Кристалічна структура фаз серій Y1+x(Cu,Ga)4−x та Y3+x(Cu,Ga)11−x

Методами монокристала та порошку визначено кристалічну структуру і уточнено склад шести багатих на галій фаз системи Y–Cu–Ga. Показано, що структури усіх цих фаз можна отримати з ромбічно деформованої підгратки типу BaAl4 кратним збільшенням її періодів (a й b) та частковим заміщенням пар атомів Cu/...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Доповіді НАН України
Дата:2011
Автори: Білявина, Н.М., Марків, В.Я., Тимошенко, М.В., Тітов, Ю.О., Слободяник, М.С.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2011
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/36977
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Кристалічна структура фаз серій Y1+x(Cu,Ga)4−x та Y3+x(Cu,Ga)11−x / Н.М. Білявина, В.Я. Марків, М.В. Тимошенко, Ю.О. Тітов, М.С. Слободяник // Доп. НАН України. — 2011. — № 1. — С. 118-125. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Методами монокристала та порошку визначено кристалічну структуру і уточнено склад шести багатих на галій фаз системи Y–Cu–Ga. Показано, що структури усіх цих фаз можна отримати з ромбічно деформованої підгратки типу BaAl4 кратним збільшенням її періодів (a й b) та частковим заміщенням пар атомів Cu/Ga на один атом Cu/Ga, який розташовується в базових сітках (Z = 0; 0,5): 1−Y1,02Cu1,35Ga2,63 (структура типу BaAl4, кратність 1×1), 2−Y1,04Cu1,12Ga2,84 та 3−Y1,0Cu1,0Ga3,0 (власний, 3×3), 4−Y1,08Cu0,57Ga3,35 (9×9), 5−Y3,025Cu4Ga6,975 та 6−Y3,23Cu3,07Ga7,70 (La3Al11, 3×1). By means of the X-ray single crystal and powder methods, the crystal structures and phase compositions of six Ga-rich phases of the Y–Cu–Ga system are investigated. It is shown that the crystal structures of all six phases can be obtained of the orthorhombic deformed sublattice of BaAl4-type structure by the multiple increase of its a and b lattice constants and by a partial replacement of pair copper/gallium atoms with one copper/gallium atom which is placed in the basic planes (Z = 0; 0.5): namely, 1−Y1.02Cu1.35Ga2.63 (BaAl4-type structure, 1×1 multiplicity), 2−Y1.04Cu1.12Ga2.84 and3−Y1.0Cu1.0Ga3.0 (own type structure, 3×3), 4−Y1.08Cu0.57Ga3.35 (9×9), 5−Y3.025Cu4Ga6.975 and 6−Y3.23Cu3.07Ga7.70 (La3Al11, 3×1).
ISSN:1025-6415