Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання

Удосконалено математичну модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. Запропоновано нелінійну апроксимацію статичних характеристик транзисторної структури на основі НВЧ біполярного і польового транзисторів. Одержано співвідношення для інженерного розрахунку мікроелектронного ча...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
Дата:2009
Автори: Осадчук, О.В., Семенов, А.О., Задорожний, В.К.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32239
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання / О.В. Осадчук, А.О. Семенов, В.К. Задорожний // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 187-192. — Бібліогр.: 4 назв. — укp.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-32239
record_format dspace
spelling Осадчук, О.В.
Семенов, А.О.
Задорожний, В.К.
2012-04-14T20:15:59Z
2012-04-14T20:15:59Z
2009
Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання / О.В. Осадчук, А.О. Семенов, В.К. Задорожний // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 187-192. — Бібліогр.: 4 назв. — укp.
1681-7893
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32239
621.317
Удосконалено математичну модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. Запропоновано нелінійну апроксимацію статичних характеристик транзисторної структури на основі НВЧ біполярного і польового транзисторів. Одержано співвідношення для інженерного розрахунку мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення.
In this work the mathematical model of the frequency microwave sensor of optical radiation has been improved. The non-lineal approximation of static characteristics of the transistor structure, based on microwave field-effect and bipolar transistors, has been proposed. The equations for computation of the frequency microwave sensor of optical radiation have been obtained.
uk
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу
Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання
spellingShingle Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання
Осадчук, О.В.
Семенов, А.О.
Задорожний, В.К.
Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу
title_short Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання
title_full Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання
title_fullStr Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання
title_full_unstemmed Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання
title_sort математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання
author Осадчук, О.В.
Семенов, А.О.
Задорожний, В.К.
author_facet Осадчук, О.В.
Семенов, А.О.
Задорожний, В.К.
topic Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу
topic_facet Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу
publishDate 2009
language Ukrainian
container_title Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
description Удосконалено математичну модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. Запропоновано нелінійну апроксимацію статичних характеристик транзисторної структури на основі НВЧ біполярного і польового транзисторів. Одержано співвідношення для інженерного розрахунку мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. In this work the mathematical model of the frequency microwave sensor of optical radiation has been improved. The non-lineal approximation of static characteristics of the transistor structure, based on microwave field-effect and bipolar transistors, has been proposed. The equations for computation of the frequency microwave sensor of optical radiation have been obtained.
issn 1681-7893
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32239
citation_txt Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання / О.В. Осадчук, А.О. Семенов, В.К. Задорожний // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 187-192. — Бібліогр.: 4 назв. — укp.
work_keys_str_mv AT osadčukov matematičnamodelʹmíkroelektronnogočastotnogosensoraoptičnogovipromínûvannâ
AT semenovao matematičnamodelʹmíkroelektronnogočastotnogosensoraoptičnogovipromínûvannâ
AT zadorožniivk matematičnamodelʹmíkroelektronnogočastotnogosensoraoptičnogovipromínûvannâ
first_indexed 2025-12-07T18:07:23Z
last_indexed 2025-12-07T18:07:23Z
_version_ 1850873839884435456