки над часовими імпульсно-кодованими вхідними сигналами. 3. Перевагою нейронних елементів на С-негатронах є: висока швидкодія (час переключення менше 1пс); схемотехнічна простота (функції інтегрування та активації виконуються одним С-негатроном); технологічна простота (С-негатроном може бути плівковий конденсатор з фероелектричним діелектриком, що сумісний з добре розвинутою CMOS- технологією виготовлення інтегральних мікросхем); здатність підсилювати напругу; мале енергоспоживання (ємність не споживає активну потужність); С-негатрон керується зарядом, що дозволяє працювати не зі струмами та напругами, а безпосередньо з зарядом. ЛІТЕРАТУРА 1. Галушкин А.И. Нейрокомпьютеры. М.: ИПРЖР, 2000. – 528с. 2. Хайкин С. Нейронные сети: полный курс. Neural Networks: A Comprehensive Foundation. — 2-е. — М.: «Вильямс», 2006. — С. 1104. 3. Пат. 6501294 B2 США, МКИ H03K 19/23. Neuron circuit / K. Bernstein, N. J. Rohrer (США). - № 09/842736; Заявл. 26.04.2001; Опубл. 31.12.2002. – 5с. 4. Стафееф В.И., Комаровских К.Ф., Фурсин Г.И. Нейристорные и другие функциональные схемы с объемной связью – М.: Радио и связь, 1981. – 112с. 5. В.Ф. Бардаченко , О.К. Колесницький, С.А. Василецький, Таймерні нейронні елементи та структури. – УНІВЕРСУМ-Вінниця, 2004. – 126с. 6. Філинюк М.А. Основи негатроніки. Т.1. Теоретичні і фізичні основи негатроніки - УНІВЕРСУМ- Вінниця, 2006. – 456 с. 7. Філинюк М.А. Основи негатроніки. Т.2. Прикладні аспекти негатроніки. - Вінниця:УНІВЕРСУМ- Вінниця, 2006. – 306 с. 8. Пенин Н.А. Отрицательная емкость в полупроводниковых структурах // ФТП. - 1996. - Т.30, №4. - С. 626-634. 9. Ershov M., Liu H.C., Li. L., Buchanan M., Wasilevski Z.R., Jonscher A.K. Negative capacitance effect in semiconductor devices // IEEE Trans. On Electron Devices. – 1998. – Vol. 45, №10. – P. 2196-2203. 10. Wu X., Yang E.S., Evans H.L. Negative capacitance at metal-semiconductor interfaces // J. Apll. Phys. - 1990. - Vol. 68, №6. - P. 2845-2848. 11. Болтаев А.П., Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Рзаев М.М., Пенин Н.А., Сибельдин Н.Н. Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния // Известия академии наук. Серия физи-ческая. - 1999. - №2. - С. 312-318. 12. Абдулаев А.Г., Ветхов В.А., Касимов Ф.Д. и др. Отрицательная емкость в локально выращенных пленках поликристалического кремния // Электронная техника, Сер. 3. Микроэлектроника. - 1985. - Т.116, Вып. 4. - С.21-25. 13. Partenskii M.B., Dorman V. L., Jordan P. C.. The question of negative capacitance and its relation to instabilities and phase transitions at electrified interfaces // Int. Rev. Phys. Chem. - 1996. – No. 11, 153. - P.153–181. 14. Anup P. Jose, Kenneth L. Shepard. Distributed Loss-Compensation Techniques for Energy-Efficient Low-Latency On-Chip Communication // IEEE Journal of Solid-State Circuits. – 2007. - Vol. 42, No. 6. – P. 1415 – 1424. 15. Kolev Svilen, Delacressonniere Bruno, Gautier Jean-Luc. Using a negative capacitance to increase the tuning range of a varactor diode in MMIC technology // IEEE Trans. on Microwave Theory and ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 12 Techniques. - 2007, Vol. 49, No12. - P. 2425-2430. 16. Victor V. Zhirnov and Ralph K. Cavin. Negative capacitance to the rescue? // Nature Nanotechnology. – 2008. - Vol. 3. – P. 77 – 78. Надійшла до редакції 05.10.2008р. ЛАЗАРЄВ ОЛЕКСАНДР ОЛЕКСАНДРОВИЧ – к.т.н., старший викладач кафедри проектування комп’ютерної та телекомунікаційної техніки ВНТУ,E-mail: LaAlex@mail.ru. ФІЛИНЮК МИКОЛА АНТОНОВИЧ – д.т.н., професор, завідувач кафедри проектування комп’ютерної та телекомунікаційної техніки ВНТУ, (0432) 59-80-75, E-mail: Filinyuk@vstu.vinnica.ua. БАСЮК ТАРАС ВОЛОДИМИРОВИЧ – студент 5-го курсу факультету МБЕП інституту РТЗП ВНТУ.

Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні

Institution

Similar Items