Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання

• Опубліковано в: : Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
• Дата: 2009
• Автори: Осадчук, О.В., Семенов, А.О., Задорожний, В.К.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Теми: Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32239
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання / О.В. Осадчук, А.О. Семенов, В.К. Задорожний // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 187-192. — Бібліогр.: 4 назв. — укp.

Удосконалено математичну модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. Запропоновано нелінійну апроксимацію статичних характеристик транзисторної структури на основі НВЧ біполярного і польового транзисторів. Одержано співвідношення для інженерного розрахунку мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. In this work the mathematical model of the frequency microwave sensor of optical radiation has been improved. The non-lineal approximation of static characteristics of the transistor structure, based on microwave field-effect and bipolar transistors, has been proposed. The equations for computation of the frequency microwave sensor of optical radiation have been obtained.