Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію

Розраховано електронні спектри надкомірки з 64 атомів кремнію, що містить точковий дефект — власний дефект (вакансію та міжвузловий атом), кисень та вуглець в міжвузловому положенні та стані заміщення. Розрахунок проведено методом LMTO. Обговорюються зміни густини електронних станів монокристалів кр...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Доповіді НАН України
Datum:2011
Hauptverfasser: Плющай, І.В., Макара, В.А., Плющай, О.І.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2011
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/38685
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію / І.В. Плющай, В.А. Макара, О.І. Плющай // Доп. НАН України. — 2011. — № 9. — С. 82-89. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862718799818522624
author Плющай, І.В.
Макара, В.А.
Плющай, О.І.
author_facet Плющай, І.В.
Макара, В.А.
Плющай, О.І.
citation_txt Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію / І.В. Плющай, В.А. Макара, О.І. Плющай // Доп. НАН України. — 2011. — № 9. — С. 82-89. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.
collection DSpace DC
container_title Доповіді НАН України
description Розраховано електронні спектри надкомірки з 64 атомів кремнію, що містить точковий дефект — власний дефект (вакансію та міжвузловий атом), кисень та вуглець в міжвузловому положенні та стані заміщення. Розрахунок проведено методом LMTO. Обговорюються зміни густини електронних станів монокристалів кремнію, а також можливість формування магнітних моментів на дефектах. Показано, що частково заповнена домішкова підзона, яка спостерігається для вакансії, атомів кисню та вуглецю в міжвузловому положенні може призводити до формування магнітного моменту. Аналізується зарядовий стан точкових дефектів в монокристалах кремнію. The electronic spectra of a supercell composed of 64 Si atoms with point defects (vacancy, interstitial atom, oxygen and carbon impurity in the interstitial and substitution positions) are calculated by the linear muffin-tin orbital (LMTO) method. Changes in the density of electronic states, as well as the possible formation of magnetic moments on point defects, are discussed. It is demonstrated that the partially-filled defect band which is observed for a vacancy and O and C atoms in the interstitial position can lead to the formation of a magnetic moment. The charge state of the point defects in Si monocrystals is analyzed.
first_indexed 2025-12-07T18:16:44Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-38685
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1025-6415
language Ukrainian
last_indexed 2025-12-07T18:16:44Z
publishDate 2011
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
record_format dspace
spelling Плющай, І.В.
Макара, В.А.
Плющай, О.І.
2012-11-19T12:26:03Z
2012-11-19T12:26:03Z
2011
Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію / І.В. Плющай, В.А. Макара, О.І. Плющай // Доп. НАН України. — 2011. — № 9. — С. 82-89. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.
1025-6415
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/38685
538.915
Розраховано електронні спектри надкомірки з 64 атомів кремнію, що містить точковий дефект — власний дефект (вакансію та міжвузловий атом), кисень та вуглець в міжвузловому положенні та стані заміщення. Розрахунок проведено методом LMTO. Обговорюються зміни густини електронних станів монокристалів кремнію, а також можливість формування магнітних моментів на дефектах. Показано, що частково заповнена домішкова підзона, яка спостерігається для вакансії, атомів кисню та вуглецю в міжвузловому положенні може призводити до формування магнітного моменту. Аналізується зарядовий стан точкових дефектів в монокристалах кремнію.
The electronic spectra of a supercell composed of 64 Si atoms with point defects (vacancy, interstitial atom, oxygen and carbon impurity in the interstitial and substitution positions) are calculated by the linear muffin-tin orbital (LMTO) method. Changes in the density of electronic states, as well as the possible formation of magnetic moments on point defects, are discussed. It is demonstrated that the partially-filled defect band which is observed for a vacancy and O and C atoms in the interstitial position can lead to the formation of a magnetic moment. The charge state of the point defects in Si monocrystals is analyzed.
uk
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
Доповіді НАН України
Матеріалознавство
Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію
Electronic, charge, and magnetic states of point defects in Si monocrystals
Article
published earlier
spellingShingle Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію
Плющай, І.В.
Макара, В.А.
Плющай, О.І.
Матеріалознавство
title Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію
title_alt Electronic, charge, and magnetic states of point defects in Si monocrystals
title_full Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію
title_fullStr Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію
title_full_unstemmed Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію
title_short Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію
title_sort електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію
topic Матеріалознавство
topic_facet Матеріалознавство
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/38685
work_keys_str_mv AT plûŝaiív elektronniizarâdoviitamagnítniistanitočkovihdefektívvmonokristalahkremníû
AT makarava elektronniizarâdoviitamagnítniistanitočkovihdefektívvmonokristalahkremníû
AT plûŝaioí elektronniizarâdoviitamagnítniistanitočkovihdefektívvmonokristalahkremníû
AT plûŝaiív electronicchargeandmagneticstatesofpointdefectsinsimonocrystals
AT makarava electronicchargeandmagneticstatesofpointdefectsinsimonocrystals
AT plûŝaioí electronicchargeandmagneticstatesofpointdefectsinsimonocrystals