Сенсорна електронiка: стан i перспективи розвитку. ІІІ Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології» (Одеса, 2-6 червня 2008 р.)
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/3258 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Сенсорна електронiка: стан i перспективи розвитку. ІІІ Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології» (Одеса, 2-6 червня 2008 р.) / Я. Лепіх, В. Литовченко, В. Мачулін, В. Сминтина // Вісн. НАН України. — 2008. — № 8. — С. 54-56. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860208571313029120 |
|---|---|
| author | Лепіх, Я. Литовченко, В. Мачулін, В. Сминтина, В. |
| author_facet | Лепіх, Я. Литовченко, В. Мачулін, В. Сминтина, В. |
| citation_txt | Сенсорна електронiка: стан i перспективи розвитку. ІІІ Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології» (Одеса, 2-6 червня 2008 р.) / Я. Лепіх, В. Литовченко, В. Мачулін, В. Сминтина // Вісн. НАН України. — 2008. — № 8. — С. 54-56. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| first_indexed | 2025-12-07T18:13:21Z |
| format | Article |
| fulltext |
54 ISSN 0372-6436. Вісн. НАН України, 2008, № 8
ФОРУМИ
СЕНСОРНА ЕЛЕКТРОНІКА: СТАН І ПЕРСПЕКТИВИ РОЗВИТКУ
ІІІ Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка
і мікросистемні технології» (Одеса, 2-6 червня 2008 р.)
Конференцію проведено на базі Оде-
ського національного університету іме-
ні І. І. Мечникова під егідою Наукової ради
НАН України з проблеми «Фізика напівпро-
відників і напівпровідникових приладів»,
Міністерства освіти і науки України, Україн-
ського фізичного товариства, Міністерства
промислової політики України, Інституту
фізики напівпровідників імені В.Є. Лашка-
рьова НАН України, Одеського національ-
ного університету імені І.І. Мечникова.
У конференції взяли участь понад 270
представників академічних установ, ВНЗ
та науково-промислових організацій з усіх
регіонів України, наукових установ та уні-
верситетів із 14 країн: Албанії, Білорусі,
Великої Британії, Італії, Молдови, Німеч-
чини, Польщі, Російської Федерації, Сінга-
пуру, Угорщини, України, Фінляндії, Фран-
ції, Швеції.
Представлені за 13 науковими напря-
мами конференції доповіді охопили зде-
більшого всі знакові аспекти сенсорики —
від фізичних, хімічних і біохімічних явищ
до дослідження процесів деградації, пи-
тань метрології та сертифікації сенсорів.
Було заслухано і обговорено 308 допові-
дей, із них 19 пленарних. У роботі конфе-
ренції взяли участь і виступили з допові-
дями 4 члени-кореспонденти НАН Украї-
ни, 1 членкор РАН, понад 90 докторів наук
і професорів з України та з-поза її меж. У
числі учасників були директори НДІ й рек-
тори ВНЗ.
Програма конференції охопила широкий
спектр наукових, технічних і технологічних
проблем сенсорної електроніки і мікросис-
темних технологій як фундаментального,
так і прикладного характеру, пов’язаних із
дослідженнями нових принципів побудо-
ви сенсорів, розробленням інформаційних
систем, функціональних матеріалів і мікро-
системних технологій.
У доповіді члена-кореспондента НАН
України В.Г. Литовченка (Інститут фізики
напівпровідників НАН України, Київ) роз-
глянуто особливості процесів у галузі елект-
ронної техніки, що стрімко розвивається, —
наноструктурованих системах, у яких за
певних умов може відбуватися істотна зміна
механізмів адсорбційних процесів, які є ба-
зовими для функціонування новітніх над-
чутливих сенсорів. Перебудова електронних
та хімічних зв’язків проілюстрована для на-
норозмірних кластерів — як кремнію, так і
перехідних металів Pb і Cu.
Теоретичні дослідження тензоефектів ви-
клав доктор фізико-математичних наук
М.В. Стріха. Було виявлено низку нових фі-
зичних явищ, яких набувають традиційні
вузькощілинні та безщілинні напівпровід-
ники під дією одновісного стискування, про-
ISSN 0372-6436. Вісн. НАН України, 2008, № 8 55
аналізовано їх практичне застосування. Не
залишився непоміченим факт, що наукову
доповідь високого рівня виголосив чинний
заступник Міністра освіти і науки України.
Директор Центру колективного корис-
тування приладами НАН України при Ін-
ституті фізики, член-кореспондент НАН
України І.В. Блонський продемонстрував
нові результати досліджень із застосуван-
ням сучасних методик часової спектроско-
пії параметрів поверхневих плазмонів у на-
ночастинках благородних металів у фемто-
пікосекундному часовому діапазоні.
Ряд пленарних доповідей були присвя-
чені використанню акустоелектронних
явищ у сенсориці. Зокрема, у доповіді
професора Я.І. Лепіха (Одеський націо-
нальний університет імені І.І. Мечникова,
співавтори — член-кореспондент НАН Ук-
раїни В.Ф. Мачулін, кандидат фізико-
математичних наук Я.М. Оліх) було пока-
зано, що при поширенні поверхневих
акустичних хвиль (ПАХ) у п’єзо елект ри-
ках, напівпровідниках, а особливо в шару-
ватих структурах, виникають незвичайні
фізичні явища, які можуть бути викорис-
тані також для створення сенсорів фізич-
них величин різного функціонального
призначення. Фундаментальними факто-
рами, які визначають переваги сенсорів на
ПАХ над аналогами, побудованими на ін-
ших фізичних принципах, зокрема, є:
— велика швидкість поширення акустич-
них хвиль, яка на п’ять порядків менша
від швидкості поширення електромагніт-
них хвиль;
— доступність ПАХ для впливу на них на
шляху їх поширення поверхнею твердого
тіла.
У доповіді професора О.В. Медведя (ІРЕ
РАН, Фрязіно, Росія) доведено, що ефек-
ти, пов’язані з поширенням ПАХ у шару-
ватих структурах, можуть бути ефективно
використані для створення нового поколін-
ня сенсорів газів. Продемонстровано також
успіхи в розробленні селективних молеку-
лярних приймачів завдяки створенню мо-
лекулярних матриць.
Питання визначення граничних пара-
метрів приймачів випромінювання у різ-
них спектральних діапазонах розглянуто
в оглядовій доповіді члена-кореспондента
НАН України Ф.Ф. Сизова (ІФН НАН
України).
Професор А.А. Косяченко (Чернівецький
національний університет ім. Ю. Федько-
вича) присвятив свою доповідь досліджен-
ням підвищення параметрів детекторів
рентгенівського і гамма-випромінювання
на основі одного з найактуальніших напів-
провідників — телуриду кадмію. Зазначе-
но, що особливої уваги заслуговують детек-
тори з бар’єром Шотткі на основі відносно
низькоомного CdTe.
Досягнення і перспективи розвитку світ-
ловипромінювальних приладів на осно-
ві нанокристалів класу А2В6 розглянуто в
доповіді професора Д.В. Корбутяка (ІФН
НАН України). Показано, що, незважаю-
чи на значний прогрес у розробленні й
використанні світлодіодів на основі p-n-
структур, у провідних лабораторіях і нау-
кових центрах світу інтенсивно досліджу-
ють і розробляють світловипромінювальні
пристрої на основі нанокристалів, переду-
сім А2В6.
Член-кореспондент РАН І.Г. Неізвестний
(ІН РАН, Новосибірськ, Росія) в оглядовій
доповіді «Нанотехнології у напівпровідни-
кових сенсорах» головну увагу звернув на
те, що використання нанотехнологій дозво-
ляє кардинально зменшити розміри сенсо-
рів завдяки зменшенню чутливого елемен-
та до сотень і навіть одиниць нанометрів.
Наведено приклад розроблення на такій
основі сенсорів тиску для дослідження пе-
реходу ламінарної течі в турбулентну під
крилом моделі літака. Показано можли-
вість збільшення чутливості таких сенсорів
із використанням нанодротиків.
56 ISSN 0372-6436. Вісн. НАН України, 2008, № 8
Доповіді науковців школи академіка
Г.В. Єльської (ІБХ НАН України, Київ), а
також професора М.В. Стародуба підтвер-
дили наявність суттєвого прогресу в роз-
витку досліджень біосенсорів у Україні.
Так, у доповіді професора С.В. Дзядеви-
ча розглянуто теоретичні основи кондук-
тометричного методу вимірювань і можли-
вості цього методу при реєстрації перебігу
ферментативних процесів. Наведено при-
клади використання перетворювачів при
створенні біосенсорів і показано їхні пере-
ваги порівняно з біосенсорами, побудова-
ними на інших принципах.
Професор М.Ф. Стародуб (Інститут біо-
хімії ім. О.В. Палладіна НАН України) ви-
голосив доповідь про нові мультипараме-
тричні мікроелектронні сенсори для ме-
дичної діагностики, біотехнології і моніто-
рингу навколишнього середовища. У таких
сенсорах підвищення метрологічних харак-
теристик досягалося одночасним викорис-
танням двох каналів: амперметричного і
термоелектричного. Таким чином, досягну-
то можливість реєструвати багато параме-
трів, а саме — визначення глюкози, сахаро-
зи і лактози.
Професор В. Лантто (Microelectronics and
Materials Physics Laboratory. University of
Ou lu, Finland) присвятив свою доповідь мі-
кротехнології високотемпературного отри-
мання наноструктурованих функціональних
матеріалів, насамперед сегнетоелектриків і
піроелектриків, у вигляді наноплівок і над-
ґраток для використання в елект роніці вза-
галі й сенсориці зокрема.
Отже, ІІІ Міжнародна науково-технічна
конференція СЕМСТ-3 засвідчила, що в
Україні сформувався й успішно розвива-
ється як самостійний науково-технічний
напрям сенсорна електроніка, що інтегрує
найновіші досягнення матеріалознавства,
напівпровідникової і функціональної елек-
троніки, нанофізики і наноелектроніки, ін-
формаційних систем та мікросистемних
технологій.
Під час роботи конференції було прове-
дено круглий стіл на тему «Проблеми роз-
витку мікроелектроніки в Україні — стан і
перспективи», у якому взяли участь пред-
ставники НАН України, МОН, Мінпром-
політики з різних регіонів. Було ухвалено
відповідне рішення, яке конференція вирі-
шила разом із своєю Ухвалою направити
у Президію НАН України, МОН та Мінп-
ромполітики з метою їх подальшого пред-
ставлення керівництву держави.
Конференція засвідчила, що сенсорна
електроніка є одним із пріоритетних і най-
важливіших у створенні та розвитку інфор-
маційних систем науково-технічним на-
прямом, який може стати проривним для
України в наукоємних галузях. Тому керів-
ництву держави було б доцільно на це звер-
нути увагу та знайти можливість підвищи-
ти рівень фінансування науково-дослідних
і дослідно-конструкторських робіт у сфе-
рі сенсорної електроніки та мікросистем-
них технологій як стратегічно важливого
науково-технічного напряму.
Я. ЛЕПІХ,
доктор фізико-математичних наук,
завідувач лабораторії
Одеського національного університету імені
І.І.Мечникова,
В. ЛИТОВЧЕНКО,
член-кореспондент НАН України,
В. МАЧУЛІН,
член-кореспондент НАН України,
директор Інституту фізики напівпровідників НАН
України,
В. СМИНТИНА,
доктор фізико-математичних наук,
ректор Одеського національного університету імені
І.І. Мечникова
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-3258 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0372-6436 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:13:21Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Лепіх, Я. Литовченко, В. Мачулін, В. Сминтина, В. 2009-07-06T11:27:06Z 2009-07-06T11:27:06Z 2008 Сенсорна електронiка: стан i перспективи розвитку. ІІІ Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології» (Одеса, 2-6 червня 2008 р.) / Я. Лепіх, В. Литовченко, В. Мачулін, В. Сминтина // Вісн. НАН України. — 2008. — № 8. — С. 54-56. — укр. 0372-6436 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/3258 uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Форуми Сенсорна електронiка: стан i перспективи розвитку. ІІІ Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології» (Одеса, 2-6 червня 2008 р.) Article published earlier |
| spellingShingle | Сенсорна електронiка: стан i перспективи розвитку. ІІІ Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології» (Одеса, 2-6 червня 2008 р.) Лепіх, Я. Литовченко, В. Мачулін, В. Сминтина, В. Форуми |
| title | Сенсорна електронiка: стан i перспективи розвитку. ІІІ Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології» (Одеса, 2-6 червня 2008 р.) |
| title_full | Сенсорна електронiка: стан i перспективи розвитку. ІІІ Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології» (Одеса, 2-6 червня 2008 р.) |
| title_fullStr | Сенсорна електронiка: стан i перспективи розвитку. ІІІ Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології» (Одеса, 2-6 червня 2008 р.) |
| title_full_unstemmed | Сенсорна електронiка: стан i перспективи розвитку. ІІІ Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології» (Одеса, 2-6 червня 2008 р.) |
| title_short | Сенсорна електронiка: стан i перспективи розвитку. ІІІ Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології» (Одеса, 2-6 червня 2008 р.) |
| title_sort | сенсорна електронiка: стан i перспективи розвитку. ііі міжнародна науково-технічна конференція «сенсорна електроніка і мікросистемні технології» (одеса, 2-6 червня 2008 р.) |
| topic | Форуми |
| topic_facet | Форуми |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/3258 |
| work_keys_str_mv | AT lepíhâ sensornaelektronikastaniperspektivirozvitkuííímížnarodnanaukovotehníčnakonferencíâsensornaelektroníkaímíkrosistemnítehnologííodesa26červnâ2008r AT litovčenkov sensornaelektronikastaniperspektivirozvitkuííímížnarodnanaukovotehníčnakonferencíâsensornaelektroníkaímíkrosistemnítehnologííodesa26červnâ2008r AT mačulínv sensornaelektronikastaniperspektivirozvitkuííímížnarodnanaukovotehníčnakonferencíâsensornaelektroníkaímíkrosistemnítehnologííodesa26červnâ2008r AT smintinav sensornaelektronikastaniperspektivirozvitkuííímížnarodnanaukovotehníčnakonferencíâsensornaelektroníkaímíkrosistemnítehnologííodesa26červnâ2008r |