Інтеркаляційний низькоентропійний фотосинтез та його застосування до акумулювання сонячної енергії

This article deals with the possibility of transformed solar energy accumulation with use of lighting deintercalation of inserted cations of n -type semiconductor and its intercalation into p -type semiconductor. The energetic diagram of intercalation photocurrent formation and accumulation of trans...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2009
Hauptverfasser:	Іващишин, Ф.О., Бахматюк, В.П., Григорчак, І.І., Волинська, Н.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainian
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Schriftenreihe:	Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
Schlagworte:	Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32238
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Інтеркаляційний низькоентропійний фотосинтез та його застосування до акумулювання сонячної енергії / Ф.О. Іващишин, В.П. Бахматюк, І.І. Григорчак, Н.В. Волинська // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 180-186. — Бібліогр.: 9 назв. — укp.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-32238
record_format	dspace
spelling	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-322382025-02-09T14:34:45Z Інтеркаляційний низькоентропійний фотосинтез та його застосування до акумулювання сонячної енергії Іващишин, Ф.О. Бахматюк, В.П. Григорчак, І.І. Волинська, Н.В. Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу This article deals with the possibility of transformed solar energy accumulation with use of lighting deintercalation of inserted cations of n -type semiconductor and its intercalation into p -type semiconductor. The energetic diagram of intercalation photocurrent formation and accumulation of transformed energy are presented. 2009 Article Інтеркаляційний низькоентропійний фотосинтез та його застосування до акумулювання сонячної енергії / Ф.О. Іващишин, В.П. Бахматюк, І.І. Григорчак, Н.В. Волинська // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 180-186. — Бібліогр.: 9 назв. — укp. 1681-7893 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32238 537.311.322 uk Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
topic	Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу
spellingShingle	Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу Іващишин, Ф.О. Бахматюк, В.П. Григорчак, І.І. Волинська, Н.В. Інтеркаляційний низькоентропійний фотосинтез та його застосування до акумулювання сонячної енергії Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
description	This article deals with the possibility of transformed solar energy accumulation with use of lighting deintercalation of inserted cations of n -type semiconductor and its intercalation into p -type semiconductor. The energetic diagram of intercalation photocurrent formation and accumulation of transformed energy are presented.
format	Article
author	Іващишин, Ф.О. Бахматюк, В.П. Григорчак, І.І. Волинська, Н.В.
author_facet	Іващишин, Ф.О. Бахматюк, В.П. Григорчак, І.І. Волинська, Н.В.
author_sort	Іващишин, Ф.О.
title	Інтеркаляційний низькоентропійний фотосинтез та його застосування до акумулювання сонячної енергії
title_short	Інтеркаляційний низькоентропійний фотосинтез та його застосування до акумулювання сонячної енергії
title_full	Інтеркаляційний низькоентропійний фотосинтез та його застосування до акумулювання сонячної енергії
title_fullStr	Інтеркаляційний низькоентропійний фотосинтез та його застосування до акумулювання сонячної енергії
title_full_unstemmed	Інтеркаляційний низькоентропійний фотосинтез та його застосування до акумулювання сонячної енергії
title_sort	інтеркаляційний низькоентропійний фотосинтез та його застосування до акумулювання сонячної енергії
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate	2009
topic_facet	Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32238
citation_txt	Інтеркаляційний низькоентропійний фотосинтез та його застосування до акумулювання сонячної енергії / Ф.О. Іващишин, В.П. Бахматюк, І.І. Григорчак, Н.В. Волинська // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 180-186. — Бібліогр.: 9 назв. — укp.
series	Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
work_keys_str_mv	AT ívaŝišinfo ínterkalâcíjnijnizʹkoentropíjnijfotosinteztajogozastosuvannâdoakumulûvannâsonâčnoíenergíí AT bahmatûkvp ínterkalâcíjnijnizʹkoentropíjnijfotosinteztajogozastosuvannâdoakumulûvannâsonâčnoíenergíí AT grigorčakíí ínterkalâcíjnijnizʹkoentropíjnijfotosinteztajogozastosuvannâdoakumulûvannâsonâčnoíenergíí AT volinsʹkanv ínterkalâcíjnijnizʹkoentropíjnijfotosinteztajogozastosuvannâdoakumulûvannâsonâčnoíenergíí
first_indexed	2025-11-26T22:13:06Z
last_indexed	2025-11-26T22:13:06Z
_version_	1849892741146738688
fulltext	5 УДК 537.311.322 Ф.О. ІВАЩИШИН, Б.П. БАХМАТЮК, І.І. ГРИГОРЧАК, Н.В. ВОЛИНСЬКА ІНТЕРКАЛЯЦІЙНИЙ НИЗЬКОЕНТРОПІЙНИЙ ФОТОСИНТЕЗ ТА ЙОГО ЗАСТОСУВАННЯ ДО АКУМУЛЮВАННЯ СОНЯЧНОЇ ЕНЕРГІЇ Національний університет „Львівська політехніка”, м. Львів, вул. С. Бандери, 12, 79013, E-mail: Ivangr@rambler.ru Анотація В роботі основну увагу приділено можливості акумулювання перетвореної сонячної енергії за допомогою інтеркаляційних процесів, а саме – деінтеркаляцією при освітленні інтеркальованого катіонами напівпровідника n – типу провідності і інтеркаляцією їх у напівпровідник p –типу. Представлено енергетичну діаграму інтеркаляційного фотострумоутворення та накопичення перетвореної енергії. Аннотация. В работе основное внимание уделено возможности аккумулирования преобразованной солнечной энергии с помощью интеркаляционных процессов, а именно – деинтеркаляцией при освещении интеркалированного катионами полупроводника n -типа проводимости и интеркаляцией их в полупроводник p -типа. Представлено энергетическую диаграмму интеркаляционного фототокообразования и накопления преобразованной энергии Abstract. This article deals with the possibility of transformed solar energy accumulation with use of lighting deintercalation of inserted cations of n -type semiconductor and its intercalation into p -type semiconductor. The energetic diagram of intercalation photocurrent formation and accumulation of transformed energy are presented. Ключові слова: сонячна енергія, інтеркаляційні процеси. ВСТУП Сьогодні, коли енергоощадність виступає найважливішою ланкою практично у всіх сферах економіки, проблема ефективного використання сонячної енергії постає з особливою актуальністю. Суть її полягає не стільки у вирішенні задачі підвищення коефіцієнта корисної дії (к.к.д) процесу перетворення сонячної енергії в електричну, скільки в знаходженні дешевих способів її акумулювання і довготривалого зберігання. Зрозуміло, що останнього можна досягнути шляхом об’єднання в єдиному пристрої функціональних можливостей перетворення і  Ф.О. ІВАЩИШИН, Б.П. БАХМАТЮК, І.І. ГРИГОРЧАК, Н.В. ВОЛИНСЬКА , 2009 ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 6 одночасного („in-situ”) акумулювання перетвореної енергії. Іншими словами мова йде про низькоентропійний (струмоутворюючий) неорганічний фотосинтез. Видається, що перші систематичні спроби вирішення цієї задачі були зроблені три десятиліття тому, коли автори робіт [1-4] запропонували фотоелектрохімічні перетворювачі сонячного випромінювання в електричну енергію, які здатні накопичувати перетворену енергію і працювати як джерела електричної енергії у відсутності освітлення. У них перетворена енергія сонячного випромінювання на межі розділу неширокозонний напівпровідник // електроліт акумулювалася в спеціально виготовленому електроді накопичення. Однак запатентований фотоакумулятор [4] мав невисоке значення коефіцієнта корисної дії ~ 1÷2%, зумовлене великою поверхневою рекомбінацією носіїв в напівпровідниковому сульфіді кадмію ( CdS ), та низьку відтворюваність параметрів, викликану в основному складністю підбору електроліту, антикорозійної редокс-пари і електрода накопичення. Подальший розвиток цього напрямку здійснювався шляхом використання в якості фотоактивного аноду оксидних напівпровідників з широкою забороненою зоною, які виявляли себе як стійкі фотоелектроди [5 - 6]. Проте фотоперетворювачі, що містять напівпровідники з широкою забороненою зоною можуть задовільно використовуватися в ультрафіолетовій і ближній ультрафіолетовій області спектру і таким чином, вони не є ефективними для перетворення сонячної енергії. Більше того, в таких системах накопичення перетвореної енергії сонячного випромінювання реалізувалося у вигляді хімічних продуктів електролізу, а не у вигляді електричної енергії. Ефекти акумулювання перетвореної енергії можна було б реалізувати [7 - 8] за допомогою інтеркаляційних процесів, а саме – деінтеркаляцією при освітленні інтеркальованого катіонами напівпровідника n – типу і інтеркаляцією їх у напівпровідник p –типу. Зрозуміло, що вони повинні мати у своїй структурі „гостьові ” позиції, тобто характеризуватися сотовою, канальною, чи шаруватою кристалічною будовою. Остання виявилася б найбільш придатною з точки зору двохмірності дифузійних областей для «гостьових» компонентів. В результаті таких процесів рівноважний електродний потенціал n –типу напівпровідника буде зсуватися у додатню сторону, а p –типу у від’ємну відносно водневого електроду порівняння. Змінена після освітлення різниця цих потенціалів у стані рівноваги і буде визначати ЕРС фотоакумулятора у темряві. Що стосується можливої фотокорозії (до якої менш стійкі напівпровідники p – типу), то її подолання можна досягнути конкуруючими редокс–процесами – коли кінетичні властивості редокс-пар електроліту забезпечують швидке захоплення носіїв по мірі їх виходу на поверхню. Це призведе до того, що ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 7 кінетика фотострумоутворюючих процесів суттєвим чином може змінитися. Однак, до цього часу даний аспект проблеми, як і грунтовне з’ясування кінетики фотоакумулювання, загалом, практично не проводилося. Спробі усунення означених недоліків і присвячена дана робота. МЕТОДИКА ЕКСПЕРИМЕНТУ В експериментах фоточутливими напівпровідниками n - і p –типу служили моноселеніди відповідно індію ( InSe ) та галію ( GaSe ), вирощені методом Бріджмена. В них фотозбудження в принципі може проходити без хімічного розкладу, оскільки фотогенерація носіїв відбувається на металічних центрах, екранованих від хімічної взаємодії з електролітом інертними площинами халькогену. Електрохімічні дослідження проводилися в трьохелектродній комірці з апротонними розчинами електролітів. Електродом порівняння служив хлор-срібний електрод. Для освітлення використовувався імітатор сонячного випромінювання потужністю 60 Вт з тепловим фільтром. Імпедансні виміри проводилися в частотному діапазоні ( 210− ÷ 610 Гц) за допомогою вимірювального комплексу "AUTOLAB PGSTAT100" фірми ˝EСO CHEMIE˝ (Голландія), укомплектованого комп'ютерними програмами FRA-2 та GPES. Циклічні вольтамперограми електрохімічних комірок записувались в темряві і при освітленні зі швидкістю розгортки напруги 0,005÷0,001 В/с у вольтажній області 3,3В ÷ 1,0 В. РЕЗУЛЬТАТИ ТА ЇХ ОБГОВОРЕННЯ На рис. 1 наведено енергетичну діаграму процесів перетворення і одночасного акумулювання перетвореної в електричну сонячної енергії, які реалізувалися в електрохімічній системі InSeLin x− │ M1 4LiBF в γ-бутиролактоні│ GaSep − , де х – кількість атомів літію, що припадає на один атом димеру InIn − . Поява анодних деінтеркаляційних процесів відбувається за участю фотогенерованих дирок в межах потенціалів 1,3 В÷3 В: ++ +→+ xLiInSexpInSeLix (1) ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 8 Рис.1 Енергетична діаграма інтеркаляційного фотострумоутворення і накопичення перетвореної енергії В замкнутому (на навантаження nR ) колі виникаюча фото-ЕРС забезпечуватиме фотострум заряджання неосвітленого GaSep − за інтеркаляційним механізмом – впровадження +Li - катіону в його структуру задля компенсації фотоелектрона (рис. 1), який транспортується з фотоаноду по навантажувальному опорі: GaSeLixexLiGaSe + ++ →++ (2) При цьому величина анодного фотоструму є немонотонною функцією потенціалу (рис. 2), а процес інтеркаляції неосвітленого GaSep − добре візуалізується потенціодинамічною кривою (рис.3). З наведених залежностей добре видно, що завжди можна вибрати певний інтервал значень х, в якому обидві кінетики будуть взаємовідповідними. ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 9 Рис.2. Залежність анодного фотоструму від потенціалу для InSeLix Рис.3. Циклічна потенціодинамічна крива процесу літієвої інтеркаляції неосвітленого GaSep − , виміряна в темряві при швидкості розгортки потенціалу 0,001B/с Як відомо [9], утворення нестехіометричних фаз впровадження GaSeLix в процесі інтеркаляції літієм супроводжується зсувом їх електродного потенціалу ( E∆ ) у від’ємну відносно хлор-срібного електроду порівняння сторону. При цьому він здатний оборотньо інтеркалюватись літієм до х = 1, що відповідає питомій електричній ємності nG =181мАгод/г. Зміни E∆ у процесі фотозарядження в залежності від кількості пропущеної фотоелектрики ( ФG ) та при гальваностатичному ( 510−=j А/см2 ) розряді у темряві наведені на рис.4. Рис.4. Фотозаряд GaSe (а) і розряд утвореного фотоінтеркаланту InSeLix в темряві (б) Детальний аналіз кінетики анодного фотодеінтеркаляційного струмоутворення методом імпедансної спектроскопії показав, що діаграми Найквіста (рис.5), добре моделюються електричною еквівалентною схемою, зображеною на рис. 6, а визначені за допомогою комп’ютерної програми ZView- 2 кінетичні параметри представлені в табл. 1. В даній схемі: • 0R − опір, що відображає опір електроліту; ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 10 • паралельна 11CR − ланка моделює процеси перенесення заряду через міжфазну межу в InSeLix , що знаходиться в гетерофазному стані; • паралельна 22CR − ланка відображає процес перенесення заряду із електроліту в об’єм InSeLix . Тут 2R − опір стадії перенесення заряду із електроліту в об’єм активного матеріалу, 2C − ємність подвійного електричного шару межі розділу напівпровідник/електроліт; • 3R − релаксаційний опір інтеркальованої матриці; • CPE − відображає дещо розподілену («спотворену») дифузію гостьового компонента в інтеркальованій матриці Рис.5. Діаграми Найквіста (Е=1,6 В) для InSeLix в темряві (а) і на світлі (б) Рис.6. Еквівалентна електрична схема для процесів фотоінтеркаляції- фотодеінтеркаляції Таблиця 1. Кінетичні параметри процесу деінтеркалювання InSeLix : а – в темряві; б – при освітленні CPE R0 R1 R2 R3 С1 С2 CPE-T CPE-P кОм кОм кОм кОм Ф Ф a 1,737 23,258 33,432 18,553 6Е-4 2,6Е-7 6,8Е-8 0,456 б 0,4638 7,582 7,118 4,807 1,4Е-3 2,2Е-7 1,66Е-5 0,43 Для випадку освітлення межі розділу GaSe з електролітом домінуючим процесом виступатиме фотозарядження подвійного електричного шару (ПЕШ) зі сповільненою кінетикою, контрольованою швидкістю фотохімічних реакцій на поверхні електроду. Співвідношення між її величиною та швидкостями генерації і рекомбінації нерівноважних фотоносіїв визначатиме швидкість наростання різниці потенціалів ϕ∆ між обкладками ПЕШ. Тривалість досягнення нею максимального значення ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 11 залежить, як вияснилося, від х і може складати сотні хвилин, як це показано на рис.6 для випадку селеніду галію. При цьому особливої уваги заслуговує немонотонна зміна фото-ЕРС GaSeLix зі збільшенням х (забезпечене інтеркаляційними фотоострумами) (рис.8), зумовлена найімовірніше положенням потенціалу плоских зон для GaSe в додатній області потенціалів (для InSe у від’ємній). Тоді в процесі інтеркалювання до 0,6 Кл для GaSe зони ще більше загинаються, а в області спадання ФE . (0,6-0,84Кл) рівень Фермі повертається до вихідного положення (зони випрямляються). Рис.7. Хронопотенціограма GaSe процесу освітлення на відкритому колі Рис.8. Залежність ф.е.р.с. GaSeLix від значення х Освітлення InSen − в аналогічній електрохімічній системі призводить до падіння фото- ЕРС в дослідженій області концентрацій впровадженого літію майже до нуля. Це по всій ймовірності викликано зсувом електродного потенціалу у від’ємну область, що в свою чергу призводить до майже повного випрямлення зон через зсув положення рівня Фермі у ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 12 від’ємну область. Добитися зміщення електродного потенціалу для селеніду індію в додатню сторону можна легуванням з наступним фотоінтеркалюванням його іонами І- з розчину відповідно до рівняння: xInSeIxpxIInSe →++ +− (3) Як уже зазначалося для подолання фотокорозійних процесів необхідне застосування редокс-пар. В результаті проведених досліджень встановлено, що для досліджуваних систем найбільш ефективними є пари 2 2 2 / −− SS та 0 2/ II − . В першому випадку електрохімічна система забезпечувала значення фото-ЕРС 0.55В, а розрядного фотоструму (наприклад, при E = 0,33 В) ~ 38µА/см2 . В другому досягалося максимального значення ФE на 0.05В меншого, ніж в першому, проте розрядний фотострум зріс більше, як вдвічі. Таким чином, в роботі досліджено процес фотодеінтеркаляції InSeLix , який може служити фотоанодом для інтеркаляції GaSe до х=1, щo відповідає ПC =181мА×год/г. Показано значне покрашення кінетичних параметрів процесу фотодеінтеркаяції в 3-4рази СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ 1. Jayaderaiah T. S. Semicoconductor-Electrolyte Interface Devices for Solar Energy Conversion / T. S. Jayaderaiah // Appl. Phys. Lett.. – 1974. – Vol. 25. – P. 399-400. – Бібліогр.: с. 400. 2. Anderson W. W. Becquerel Effect Solar Cell / W. W. Anderson // Energy Conversion. – 1976. – Vol. 15. – P.85-94. – Бібліогр.: с.93-94. 3. Gerisher H. Electrochemical Photo and Solar Sells / H. Gerisher // J. Electro-analytical & Interfacial Electrochem. – 1975. – Vol. 58. – P. 236-274. – Бібліогр.: с. 273-274. 4. Пат. 4064326 США, МКИ Н 01 М 6 / 36. Photo-electrochemical cell containing chalcogenide redox couple and having storage capability / J. Manassen, G. Hodes, D. F Cahen ( USA ); Yeda Research and development Co. – № 771317; Заявлено 23. 02. 77; Опубл. 20. 12 77; НКИ 428 / 111. –8 с.). 5. Photoassisted electrolysis of water by ultraviolet irradiation of an antimony dopped stannic oxidev electrode / [Wringhton M. S., Morse D. L., Ellis A.B. et. al.] // J. Amer. Chem. Soc. – 1976. – Vol. 98. – P. 44-48. – Бібліогр.: с.48. 6. Weon-Pil Taia. Ruthenium dye-sensitized SnO2/TiO2 coupled solar cells / Weon-Pil Taia, Kozo Inoueb, Jae-Hee Oha // Solar Energy Materials & Solar Cells Letter. – 2002. –Vol. 71. – Р. 553-557. – Бібліогр.: с.557. 7. Betz G. Energy couversion and storage using insertion materials / G. Betz, H. Tribeetsch // Progress in Solid State. – 1985. – Vol. 16. – № 4. – Р. 195-290. – Бібліогр.: с. 283-290. 8. Влияние интеркалирования на фото-ЭДС контакта слоистый полупроводник-электролит / [Бахматюк Б. П., Григорчак И. И., Ковалюк З. Д., Рыбайло В. О.] // Гелиотехника. – 1987. – № 3. – С. 8-10. – Бібліогр.: с.10. 9. Григорчак И. И. Получение и свойства интеркалированных слоистых соединений типа AIIIBVI / Григорчак И. И., Ковалюк З. Д., Юрценюк С. П. // Изв. АН СССР; Неорган. материалы. – 1981. – Т. 17. – № 3. – С. 412-415. – Бібліогр.: с.415. Надійшла до редакції 02.12.2008р. ІВАЩИШИН ФЕДІР ОЛЕГОВИЧ – аспірант кафедри прикладної фізики та інженерного матеріалознавства національного університету "Львівська політехніка", Львів, Україна. ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 13 БАХМАТЮК БОГДАН ПЕТРОВИЧ – к.х.н., провідний науковий співробітник кафедри прикладної фізики та інженерного матеріалознавства національного університету "Львівська політехніка", Львів, Україна. ГРИГОРЧАК ІВАН ІВАНОВИЧ – д.т.н., старший науковий співробітник, завідувач лабораторії молекулярної фізики та нано-енергетики національного університету "Львівська політехніка", Львів, Україна.

Інтеркаляційний низькоентропійний фотосинтез та його застосування до акумулювання сонячної енергії

Institution

Ähnliche Einträge